ESD與EOS在實(shí)際情況中的失效表現(xiàn)

ESD

靜電釋放導(dǎo)致的失效主要表現(xiàn)為

即時(shí)失效與延時(shí)失效兩種模式。

即時(shí)失效

即時(shí)失效又稱突發(fā)失效，指的是元器件受到靜電放電損傷后，突然完全或部分喪失其規(guī)定的功能。一般較容易通過(guò)功能檢測(cè)發(fā)現(xiàn)。

延時(shí)失效

延時(shí)失效又稱潛在失效，指靜電放電能量較低，或放電回路有限流電阻，僅造成輕微損傷，器件電參數(shù)可能仍然合格或略有變化。

一般不容易通過(guò)功能檢測(cè)發(fā)現(xiàn)，而且失效后很難通過(guò)技術(shù)手段確認(rèn)。

典型案例

#案例1

失效圖示

試驗(yàn)復(fù)現(xiàn)

結(jié)論

不良發(fā)生位置集中于CF表偏貼合端子部的左邊，距離離子棒約50cm。因距離過(guò)大，離子棒對(duì)此位置的除靜電能力有弱化。

#案例2

失效圖示

試驗(yàn)復(fù)現(xiàn)

結(jié)論

經(jīng)過(guò)靜電耐圧試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，樣品1在兩種破壞類型中，情況分別為：

1.機(jī)器模型：使用2-3kV ESD痕跡發(fā)生；

2.人體模型：使用3-4kV ESD痕跡發(fā)生；

樣品2在兩種破壞類型中，情況分別為：

1.機(jī)器模型：使用12-14kV ESD痕跡發(fā)生；

2.人體模型：使用24-28kV ESD痕跡發(fā)生。

案例分享

EOS

過(guò)電壓，過(guò)電流，

過(guò)功率，過(guò)電燒毀

失效表現(xiàn)

EOS的碳化面積較大，一般過(guò)功率燒毀會(huì)出現(xiàn)原始損傷點(diǎn)且由這點(diǎn)有向四周輻射的裂紋，且多發(fā)于器件引腳位置。

典型案例

#案例1MCU芯片信號(hào)短路分析

失效圖示

說(shuō)明: 空洞異常處有因局部受熱造成的表面樹(shù)脂碳化現(xiàn)象，周邊樹(shù)脂出現(xiàn)裂紋。

試驗(yàn)復(fù)現(xiàn)

驗(yàn)證方法:使用正常樣品在兩個(gè)引腳上分別接入12V電源正負(fù)極進(jìn)行復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)。

結(jié)論

接上12.0V電源瞬間，兩電極之間有被燒壞的聲音，電流瞬間升高，電壓下降。兩引腳之間阻抗測(cè)試顯示為OL，說(shuō)明二者之間經(jīng)過(guò)反接12V電壓被大電流瞬間擊穿斷開(kāi)。

#案例2

TVS管失效分析

失效圖示

說(shuō)明：樣品開(kāi)封發(fā)現(xiàn)樣品晶圓位置均發(fā)現(xiàn)有燒傷痕跡，擊穿位置樹(shù)脂高溫碳化，為過(guò)流過(guò)壓導(dǎo)致。

試驗(yàn)復(fù)現(xiàn)

TVS管擊穿FA分析圖

左右滑動(dòng)查看圖集

擊穿驗(yàn)證之后進(jìn)行開(kāi)封檢測(cè)，發(fā)現(xiàn)復(fù)現(xiàn)樣品晶圓位置均發(fā)現(xiàn)有燒傷痕跡，與異常品失效發(fā)生類似。

結(jié)論

晶圓表面發(fā)現(xiàn)有過(guò)流過(guò)壓擊穿的痕跡，即樹(shù)脂高溫碳化；

DC直流電源加壓到18V，TVS管被擊穿短路，復(fù)現(xiàn)品晶圓位置失效與異常品類似。

9V樣品取下濾波電容，使其輸出不穩(wěn)定，TVS被擊穿，短路失效。

據(jù)此判斷，TVS管為過(guò)壓導(dǎo)致失效，樣品輸出不穩(wěn)定時(shí)有擊穿TVS管的可能。

審核編輯：劉清