成都銳成芯微科技股份有限公司(簡稱:“銳成芯微”“Actt”)宣布,公司推出基于BCD工藝平臺的LogicFlash Pro eFlash IP產品,其特點是在BCD工藝節(jié)點上僅增加三層光罩,使得模擬芯片與控制芯片得以合二為一。
BCD+eFlash工藝平臺需求日益強烈
嵌入式存儲IP被廣泛應用于需要存儲代碼程序、關鍵數(shù)據(jù)或其他重要信息的芯片,如智能卡,SIM卡,MCU,電源/電池管理芯片和顯示驅動器芯片等。近年來,隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等應用領域的蓬勃發(fā)展,對芯片中存儲IP的可靠性、穩(wěn)定性、安全性、存儲容量、操作性能都提出了更高要求。
模擬芯片大多采用BCD工藝平臺來實現(xiàn),比如電源管理芯片、電機驅動芯片、照明驅動芯片、快充/無線充芯片、BMS電池管理系統(tǒng)中的模擬前端芯片等。BCD(Bipolar-CMOS-DEMOS)工藝通過集成高驅動能力的Bipolar器件、高集成度低功耗的 CMOS 器件和耐高壓高頻的 DEMOS 器件,實現(xiàn)了單片晶圓生產功率、模擬和數(shù)字信號電路。
近些年隨著終端產品的智能化和小型化,模擬芯片如能和控制芯片集成在一顆芯片中,將大幅提高系統(tǒng)性能并節(jié)省BOM成本。比如電機驅動芯片中可以同時集成前置驅動、運放、線性穩(wěn)壓器和MCU控制芯片,做到四合一;再比如無線充電芯片中可以同時集成無線充/快充協(xié)議芯片,電源管理芯片,收發(fā)芯片和MCU控制芯片等。傳統(tǒng)的MCU控制芯片一般采用eFlash工藝,需要利用平臺上的非揮發(fā)存儲器來存儲或運行程序代碼。因此,隨著模擬芯片的集成度、智能化越來越高, BCD+eFlash的工藝平臺需求也日益強烈。
銳成芯微推出eFlash IP
在BCD工藝基礎上只增加三層光罩
從工藝集成的角度來看,將BCD工藝中的DEMOS高壓器件和eFlash做到一起并非易事。高壓DEMOS器件關注的是如何減小器件的開態(tài)電阻,如何提高擊穿電壓;而eFlash關注的是數(shù)據(jù)保持能力,存儲器讀/寫速度,存儲單元的面積,額外光罩層次。在工藝開發(fā)時,經常遇到一個難點,這兩種器件都需要增加光罩,修改工藝,這會同時影響到高壓和存儲器件,怎樣進行權衡?
銳成芯微經過長期的技術研發(fā),提出了創(chuàng)新性的eFlash器件結構,并開發(fā)了LogicFlash Pro完整的eFlash解決方案。得益于該技術獨特的實現(xiàn)方式,大大簡化了業(yè)界流行的eFlash技術的光罩層數(shù)和工藝步驟,并且在BCD工藝上只需增加三層光罩便可實現(xiàn)eFlash,不僅維持了原有高壓器件的高性能,也增加了具有高可靠性的eFlash,能幫助芯片企業(yè)將模擬芯片和控制芯片合二為一,有效控制整體的系統(tǒng)成本。
銳成芯微基于BCD工藝的eFlash IP已展現(xiàn)優(yōu)異的測試性能和結果,包括125℃高溫操作壽命大于1000小時,125℃的高溫數(shù)據(jù)保持能力超過10年,擦除寫入次數(shù)大于10萬次。該IP方案已被知名汽車芯片廠商采用。
銳成芯微的嵌入式存儲IP,經過十多年的技術積累和迭代,已發(fā)展了包括MTP,OTP,eFlash等眾多產品線,不僅在BCD工藝平臺,也適用于更多邏輯工藝平臺。銳成芯微持續(xù)通過差異化路線,幫助芯片廠商加速產品上市時間,迅速占領市場,得益于其在性能、良率、可靠性以及出貨量方面表現(xiàn)突出,已廣泛應用于消費類、通信類,以及工控和汽車電子等領域。
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:銳成芯微推出基于BCD工藝的三層光罩eFlash IP
文章出處:【微信號:gh_63da7f3c5e13,微信公眾號:銳成芯微 ACTT】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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