觀察點(diǎn)
為了仿真變換器加上補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)后的傳遞函數(shù),可以直接把環(huán)路在誤差電壓處斷開,以占空比信號(hào)為輸入,誤差電壓為輸出,進(jìn)行交流分析。 所謂的斷開,其實(shí)可以與之前一樣,接入一個(gè)大電感和大電容即可。
注意這里忽略了放大器引入的相移,因此相位從正的開始,相位裕度以與0°線的距離計(jì)算。 可見補(bǔ)償后的系統(tǒng)相位裕度抬高了。
頻域參數(shù)
當(dāng)輸出信號(hào)和控制信號(hào)之間的相位差減少為0°,則變成正反饋振蕩器。
交叉頻率處的輸出容抗可以近似表示閉環(huán)輸出阻抗,所以可以近似計(jì)算出輸出瞬態(tài)階躍電流作用下的輸出電壓脈沖
根據(jù)這個(gè)式子以及穩(wěn)態(tài)紋波需求,可以確定交叉頻率的取值。 不過對(duì)于有RHPZ的拓?fù)洌话憔椭苯舆x定為RHPZ所在頻點(diǎn)的30%,同時(shí)又應(yīng)該保證交叉頻率在LC諧振頻率的5倍以上,給設(shè)計(jì)帶來困擾。 對(duì)于沒有RHPZ的拓?fù)洌梢灾苯釉O(shè)定為開關(guān)頻率的20%以下。 脈沖峰值固然與上式有關(guān),不過恢復(fù)時(shí)間則由相位裕度決定。
構(gòu)建補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)
構(gòu)造零極點(diǎn)的知識(shí)均已知曉。 值得一提的有構(gòu)造RHPZ的方法,就是將原輸入信號(hào)與高通濾波器后的信號(hào)相減
零點(diǎn)頻率即RC分之一。
RHPZ是變換器間接能量傳輸?shù)慕Y(jié)果。 在CCM的Boost變換器中表現(xiàn)為,如果負(fù)載出現(xiàn)向上的階躍,造成占空比信號(hào)變大,即減小,即電感向負(fù)載供電流的周期減小。 但是電感電流不會(huì)馬上增大,而是以固定步長增加,這個(gè)過程中輸出電流可能會(huì)反而比原來更小,這就是RHPZ的影響。 如果系統(tǒng)響應(yīng)很快,那么在負(fù)載躍變瞬間,反饋環(huán)的占空比輸出會(huì)因?yàn)檩敵鲭妷旱姆聪驕p小而迅速增大到1,使變換器無法工作,這也是Boost變換器環(huán)路設(shè)計(jì)要降低交越頻率的原因。 一般選擇在最低RHPZ的1/3處。 DCM時(shí)變換器仍存在RHPZ,但其被推到高頻處,因此環(huán)路設(shè)計(jì)的困難相應(yīng)降低。
各個(gè)頻率響應(yīng)對(duì)應(yīng)的有源電路網(wǎng)絡(luò)依次示下:
積分器
零極點(diǎn)
極點(diǎn)位置為
,零點(diǎn)位置為
,并且有積分器的效果。 這種補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的特點(diǎn)是中頻部分存在一個(gè)固定增益區(qū),并且該區(qū)域的相位具有超前性質(zhì),相位的最大值出現(xiàn)在頻率為
處。 用于電流模式和DCM。
零極點(diǎn)對(duì)a
這是上面的特殊情況,即C12為0時(shí),極點(diǎn)被排除,因此不存在高頻段的增益下降,相位也一直接近同相。 在無需考慮ESR零點(diǎn)的場合可以用這個(gè)簡化的補(bǔ)償器。
零極點(diǎn)對(duì)b
這也是上面的特殊情況,令C11為無窮大,則變成一個(gè)原點(diǎn)處的零點(diǎn),相當(dāng)于與積分器的效果相抵消,因此低頻至中頻都為固定增益。 明顯的缺點(diǎn)是直流增益太低,穩(wěn)態(tài)精度無法保證。
兩個(gè)零極點(diǎn)對(duì)
傳遞函數(shù)為
