Rambus宣布推出最新的RCD(registeringclock driver)芯片,傳輸速度可達(dá)6400 MT/s,標(biāo)志著DDR5內(nèi)存性能的飛躍。隨著CPU頻率和核心數(shù)量的增加,如果內(nèi)存性能跟不上CPU的性能,就會迅速成為系統(tǒng)瓶頸,Rambus希望通過RCD來解決這個(gè)問題。
內(nèi)存帶寬大小在現(xiàn)代計(jì)算中非常重要,在數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景下尤為如此。在不久的將來,DDR5內(nèi)存將提供比DDR4更大的改進(jìn),同時(shí)可以長期提高內(nèi)存的理論最大性能。RCD在服務(wù)器級內(nèi)存性能中起著至關(guān)重要的作用,使其成為DDR5發(fā)展過程中的一個(gè)重要里程碑。
為了更深入地了解最新RCD提供的具體益處,本文采訪了Rambus數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品工程副總裁John Eble,以了解這項(xiàng)技術(shù)對DDR5 DRAM系統(tǒng)設(shè)計(jì)的重要性。
我們需要一個(gè)更大的DIMM
隨著人們對AI/ML和HPC應(yīng)用興趣的不斷增加,數(shù)據(jù)中心現(xiàn)在比以往任何時(shí)候都更渴望高性能內(nèi)存。用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的DDR4標(biāo)準(zhǔn)正在接近其最大理論傳輸速度。因此,需要DDR5來實(shí)現(xiàn)內(nèi)存的持續(xù)可擴(kuò)展性。
考慮到CPU市場的趨勢是指向更高數(shù)量的內(nèi)核,而不是單純提高時(shí)鐘頻率,因?yàn)楹笳邥档?a target="_blank">電源效率。特別是對于HPC應(yīng)用而言,高性能RAM是確保最大計(jì)算效率的必要條件。
“隨著核心數(shù)量的增加,整個(gè)芯片不僅需要更大的帶寬,還需要更大的容量。因?yàn)槊總€(gè)核心所需的帶寬和容量要么是平穩(wěn)增長,要么是緩慢增長,而且核心數(shù)量也會增加?!?/p>
在服務(wù)器級應(yīng)用中,需要在所有操作條件下保持一致的內(nèi)存性能,這就是RCD可以提供明顯優(yōu)勢的地方。RCD充當(dāng)CPU和內(nèi)存模塊之間的中介,有助于確保在不同溫度和計(jì)算負(fù)載下保持內(nèi)存速度。
DDR5速度的持續(xù)創(chuàng)新
Rambus最新的RCD實(shí)際上是他們的第三代RCD芯片,比Gen1 DDR5設(shè)備性能提高了33%。除了6.4 GT/s的驚人內(nèi)存速度外,RCD電壓僅需1.1 V,有助于提高數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的電源效率和熱性能。更多信息可參閱DDR5 RCD 6400 MT/s產(chǎn)品簡介。
6400 MT/s RCD可與Rambus的其他DDR5芯片(包括串行存在檢測(SPD)集線器和溫度傳感器)一起使用,以實(shí)現(xiàn)“更智能”的內(nèi)存。當(dāng)討論包含Rambus硬件的DDR5 DIMM時(shí),Eble表示:“有了集線器和熱傳感器,底板管理控制器(BMC)或CPU可以讀取溫度,并根據(jù)溫度做出改變風(fēng)扇速度、節(jié)流或提高刷新率等決定?!?/p>
更好,更快,更有效的內(nèi)存
縱觀HPC的最新進(jìn)展時(shí),很容易被處理器的計(jì)算能力所吸引,而忽略了內(nèi)存的影響。然而,內(nèi)存性能會迅速削弱最強(qiáng)大處理器的速度,并最終使系統(tǒng)性能低于標(biāo)準(zhǔn)。正是出于這個(gè)原因,Eble相信DDR5內(nèi)存將成為全球數(shù)據(jù)中心不可或缺的一部分。
用汽車工業(yè)來為例,內(nèi)存和CPU的設(shè)計(jì)必須緊密結(jié)合在一起,Eble表示“最好提前幾年進(jìn)行規(guī)劃”。
“這就像我們制造的部件是汽車發(fā)動機(jī)的核心部件一樣,內(nèi)存與CPU緊密耦合。如果制作PCIe卡、CXL卡或SSD,那么可以進(jìn)行更多的獨(dú)立工作,因?yàn)楹竺婵梢灾谱鞑寮?。但要讓CPU真正發(fā)揮作用,它需要與內(nèi)存緊密合作?!?/p>
通常情況下,內(nèi)存模塊的整體性能取決于各種因素,所以僅通過Rambus RCD并不能保證6.4 GT/s的性能。然而,Rambus的持續(xù)創(chuàng)新使DIMM制造商看到了能夠穩(wěn)步提高其產(chǎn)品性能的希望。
審核編輯 :李倩
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原文標(biāo)題:Rambus利用RCD技術(shù)實(shí)現(xiàn)6.4GT/s DDR5!
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