TL431是一款經(jīng)典電壓基準芯片,運用場景非常廣泛,如提供給單片機、DSP的ADC采樣基準電壓,隔離反激、正激電源的反饋基準電壓等等,下面基于仿真軟件PSIM探討一下TL431的應(yīng)用。
如圖1所示,這是TL431最經(jīng)典的運用電路之一通過調(diào)節(jié)R2/R3可調(diào)節(jié)輸出電壓,公式如下:
其中,Vref = 2.5V
一般在實際工程運用中,為了降低損耗,同時擁有較好的抗干擾能力,R3取值在1k ~ 10k范圍內(nèi)。同理R1也不能取值過小,否則其損耗會非常大,該電阻應(yīng)該如何選???大家思考思考。
圖1
圖1的仿真結(jié)果如下:
可以看到,在啟動瞬間,有較大的輸出過沖。如果是作為DSP等精密芯片基準電壓,這過沖電壓使得精密器件存在損壞的風險。該如何消除這個過沖呢?很簡單,只要加快在上電瞬間輸出電壓作用到431反饋腳上就可以了,如下圖所示,在輸出電壓與反饋腳之間加一個1nF的電容。
圖2
仿真結(jié)果如下,可以看到過沖消失。
上面電路輸出并沒有帶負載,接下來我們針對431基準電路的帶負載能力的研究。
首先基于上述電路進行帶負載仿真,先看看加1kΩ電阻負載的仿真結(jié)果。
可以看到此時輸出能維持5V輸出。加大負載,帶50Ω電阻負載。
此時,輸出電壓跌至3.3V,也就是說此基準電路不能輸出100mA的電流。那么該如何修改電流使輸出電流能達到100mA?
首先我們分析一下,上面的電路為什么不能輸出100mA,因為如果能輸出100mA,則R1壓降為U=100Ω×0.1A = 10V,輸出電壓Uo = VDC – U = 10V – 10V = 0,顯然不成。同時,通過此過程分析,我們可知道只要減小R1的阻就可以增加輸出帶載能力,但如此會使R1損耗加大。如此就陷入了矛盾。所以我們需要改變其他器件替代電阻R1。
圖3
如圖3所示,用NPN三極管Q1替代R1電阻,仿真結(jié)果如下:
可看到,此時可以輸出100mA電流。此時你可能會有疑問:Q1壓降不也是5V嗎?其損耗也是P = 5V×0.1A = 0.5w,如果使用50Ω的電阻R1,R1的壓降也是5V,損耗也是5V×0.1A = 0.5w,何必使用更貴的三極管呢?咋一想好想挺有道理,但使用三極管肯定有它的好處,你能想到是什么好處嗎?歡迎在評論區(qū)討論。
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