封裝互連是指將芯片I/0端口通過(guò)金屬引線,金屬凸點(diǎn)等與封裝載體相互連接,實(shí)現(xiàn)芯片的功能引出。封裝互連主要包括引線鍵合(Wire Bonding, WB)載帶自動(dòng)鍵合(Tape Automated Bonding,TAB)和倒裝焊 (Flip Chip Bonding)。
1.引線鍵合 ( WB)引線鍵合技術(shù)包括超聲熱壓球焊技術(shù)和超聲楔北焊接找術(shù)兩種。超產(chǎn)熱壓球焊技術(shù)是指使用金屬焊線,在外殼、基板或引線框架端加熱的東件下,通過(guò)設(shè)備牌頭施加的壓力及超聲波,利用陶監(jiān)騭刀使金屬焊線與志片電板、金屬焊線與外殼、基板或引線框架端子連接,以達(dá)到功能的輸人與輸出的一種封裝技術(shù)。
超聲楔形焊接技術(shù)是指使用金屬焊線(通常是鋁線或鋁帶等),通過(guò)設(shè)備懼頭施加的壓力及超聲波,利用金屬楔形劈刀使金屬焊線與芯片電極、金屬焊線與外殼、基板或引線框梁端子連接,以達(dá)到功能的輸人與輸出的一種封裝技術(shù)。
金屬焊線包括純金線、鍍鈀銅線、銀合金線、純銅線、鋁線、鋁帶等。
金屬焊線的選擇取決于產(chǎn)品需要焊線承載的電流大小、成本的高低,以及芯片電極區(qū)鋁層的厚度、耐蝕性等因素
下圖所示為超聲熱壓球焊引線鍵合產(chǎn)品局部圖。
2. 載帶自動(dòng)鍵合 (TAB)?
載帶自動(dòng)鍵合技術(shù)是指利用超聲熱壓焊接機(jī),將芯片上的凸點(diǎn)與載帶上的焊點(diǎn)焊接在一起,再對(duì)焊接后的芯片進(jìn)行密封保護(hù)的一種封裝技術(shù),如下圖所示。
TAB 的關(guān)鍵工藝包括芯片凸點(diǎn)制作、載帶制作,以及內(nèi)引線、外引線的悍接和包封。
對(duì)載帶材料的要求 是高溫性能好、熱匹配性好、收縮率小、機(jī)械強(qiáng)度高;典型的芯片表面凸點(diǎn)材料為金或金合金。
載帶自動(dòng)鍵合的優(yōu)點(diǎn)是,結(jié)構(gòu)輕、薄、短、??;密度高;具有更好的電性能;鍵合點(diǎn)抗鍵合拉力比引線鍵合的高。
3.倒裝焊
倒裝焊按技術(shù)是指在芯片的電極上預(yù)制凸點(diǎn)(Bump),再將凸點(diǎn)與基板或引線框架對(duì)應(yīng)的電極區(qū)相連,以達(dá)到功能的輸人與輸出的一種封裝技術(shù)。
芯片表面凸點(diǎn)種類包括銅柱 (Cu Prillar)、焊錫球(solder Ball)、金凸點(diǎn)(Au Bump) 等。焊接方式包括回流焊接和熱壓焊接 (Thermal Compression Bond,TCB)兩種方式。
銅柱和焊錫球的焊接方法是,將芯片翻轉(zhuǎn)向下,在銅柱、焊錫球表面蘸取水洗型或免洗型助焊劑,通過(guò)回流焊接方式將芯片與基板或引線框架固定;金凸點(diǎn)的焊接方法是,在基板上涂覆 NCP 材料,或者將 NCF材料涂敷在凸點(diǎn)圓片表面,再將芯片翻轉(zhuǎn)向下,通過(guò)熱壓方式將芯片 與基板固定。
倒裝焊的填充方式包括環(huán)氧樹(shù)脂塑封底部填充 ( Molding Under Fill, MUF)、毛細(xì)管底部填充(Capillary Under Fill, CUF)、不導(dǎo)電焊膏 (Non ConductivePaste, NCP)填充、不導(dǎo)電薄膜 (Non Conductive Film, NCF)填充等。
下圖所示為倒裝焊接產(chǎn)品局部圖。
目前,引線鍵合技術(shù)因其成本相對(duì)低廉,仍是主流的封裝互連技術(shù),但它不適合對(duì)高密度、高頻有要求的產(chǎn)品。倒裝焊接技術(shù)適合對(duì)高密度、高頻及大電流有要求的產(chǎn)品,如電源管理、智能終端的處理器等。TAB 封裝技術(shù)主要應(yīng)用于大規(guī)模、多引線的集成電路的封裝。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:封裝互連,封裝互連,Packaging Interconnection
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