國(guó)星光電SiC-SBD通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

來(lái)源：國(guó)星光電官微

近日，國(guó)星光電開(kāi)發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過(guò)第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證。這標(biāo)志著國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品從工業(yè)領(lǐng)域向新能源汽車(chē)領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。

提升性能，做實(shí)高品質(zhì)產(chǎn)品

通過(guò)認(rèn)證的國(guó)星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長(zhǎng)達(dá)1000小時(shí)的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗(yàn)證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車(chē)載應(yīng)用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。

此外，相比傳統(tǒng)的硅基二極管產(chǎn)品，SiC-SBD器件在高耐壓、高導(dǎo)熱、低損耗等性能方面表現(xiàn)更出色，并且擁有快速的恢復(fù)時(shí)間，可以提高開(kāi)關(guān)速率，減小磁性元件和其它無(wú)源元件的尺寸，更節(jié)省空間與重量，可適配尺寸較小的終端產(chǎn)品，適用于新能源電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電機(jī)、控制系統(tǒng)以及汽車(chē)充電樁電路等場(chǎng)景。

拓展應(yīng)用，推進(jìn)三代半“上車(chē)”

隨著新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革加速演進(jìn)，半導(dǎo)體新興應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展迅猛。第三代半導(dǎo)體作為國(guó)星光電前瞻布局的重要方向之一，在過(guò)去一年里，公司面向SiC（碳化硅）及GaN（氮化鎵）開(kāi)發(fā)的系列新產(chǎn)品已陸續(xù)問(wèn)世，如應(yīng)用于光伏逆變、儲(chǔ)能、充電樁等場(chǎng)景的NSiC-KS系列產(chǎn)品；應(yīng)用于太陽(yáng)能發(fā)電、電網(wǎng)傳輸、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的NS62m功率模塊；應(yīng)用于照明及大功率驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)的GaN-IC器件等，已逐漸形成品類(lèi)豐富、品質(zhì)上乘的產(chǎn)品布局，并與多家知名廠商建立良好的合作關(guān)系。

此次通過(guò)認(rèn)證的車(chē)規(guī)級(jí)SiC-SBD是國(guó)星光電布局車(chē)載應(yīng)用推出的首款車(chē)載功率器件，此外，公司車(chē)規(guī)級(jí)SiC-MOSFET分立器件及all-SiC功率模塊系列產(chǎn)品已同步在車(chē)規(guī)系列技術(shù)路線中布局，將為國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品加快滲透新能源車(chē)載領(lǐng)域，推動(dòng)公司高質(zhì)量發(fā)展“加速跑”注入源源不斷的新動(dòng)能。

審核編輯黃宇