國博電子：擬開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目二期建設(shè)
來源：國博電子
國博電子2月22日發(fā)布公告稱，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目整體規(guī)劃，公司擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購買金額和面積以實際出讓文件為準），并開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目二期建設(shè)。
公告顯示，本次項目投資預(yù)計為6.98億元，其中土地使用權(quán)購置費預(yù)計0.40億元，設(shè)計采購施工總承包費用預(yù)計6.02億元。
據(jù)了解，射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目總投資16.62億元，分兩期建設(shè)。目前一期已基本完成中試廠房、芯片廠房和模塊廠房的建設(shè)和工藝設(shè)備購置。
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審核編輯黃宇
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