PDN阻抗是從負(fù)載端看過(guò)去的電源分配網(wǎng)絡(luò)的阻抗,PDN阻抗要小于目標(biāo)阻抗,這些概念對(duì)于做電源完整性的人來(lái)說(shuō)再熟悉不過(guò)了,網(wǎng)上也有大量的文檔介紹,但是很多概念說(shuō)得很模糊。 目標(biāo)阻抗通常的表達(dá)式如下:
公式中,Imax表示什么? 為什么需要乘以50%?
1、Imax是什么意思?
首先,需要知道一個(gè)概念,一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)損耗是和該MOS管的開(kāi)關(guān)頻率成正比的,一個(gè)芯片是由成千上萬(wàn)的MOS管組成的,芯片工作在不同的模式或者說(shuō)業(yè)務(wù)情況,芯片中的MOS管使能的數(shù)量和開(kāi)關(guān)頻率是不同的。 在滿業(yè)務(wù)加超頻的模式下芯片的功耗是最大的,此時(shí)也就最費(fèi)電。 功率P=電壓*電流,芯片的供電電壓時(shí)恒定的,功耗越大也就是說(shuō)芯片需要的電流就越大。 滿業(yè)務(wù)加超頻時(shí)的電流就是這個(gè)Imax。
2、為什么需要乘以50%?
如果電源一直以Imax這個(gè)電流給負(fù)載芯片供電,就不會(huì)有電壓噪聲,但不幸的是,成千上萬(wàn)的MOS管一會(huì)這個(gè)enable,一會(huì)那個(gè)powerdown,一直在變化。 也就導(dǎo)致了負(fù)載芯片需要的電流一直在變化。 到底變化多大呢? 不同的芯片,變化量也不一樣。 目標(biāo)阻抗的定義是允許的電壓噪聲除以這個(gè)變化量。 50%只是一個(gè)假設(shè),而不是一個(gè)有意義的量。 舉個(gè)例子,一個(gè)芯片,最大電流是30A(也許只有1%的時(shí)間芯片在這種情況下工作),芯片的電流動(dòng)態(tài)范圍為30*50%=15A,也就是說(shuō)可能芯片電流在大多數(shù)情況下從10A到25A這個(gè)量級(jí)內(nèi)不斷變化。
①、S參數(shù)仿真
建立如上所示電路原理圖,其中板級(jí)分布電阻和分布電感為3mohm,和0.32nH,濾波電容的容值為100uF,寄生電感1nH,寄生阻抗10mohm;片上電容800nF。 通過(guò)S參數(shù)仿真可以得到Z參數(shù),Z11就是我們要求的PDN阻抗。 仿真結(jié)果如下,從圖中可以看出在11MHz時(shí)由于片上電容和板級(jí)濾波電容的寄生電感產(chǎn)生的反諧振點(diǎn),這個(gè)反諧振點(diǎn)導(dǎo)致PDN阻抗大大增加。
②、AC仿真
建立如下仿真模型,Vout就是PND阻抗,因?yàn)樨?fù)載為一個(gè)1A的電流源。
仿真結(jié)果如下,曲線和用S參數(shù)得到的基本相同,但是諧振點(diǎn)的幅值還是有略微的差別。
4、時(shí)域仿真
從上面的PDN阻抗來(lái)看,1MHz以內(nèi),阻抗很低,也就是表示在1MHz以內(nèi)即使電流波動(dòng)范圍很大,也不會(huì)產(chǎn)生很大的噪聲。 但是同樣波動(dòng)范圍的電流在10MHz時(shí)就會(huì)產(chǎn)生很大的電壓噪聲。 我們通過(guò)時(shí)域仿真模擬下這個(gè)現(xiàn)象。 建立仿真模型如下:
電流動(dòng)態(tài)范圍10A-15A,頻率1MHz
電壓噪聲小
電流動(dòng)態(tài)范圍10A-15A,頻率10MHz
電壓噪聲大
同時(shí),我們也可以計(jì)算出,當(dāng)動(dòng)態(tài)電流為5A時(shí)的目標(biāo)阻抗=2*5%/5 = 20mohm。 從上面得到的PDN阻抗曲線可以看出,當(dāng)頻率為10MHz時(shí),阻抗已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于20mohm。
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