反激拓?fù)?/p>
圖1 反激電源原理圖
反激式工作原理:當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),直流輸入電壓加到變壓器原邊繞組上,此時(shí)原邊繞組相當(dāng)于電感,能量以磁能形式存儲(chǔ)在電感中,原邊N1 上正下負(fù),副邊N2 上負(fù)下正,副邊整流二極管截止,由電容給負(fù)載供電。當(dāng)開(kāi)關(guān)截止時(shí),磁能由原邊傳送到副邊,原邊N1 上負(fù)下正,副邊N2 上正下負(fù),整流二級(jí)管導(dǎo)通,給電容充電,為負(fù)載供電。
下圖為開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通關(guān)斷波形(CH1:副邊變壓器兩腳 CH2:Vgs CH3:Vds CH4:原邊變壓器兩腳)
(CH1:副邊變壓器兩腳 CH2:Vgs CH3:Vds CH4:原邊變壓器兩腳)
在開(kāi)關(guān)管第一次導(dǎo)通之前,Vds兩端壓降為Vin。在導(dǎo)通時(shí),由于MOS,Vds電壓被拉低。同時(shí),原邊電感開(kāi)始存儲(chǔ)能量,在原邊電感上還存在一定的漏感,這一部分能量不能被耦合到副邊的能量,此時(shí)原邊電感的電壓極性為上正下負(fù)。同時(shí),這時(shí)候會(huì)因?yàn)樽儔浩鞯奶匦?,?huì)給副邊折射一個(gè)電壓,這個(gè)電壓為Vlp/n(Vlp為原邊電感電壓,n為變壓器匝數(shù)比)。
在開(kāi)關(guān)管從導(dǎo)通到關(guān)斷時(shí),在關(guān)斷瞬間,原邊的沒(méi)有通路,但是由于電感的存在,電流不能突變。所以在關(guān)斷瞬間的時(shí)候,電感會(huì)阻止電流的減小,由于變壓器的能量是耦合到副邊的,所以進(jìn)行阻止電流減小的能量只有漏感上的能量。此時(shí)漏感釋放的能量會(huì)給Cds進(jìn)行充電,此時(shí)會(huì)引起LC振蕩。在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),原邊電流是呈上升趨勢(shì)的,也就是在關(guān)斷瞬間的時(shí)候電流為最大值Ip,LC振蕩呈現(xiàn)阻尼振蕩方式,能量有所消耗,因此振幅慢慢減小。因?yàn)閂=I*R,LC上的阻抗為Z0=jwl+1/jwl+R (jwl為感抗,1/jwl為容抗,R為回路阻抗),因此漏感上的最大電壓就為Vpleak max = Ip * Z0。由于MOS關(guān)斷時(shí),副邊回路會(huì)導(dǎo)通,此時(shí)副邊會(huì)折射一個(gè)電壓到原邊,由于副邊此時(shí)電壓是上正下負(fù),折射到原邊為上負(fù)下正,副邊電感兩端電壓為Vf,則折射到原邊的電壓為Vf*n。
則有:
Vds max = Vin + Vf*n + Vpleak max
當(dāng)漏感能量經(jīng)過(guò)振蕩消耗完,則第一次振蕩階段結(jié)束,漏感與寄生電容都處于穩(wěn)定狀態(tài),Vds也處于穩(wěn)定狀態(tài),此時(shí)由于副邊依舊導(dǎo)通,依舊會(huì)有折射電壓,因此此時(shí)的穩(wěn)定狀態(tài)
Vds = Vin + Vf*n
在副邊能量消耗消耗完之后,副邊不再導(dǎo)通,也不再折射能量,此時(shí)原邊Vds原則上來(lái)說(shuō)電壓降為Vin,但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?,電容電壓不能突變。此時(shí)會(huì)出現(xiàn)第二次振蕩,由寄生電容及原邊電感發(fā)生諧振。
關(guān)于第一次與第二次振幅大小與變壓器,MOS管的各個(gè)參數(shù)有關(guān),減小Vds尖峰(不加RCD,或其他方式),需要減小變壓器的漏感,這與變壓器的制造工藝有關(guān)。減小方法:增大磁芯,減小氣隙,增大耦合系數(shù)等。
減小第二段振蕩:選擇寄生參數(shù)小的MOS管。
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