式中就可以看出零極點(diǎn)位置和直流增益。 比起單個(gè)的零極點(diǎn)對(duì),兩個(gè)零極點(diǎn)對(duì)提供了更大的直流增益和更大的超前相角,因此是最完備的一種補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。
注意,實(shí)際的運(yùn)算放大器必定自身附帶一個(gè)低頻的極點(diǎn),其本身的增益就隨頻率的增大而減小,所以實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)還需要根據(jù)具體的運(yùn)放進(jìn)行參數(shù)設(shè)計(jì)。
K因子
一種從變換器開環(huán)特性得到k因子等參數(shù)值后,直接推導(dǎo)各類型補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)組件參數(shù)的方法。
首先看各類型補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)需要考慮的補(bǔ)償參數(shù)。
積分器:極點(diǎn)在原點(diǎn)處,所以它只能通過平移增益曲線,改變系統(tǒng)的交叉頻率,并引入一個(gè)90°的相移。
零極點(diǎn)對(duì):除了具有積分器的平移曲線的效果外,還引入了一個(gè)超前相位,某點(diǎn)引入的相位增加量計(jì)算為
因此在交叉頻率處,用k因子的方法可以令極點(diǎn)頻率為kf,零點(diǎn)頻率為k分之一f,則相位增加量
解出
根據(jù)所需要的相位裕度和變換器本身的相移,加上積分器引入的90°相移來確定
書中給出了不同k值下該補(bǔ)償器的響應(yīng),k=1時(shí)退化為積分器,隨著k增大,零極點(diǎn)距離增大,超前的相位增大,而直流增益減小。
雙零極點(diǎn)對(duì):與上面相似,這里假設(shè)雙零點(diǎn)重疊,雙極點(diǎn)也重疊,那么令極點(diǎn)頻率為倍的f,則
解出
接下來的式子和關(guān)系與上述一致。
K因子設(shè)計(jì)步驟
1、獲得變換器交流響應(yīng)。
用游標(biāo)看出交叉頻率為3kHz,相移149°。
2、選擇交叉頻率和裕度。
開關(guān)頻率為100kHz,而LC峰值頻率為
如前所述應(yīng)該選取6k以上的交叉頻率,但是書中選取了5k,先按書中選取,后面再觀察不同。
若選取5k,先觀察變換器響應(yīng)中5k處的數(shù)據(jù),得到相移為-146°,增益為-9.2dB,期望的相位裕度為45°。
3、選擇補(bǔ)償器類型。
可見到變換器的響應(yīng)相位滯后達(dá)到180°,穩(wěn)妥起見可以選擇雙零極點(diǎn)對(duì)補(bǔ)償器,最高可以補(bǔ)償180°超前相位。
4、應(yīng)用公式計(jì)算組件。
運(yùn)用上頁的公式,計(jì)算出k因子和元件參數(shù)
順便可以計(jì)算出補(bǔ)償器提供的零點(diǎn)和極點(diǎn)頻率分別為1.8k和14k。
5、連接補(bǔ)償器后開環(huán)掃描。
標(biāo)準(zhǔn)輸入并帶滿載情況下的開環(huán)響應(yīng),交叉頻率為5kHz,相位裕度為43°。 變化輸入電壓為20V,即圖中紅線所示,環(huán)路增益增加了1倍,即曲線被抬高了3dB,因此交叉頻率變?yōu)?.45kHz,相位裕度為44°。
6、變化ESR和負(fù)載檢查相位裕度。
以上測得是負(fù)載電阻為2.5Ω即電流為2A時(shí)的響應(yīng),若增大電阻至進(jìn)入DCM模式,觀察補(bǔ)償器的功能是否受影響。 下圖看出,因?yàn)樽儞Q器在低頻處退化為一階系統(tǒng),低頻段增益減小,所以交叉頻率明顯降低,分別為613Hz和1kHz,相位裕度分別為39.5°和59.5°,在不同輸入電壓下的相位裕度相差更大了,即對(duì)輸入電壓更加敏感。
