DDR內存由于其快速的數據傳輸速率和成本而在服務器和個人計算機中變得非常流行。DDR 內存需要主內存電源(也稱為 VDD)和跟蹤端接電源 VTT。MAX1917為多功能快速PWM降壓控制器,能夠灌入和拉出高達25A的電流。本應用筆記說明了MAX1917用作服務器DDR存儲器的VDD電源。
MAX1917為PWM控制器,為DDR存儲器產生終止電源(VTT)。在此類應用中,輸出電壓 VTT 跟蹤 DDR 內存電源電壓 VDD,并將其饋送到 DDR 引腳。
MAX1917還可用于從5V或12V輸入電源產生VDDQ電源電壓,方法是將其基準電壓連接到DDR引腳。圖1所示為12A輸出電流的原理圖。
圖1.MAX1917用于VDDQ電源電壓應用。
MAX1917可用于輸出電壓為1.0V及以上的非跟蹤應用,如處理器內核電壓和DSP內核電壓。MAX1917的優(yōu)點之一是瞬態(tài)響應快(在一個開關周期內響應階躍負載變化)。因此,它適用于高速應用。以下應用電路的另一個特點是,通過改變R200的值,開關頻率可以在1kHz至6MHz之間設置。此功能可優(yōu)化外部組件選擇。
表 1 列出了組件信息。
Comp. | 描述 | 供應商 |
C1 | 1.0μF/25V 陶瓷電容,TMK316BJ105ML,最大 20mΩ ESR。 | Taiyo Yuden |
C2 | 4X330μF/25V 鋁電容,ZA 系列,最大 26mΩ ESR。 | Rubycon |
C3 | 4.7μF/10V 陶瓷電容, JMK212BJ475MG, 20mΩ ESR 最大值 | Taiyo Yuden |
C4 | 0.47μF/10V 陶瓷電容器, LMK107BJ474MA | Taiyo Yuden |
C5 | 10μF/6.3V 陶瓷電容, JMK316BJ106ML, 最大 ESR 20mΩ | Taiyo Yuden |
C6 | 每個電容器 3X560μF、4SP560M、14mΩ 最大 ESR。 | Sanyo |
C7 | 0.22μF/10V 陶瓷電容器, LMK107BJ224MA | Taiyo Yuden |
D1 | 30V/100mA肖特基二極管,CMPSH-3 | Central Semi. |
L1 | 0.75μH/24A, CDEP149-0R7NC, (靜電比, 最大 1.2mΩ) | Sumida |
第一季度 | 紅外代碼編號: IRF7822 | IR |
第一季度 | 2XIRF7822 | IR |
第一季度 | 2N7002K | Siliconix |
R1 | 400k, 1% | |
R2 | 5.1k, 5% | |
R3 | 20k, 5% | |
R4 | 15k, 0.1% | |
R5 | 10k, 0.1% | |
R6* | 1.78k, 1% | |
*參見公式(2)。 |
設置輸出電壓
根據圖1所示的原理圖,反饋基準 電壓設置為1.0V。輸出電壓可在 1.0V 和 向上。輸出電壓由下式確定:
設置開關頻率
MAX1917/8的開關頻率可設置為300kHz 或 550kHz,通過保持 FSEL 引腳懸空或將其接地。 但是,開關頻率可以設置在 300kHz 至 1MHz,通過增加一個電阻(R6)。給出實際開關頻率 由
要使上述公式成立,FSEL引腳應接地。相應的關閉時間由下式給出,
開關頻率與輸入電壓無關。但是,關斷時間取決于輸入電壓。MAX1917的最小關斷時間為350ns(典型值),最大關斷時間為400ns。因此,在低輸入電壓(5V輸入)下選擇開關頻率時應非常小心,以確保公式3中要求的關斷時間至少是滿足瞬態(tài)響應要求的最小關斷時間的1.4倍。
圖2分別顯示了5V和12V輸入的轉換器效率與負載電流的函數關系。很明顯,該轉換器在負載電流小于12A時表現出非常高的效率。下圖(圖3a和3b)分別顯示了5V和12V輸入的輸出紋波電壓和低壓側MOSFET漏極至源極電壓波形。對于 25V 輸入,輸出紋波電壓保持在 5mV 以下,對于 50V 輸入,紋波電壓保持在 12mV 以下。在1V輸入時,應使用大輸出電感器(例如5.125μH,勝美達CEP1-5R1-H)來保持紋波電壓低于輸出電壓的12%。
圖2.效率與輸出負載電流的關系
圖 3a.輸出紋波電壓和低壓側 MOSFET Vds 波形(輸入電壓為 5V)。
圖 3b.輸出紋波電壓和低側MOSFET Vds波形(12V輸入)。
審核編輯:郭婷
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