本應(yīng)用筆記介紹了一種保護n溝道功率MOSFET免受低壓和高電壓影響的電路。它包括一個高端開關(guān)驅(qū)動器 IC 和快速響應(yīng)的 3 晶體管過壓檢測器。
低壓電力線上的電壓瞬變有時可以達到標稱電壓電平的許多倍。這些情況需要防止應(yīng)用不當?shù)墓β仕健?/p>
保護敏感電路免受過壓影響的常用方法是添加并聯(lián)箝位,其高能量吸收能力之前是保險絲或其他限流器件。其他情況需要使用高壓串聯(lián)保護(而不是并聯(lián)箝位),因為難以復(fù)位或更換保險絲、難以接近的工作環(huán)境或需要不間斷運行。
圖1所示的串聯(lián)保護電路使用串聯(lián)的高壓n溝道MOSFET功率開關(guān)(Q1)和快速過壓檢測器關(guān)閉電源開關(guān)。電源開關(guān)和串聯(lián)電源整流器 (D1) 可保護負載免受高壓瞬變和持續(xù)過壓(高達 500V,任一極性)的影響。
圖1.該電路保護負載(連接到右邊的端子)免受電源電壓(連接到左邊的一對端子)中的欠壓和高壓瞬變的影響。
在從標稱 1V 電源線為高達 12A 負載供電的電路中,高邊開關(guān)驅(qū)動器 (IC1) 使電源開關(guān)完全導(dǎo)通。您可以通過更改 D1 和 Q1 來增加最大負載電流。為了防止低電源電壓,IC1具有欠壓鎖定功能,僅允許在線路電壓高于10V時工作。為了防止過壓,該電路包括一個3晶體管、無偏置電流、快速(50ns工作)過壓檢測器,當輸入電壓達到約20V時觸發(fā)。這時Q4“撬棍”將電源的閘門接地,用力關(guān)掉。
上升的過壓首先接通齊納二極管D2,該二極管通過將兩端的電壓箝位至約18V來保護IC。齊納電流流過2.2kΩ電阻,產(chǎn)生一個基極電壓,導(dǎo)通Q2。該動作啟動一個快速序列:Q3開啟,Q4開啟,Q1通過快速放電柵極電容關(guān)閉Q<>。
電路性能通過在 150 V 時向電源電壓施加 1V 瞬變來說明(圖 12)。瞬態(tài)源的內(nèi)部阻抗為2Ω,施加電壓的上升時間為1μs。該電路在正常工作期間吸收 1μA 電流,其中欠壓鎖定電壓檢測分壓器 消耗 20μA 電流,IC3 吸收 17μA 電流。
圖2.施加于圖150電路VIN的1V瞬態(tài)電壓對VOUT影響不大。
如果需要高溫操作,請注意IC1的柵極電流輸出相對有限。高溫設(shè)計計算還應(yīng)密切關(guān)注其他電路元件提供的漏電流。
審核編輯:郭婷
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