如果變化電容的ESR,道理相同,負(fù)載恢復(fù)滿載情況,若取值變?yōu)?00m時(shí)如下圖,交叉頻率變?yōu)?.83kHz和15.56kHz,相位裕度變?yōu)?4°和55°。 可見ESR的增大會(huì)使得其零點(diǎn)提前出現(xiàn),使得交叉頻率后移,并且提高中頻段的相位。
負(fù)載為50Ω時(shí) ESR為200m時(shí)
7、觀察瞬態(tài)響應(yīng)。
前面給出了一個(gè)近似估計(jì)電流上升階躍下,電壓響應(yīng)尖峰的計(jì)算式
如果作0.1A到2A的階躍,大致算出峰值為
即從5V下降到4.725V。 搭建仿真模型,用ABM+脈沖信號(hào)源實(shí)現(xiàn)負(fù)載切換,結(jié)果如下
電壓跌落為4.713V,與計(jì)算值近似相等,誤差可能來自ESR等。 書中給出該式,只說明用來計(jì)算欠脈沖,若用來計(jì)算電流下降階躍下的電壓超調(diào),則似乎不符合仿真結(jié)果的5.24V。
下圖給出了全貌,明顯,DCM下到CCM的切換很快,建立時(shí)間大約0.4ms,而DCM切換到CCM則很慢,需要大約5ms。
圖中同樣以紅線示出了20V輸入電壓下的瞬態(tài)響應(yīng),說明Buck變換器中確實(shí)是以最低輸入電壓為最惡劣條件,而高輸入電壓下具有更好的動(dòng)態(tài)性能。
除了輸出電壓響應(yīng)外,還應(yīng)觀察誤差電壓的瞬態(tài)響應(yīng),這才是變換器在控制意義上的輸出。
書中到后面也說明了當(dāng)交叉頻率為8kHz時(shí),響應(yīng)峰值降低為171mV,系統(tǒng)性能應(yīng)是有所改善。 重復(fù)上述步驟,8k處的曲線數(shù)據(jù)為相移137°,增益-16.5dB,同樣選擇45°裕度,雙零極點(diǎn)對(duì)補(bǔ)償器,列式如下。
得到曲線如上,與前述相同,用輸入電壓分別為10V和20V時(shí)進(jìn)行對(duì)比,10V時(shí),交叉頻率為7.98kHz,相位裕度為42°。 再觀察瞬態(tài)響應(yīng),理論計(jì)算的峰值應(yīng)為,圖中為4.8V左右,相差不大,說明該估計(jì)式具有足夠的精確度。 仔細(xì)觀察上圖中的相位曲線,可以看出一些問題。
K因子法的缺陷
該方法雖然簡單,它對(duì)響應(yīng)曲線形狀忽略不計(jì),即忽略了可能存在的諧振峰,而只考慮交叉頻率。 這樣有可能在交叉頻率之前出現(xiàn)相位裕度減小到0的情況,如上圖所示。 在交叉頻率較高為8k時(shí),出現(xiàn)了相位降低到0,增益仍為10以上的情況,這樣在該頻點(diǎn)很容易就有振蕩現(xiàn)象,稱為條件穩(wěn)定。 這種問題出現(xiàn)的原因是K因子法在放置零極點(diǎn)時(shí)只考慮交叉頻率的實(shí)現(xiàn),而并未考慮零點(diǎn)位置與LC極點(diǎn)位置大致重疊這一要求,所以就會(huì)出現(xiàn)無法抵消LC極點(diǎn)引起相移的問題。 所以K因子法好雖好,若要妥善設(shè)計(jì),還是應(yīng)該采取一般的零極點(diǎn)放置法進(jìn)行配置。
這種一般的方法,精確放置了每一個(gè)零極點(diǎn),可以制作專用的計(jì)算表格。 書中提供了一種利用仿真軟件進(jìn)行參數(shù)計(jì)算的圖紙,似乎只能用Ispice,Pspice尚不知可否。
用放置零極點(diǎn)的方法,就不會(huì)出現(xiàn)條件穩(wěn)定性的問題了,圖如下,相位裕度為36°。 這種方法的缺陷也正是K因子法的優(yōu)點(diǎn),即交叉頻率無法精確定位; 另外,書中的理論和實(shí)驗(yàn)也表明,K因子法放置的零點(diǎn)頻率較高,瞬態(tài)響應(yīng)也會(huì)快于放置零極點(diǎn)的方法。 所以各存利弊。
