POL熱阻測(cè)量及SOA評(píng)估

為了滿(mǎn)足更小的方案尺寸以降低系統(tǒng)成本，小型化和高功率密度成為了近年來(lái)DCDC和LDO的發(fā)展趨勢(shì)，這也對(duì)方案的散熱性能提出了更高的要求。本文借助業(yè)界比較成功的中壓DCDC TPS543820，闡述板上POL的熱阻測(cè)量方法及SOA評(píng)估方法。

PCB Layout對(duì)熱阻的影響

芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)都會(huì)標(biāo)注芯片的熱阻參數(shù)，如下Figure 1 TPS543820 Thermal Information所示。但這個(gè)Thermal Metric的值并不能直接應(yīng)用于實(shí)際項(xiàng)目的熱評(píng)估中，因?yàn)樾酒纳岷脡臅?huì)受到PCB layout的直接影響，包括散熱面積，銅厚，過(guò)孔數(shù)量甚至是布局都會(huì)對(duì)實(shí)際熱阻造成較大影響。

Figure 1： TPS543820 Thermal Information

因此，我們需要對(duì)項(xiàng)目中重點(diǎn)電源器件進(jìn)行實(shí)際熱阻測(cè)量，尤其是在高溫應(yīng)用場(chǎng)景下，以避免設(shè)計(jì)問(wèn)題導(dǎo)致的芯片可靠性降低甚至無(wú)法正常工作。

板上熱阻RθJA測(cè)量

測(cè)試設(shè)備

電源

示波器

電子負(fù)載

溫箱

熱電偶

萬(wàn)用表

測(cè)試方法

固定輸出電壓（VOUT），利用電源提供輸入電壓電流（VIN，IIN），利用電子負(fù)載提供負(fù)載電流（IOUT），利用溫箱來(lái)創(chuàng)造穩(wěn)定的環(huán)境溫（TA）。逐步緩慢的增加負(fù)載電流，同時(shí)利用示波器監(jiān)測(cè)輸出電壓，當(dāng)輸出電壓在超過(guò)10分鐘的時(shí)間里恰好只出現(xiàn)了1次shutdown，那么我們認(rèn)為此時(shí)芯片的結(jié)溫 TJ = TSDN（thermal shutdown point）。

如Figure 2所示，芯片的TSDN可以從手冊(cè)中找到，但這個(gè)點(diǎn)的范圍比較廣，下面介紹兩種單顆芯片TSDN的測(cè)量方法，以得到更精確的結(jié)果。

圖 2：TPS543820 熱關(guān)斷規(guī)范

1）使用熱電偶或紅外測(cè)溫儀測(cè)量恰好發(fā)生一次thermal shutdown時(shí)的殼溫（Tcase），利用結(jié)溫到殼溫之間的特征熱阻較小的特性，近似認(rèn)為此時(shí)TCASE=TSDN。

2）利用PGOOD NMOS體二極管的閾值電壓VTH和溫度的負(fù)線性關(guān)系，保持芯片不上電，用萬(wàn)用表測(cè)量不同環(huán)境溫度下的PGOOD和AGND之間的電壓差（VTH），兩點(diǎn)確定一條直線，繪制出此時(shí)的VTH與溫度的特性曲線。再次給芯片上電，測(cè)量恰好發(fā)生一次thermal shutdown時(shí)的VTH值，即可反推出此時(shí)的PGOOD NMOS溫度（TPG），由于PGOOD NMOS受到了功率MOSFET的加熱，我們認(rèn)為此時(shí)TPG=TSDN。

熱阻計(jì)算公式

其中，

因此，我們可以求得此時(shí)板上的熱阻。下面我們將介紹如何利用板上熱阻進(jìn)行評(píng)估SOA。

SOA評(píng)估

我們利用TPS543820EVM的RθJA結(jié)果進(jìn)行分析，如Figure 1所示，RθJA=29.1℃/W，假設(shè)應(yīng)用條件為VIN=12V， VOUT=5V， Fsw=1MHz， TA_MAX=90℃，從TPS543820數(shù)據(jù)手冊(cè)6.3節(jié)中可以得到芯片推薦工作最大結(jié)溫TJ=150℃，因此，可以利用下面的公式求得當(dāng)前應(yīng)用條件下芯片正常工作的最大功耗PLOSS_MAX：

計(jì)算得到，PLOSS_MAX=2.06W，從TPS543820數(shù)據(jù)手冊(cè)中Figure 6-6中可以直接查出此時(shí)對(duì)應(yīng)的輸出電流為7.5A。因此，我們可以得到在當(dāng)前應(yīng)用條件下，芯片可以正常工作的最大輸出電流為7.5A，所以該路電源應(yīng)設(shè)計(jì)滿(mǎn)足IOUT_MAX≤7.5A。

審核編輯：郭婷