2.PFCMOS管Vds檢測
通過調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個高頻周期過零,以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷,消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過零后,PFC電感與MOSFET寄生電容諧振,使Vds過零以實(shí)現(xiàn)零電壓開通,不過零則谷底開通,降低開關(guān)損耗。
3. 不檢測,DSP直接計算
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
二極管
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
9530瀏覽量
165549 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
108文章
2377瀏覽量
66402 -
PFC
+關(guān)注
關(guān)注
47文章
949瀏覽量
105771 -
VDS
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
45瀏覽量
10705 -
電感電流
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
88瀏覽量
11062
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
反激開關(guān)電源MOS管開啟VDS電壓
如圖是一款反擊開關(guān)電源MOS管在Vin=264V時波形,黃色是Vgs電壓;藍(lán)色是Vds電壓,粉紅色是Ig電流?,F(xiàn)不知為何在MOS管開啟的時
發(fā)表于 08-04 18:01
MOS管電路邏輯及MOS管參數(shù)
間的穿通擊穿 有些MOS管中,其溝道長度較短,不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū),使溝道長度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通,穿通后源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達(dá)漏區(qū),產(chǎn)生
發(fā)表于 11-20 14:06
MOS管電路邏輯及MOS管參數(shù)
(增強(qiáng)型)的條件下,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ID劇增的原因有下列兩個方面: ?。?)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿 ?。?)漏源極間的穿通擊穿 有些MOS管中,其
發(fā)表于 11-20 14:10
cosmos里面mos管怎么只有分別d和s極的電壓,怎么顯示Vds呢?
我是在原理圖那塊用probe測量mos管兩端電壓,但是這樣的話怎么讓Vds和Vgs放在一張圖里呢?請教各位大神,謝謝
發(fā)表于 07-31 14:26
MOS管參數(shù)詳解及驅(qū)動電阻選擇
MOS管參數(shù)詳解及驅(qū)動電阻選擇,很好的資料學(xué)習(xí)??靵硐螺d學(xué)習(xí)吧
發(fā)表于 01-13 14:47
?0次下載
MOS管模型分類 NMOS的模型圖詳解
MOS管常需要偏置在弱反型區(qū)和中反型區(qū),就是未來在相同的偏置電流下獲得更高的增益。目前流行的MOS管模型大致可分為兩類,本文將詳解
發(fā)表于 02-23 08:44
?5.6w次閱讀
pfc電路中用mos管需要注意哪些事項(xiàng)?
本文首先介紹了PFC電路的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,其次介紹了MOS管的結(jié)構(gòu)與工作原理,最后介紹了MOS驅(qū)動電路設(shè)計以及在pfc電路中注意的事項(xiàng)。
如何對MOS管進(jìn)行檢測
的技術(shù)不成熟導(dǎo)致MOS管市場良莠不齊。那么如何對MOS管進(jìn)行檢測呢?華碧實(shí)驗(yàn)室為大家分享檢測
發(fā)表于 05-20 10:28
?9862次閱讀
防燒電路中的MOS管控制
目前客戶用的防燒電路中的MOS管一個主要規(guī)格要求Vth低,當(dāng)前使用的防燒MOS管Vth (Vgs=Vds,Id=250uA)小于1V。
發(fā)表于 10-02 14:38
?1008次閱讀
什么是MOS管的線性區(qū)
MOS管的線性區(qū)是指MOS管在特定工作條件下,其導(dǎo)電性能隨輸入電壓(通常是柵源電壓Vgs)和輸出電壓(漏源電壓Vds)的變化而保持近似線性的
評論