電流模式補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)
以上討論的內(nèi)容均針對(duì)二階的電壓模式Buck電路。 對(duì)于電流模式控制來說,變換器的模型在低頻呈現(xiàn)為一階系統(tǒng)。
回顧一下電流模式控制的相關(guān)設(shè)置。 為避免次諧波振蕩,需要加入斜坡補(bǔ)償,在輸入電壓為10V時(shí),電路中電感電流的上升和下降斜率一樣都為66mA/μs,補(bǔ)償斜率可以為其一半。 若采集電阻阻值為0.4Ω,則補(bǔ)償斜坡電壓為13.3kV/s。
同樣運(yùn)用K因子法,選擇交叉頻率為10kHz,相位裕度為80°。 先觀察開環(huán)曲線。
得到10kHz處相位為-52°,增益為0.25=>-12dB。 因?yàn)橄辔粶笤?0°以內(nèi),可以用零極點(diǎn)對(duì)的補(bǔ)償器(2型)。
計(jì)算式如下
得到補(bǔ)償后的特性曲線如圖。 交叉頻率為9.1kHz,相位裕度74°。 值得注意的是在輸入電壓分別為10V和20V時(shí),兩條曲線幾乎重合,這是因?yàn)殡娏髂J娇刂葡?,理論上?a target="_blank">音頻敏感度就是0,即輸入電壓的變化不會(huì)對(duì)系統(tǒng)造成影響。 略去了負(fù)載階躍測試,因?yàn)榭芍离娏髂J娇刂葡孪到y(tǒng)在低頻變?yōu)橐浑A系統(tǒng),自然在階躍作用下是不會(huì)產(chǎn)生振蕩的,但峰值電壓由輸出電容決定,對(duì)電壓模式和電流模式都是一樣的。
此例可以看出K因子法對(duì)電流模式的設(shè)計(jì)還是很有優(yōu)勢的,因?yàn)橐浑A系統(tǒng)的特點(diǎn),系統(tǒng)本身的相移就不大,所以不會(huì)出現(xiàn)條件穩(wěn)定性的問題。
實(shí)際設(shè)計(jì)之TL431反饋
實(shí)際工業(yè)應(yīng)用中已經(jīng)很少用運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)補(bǔ)償電路,而是將其與基準(zhǔn)源合二為一,利用TL431內(nèi)部的集成誤差放大器就可以設(shè)計(jì)出高性能的補(bǔ)償電路。 TL431的參考電壓為2.5V,TLV431為1.24V,且電流更小。
在一般的反饋環(huán)路中,連接光耦LED的支路為快支路,分壓網(wǎng)絡(luò)為慢支路,如圖所示。 對(duì)于小信號(hào)的研究,由于TL431的動(dòng)態(tài)電阻與Rled比起來小得多,忽略后由KVL得
VFB為最終反饋回到芯片FB引腳的電壓。
就得到了快通道的傳遞增益,在高頻區(qū)難以降低,使放置零點(diǎn)成為一個(gè)問題。
整個(gè)反饋可以看作快慢通道的疊加,與慢通道疊加后,推導(dǎo)反饋環(huán)路的傳遞函數(shù)
即
表明了系統(tǒng)中存在原點(diǎn)處極點(diǎn)和一個(gè)零點(diǎn)。
必須要明白的一點(diǎn)是,這個(gè)電路是實(shí)現(xiàn)前面所述補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的方法。 對(duì)比零極點(diǎn)對(duì)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),還缺少一個(gè)非原點(diǎn)處的極點(diǎn),可以直接在光耦的輸出與地之間接入電容。 得到的零極點(diǎn)位置分別為
注意到第一條式子的關(guān)系,所以曲線的斜率剛好在0dB處發(fā)生轉(zhuǎn)折,結(jié)果就是中頻增益G與零極點(diǎn)位置無關(guān)。
下面用TL431實(shí)際設(shè)計(jì)補(bǔ)償器。
K因子+431
用k因子法直接把零極點(diǎn)放置在
構(gòu)造零極點(diǎn)對(duì)的補(bǔ)償器做法較為簡單,基本上與前述的一般方法一致,直接代入計(jì)算即可,得到的響應(yīng)與前面用運(yùn)放搭建的結(jié)果是一致的。
如果搭建雙零極點(diǎn)對(duì)補(bǔ)償器,則需要考慮快通道的影響,即高頻區(qū)存在的增益,它使得直接在上位反饋電阻并聯(lián)零點(diǎn)的做法沒有作用。 因此需要在快通道的LED電阻直接并聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò),并聯(lián)后,原本LED電阻的位置上阻抗變?yōu)?/p>
完整的傳函變成
可得到兩對(duì)零極點(diǎn)的位置。 如果零點(diǎn)和極點(diǎn)的位置都重合,可以求出
G為期望的交叉頻率處增益。 之后就可以根據(jù)零極點(diǎn)位置求出RPZ和CPZ的值。
一般不會(huì)用TL431搭建這種補(bǔ)償器,因?yàn)長ED電阻對(duì)零極點(diǎn)位置存在影響,還是用運(yùn)放搭建較好。
TL431偏置電流
431需要一個(gè)從陰極流入的電流滿足要求,必須大于1mA,否則其開環(huán)增益會(huì)大大減小,使穩(wěn)壓效果變差。 一般不能依靠LED電阻提供的電流,因?yàn)楣怦畹腃TR會(huì)使期望的電流衰減,最后不能達(dá)到1mA的要求,所以應(yīng)該另外增加偏置電阻,通過輸出電壓直接拉一個(gè)電阻到TL431陰極,或者在LED兩端并聯(lián)一個(gè)電阻都是可行的。
在僅僅靠LED電流提供偏置時(shí),要考慮最大的光耦傳輸比。 先計(jì)算光耦輸出端需要的電流值為
其中Vdd為控制器的邏輯電平,3V是假定反饋引腳的電壓上限值。 則LED的電流最小可能是
假設(shè)Vdd=5V,上拉電阻10k,CTR最大為100%,此時(shí)電流200μA,不滿足要求。 所以要加入偏置,由最小電流要求得到偏置電阻的取值
其中Vf為LED的壓降,典型值為1V。 若要求偏置電流2mA,LED電阻2.2k,Vdd=4.8V,CTR取典型值為30%,得到偏置電阻為830Ω。
此外還有一個(gè)地方的偏置電流需要注意,即從電阻分壓過來的電流,進(jìn)入TL431的參考節(jié)點(diǎn)。 進(jìn)入該節(jié)點(diǎn)的電流數(shù)據(jù)表給出為2~4μA,據(jù)此可以計(jì)算低端電阻值
不過如果選擇高端電阻的電流遠(yuǎn)大于μA級(jí)別,比如為1mA,就可以忽略這個(gè)電流值了。 對(duì)于低功耗應(yīng)用來說,還是應(yīng)當(dāng)設(shè)定為更低的電流值,這時(shí)需要考慮這個(gè)電流的限制。
關(guān)于光耦
光耦的輸出端中,集電極和基極之間存在較大的電容,會(huì)影響可用帶寬,此帶寬由電容和上拉電阻共同決定。 從數(shù)據(jù)表中給出的下降時(shí)間和測試電阻值可以計(jì)算出結(jié)電容值
一般為nF級(jí)別。 因此對(duì)要求較大帶寬的電源,光耦會(huì)造成較大的影響,或者使用阻值很小的上拉電阻。
另外,光耦還存在著一個(gè)高頻的極點(diǎn)。
跨導(dǎo)放大器
輸出電流為兩個(gè)輸入電壓差的倍數(shù)。 特別之處在于跨導(dǎo)放大器不存在局部反饋,相當(dāng)于開環(huán)運(yùn)行,輸入端也沒有虛地的情況,而且分壓電阻的下位電阻在環(huán)路中起作用。 常在PFC中應(yīng)用。
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