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派恩杰半導(dǎo)體上榜2023中國(guó)IC設(shè)計(jì)TOP 10功率器件公司

派恩杰半導(dǎo)體 ? 來(lái)源: 派恩杰半導(dǎo)體 ? 2023-04-03 15:37 ? 次閱讀

日前,AspenCore在上海發(fā)布了2023 中國(guó)IC設(shè)計(jì) Fabless100 排行榜。

該榜單由AspenCore分析師團(tuán)隊(duì)根據(jù)量化數(shù)學(xué)模型、企業(yè)公開(kāi)信息廠商調(diào)查問(wèn)卷,以及一手訪談資料,精心篩選出中國(guó)IC設(shè)計(jì)行業(yè)100家綜合實(shí)力和增長(zhǎng)潛力最強(qiáng)的公司,主要面向中國(guó)大陸本土的IC設(shè)計(jì)企業(yè),不包括晶圓代工、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體設(shè)備及材料廠商,也不包括中國(guó)香港和臺(tái)灣的IC設(shè)計(jì)公司。這100家公司分為10大類別,每個(gè)類別評(píng)選出Top 10。

派恩杰半導(dǎo)體入選了中國(guó)IC設(shè)計(jì)Fabless 100排行榜之Top 10功率器件公司。

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# 入選理由 #

在功率器件企業(yè)TOP10榜單中,派恩杰是最年輕,并且是唯一專注于碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的公司,可以為客戶提供一站式碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片解決方案,由評(píng)選團(tuán)隊(duì)為派恩杰半導(dǎo)體寫(xiě)的入選理由為:

派恩杰半導(dǎo)體在2022年成功出貨SiC MOSFET 3.6kk, 無(wú)一例失效,為功率芯片的國(guó)產(chǎn)替代爭(zhēng)得榮譽(yù)。中國(guó)首家量產(chǎn)出貨車規(guī)級(jí)6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品及工藝平臺(tái)的公司,主要提供以SiC功率器件、SiC驅(qū)動(dòng)芯片、SiC模塊為核心的功率轉(zhuǎn)換解決方案,適用于風(fēng)能逆變、光伏逆變、工業(yè)電源新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁等領(lǐng)域。

Fabless 100 排行榜評(píng)選標(biāo)準(zhǔn)

●公司總部位于中國(guó)大陸和香港/澳門境內(nèi),但不包括臺(tái)灣企業(yè)

●優(yōu)先選擇已經(jīng)上市或上市申請(qǐng)中的企業(yè):上市公司或已經(jīng)公開(kāi)提交招股說(shuō)明書(shū)的公司會(huì)按照綜合實(shí)力和增長(zhǎng)潛力排名指數(shù)評(píng)比

●獲得國(guó)家大基金/行業(yè)巨頭戰(zhàn)略投資,或知名VC投資

●自主研發(fā)設(shè)計(jì)的芯片產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn),并進(jìn)入主流OEM廠商供應(yīng)鏈

●擁有多項(xiàng)發(fā)明技術(shù)專利,并具有較強(qiáng)的芯片研發(fā)和應(yīng)用設(shè)計(jì)能力

●在所專注市場(chǎng)領(lǐng)域處于行業(yè)領(lǐng)先地位

派恩杰

有話說(shuō)

一些小小的心得體會(huì)

關(guān)于此次上榜TOP 100

十分感謝主辦方AspenCore和市場(chǎng)的認(rèn)可。

2022年,派恩杰在市場(chǎng)極端缺貨的情況下出貨3.6kk SiC MOSFET芯片,并無(wú)一例失效,證明了派恩杰在行業(yè)里的綜合實(shí)力。

我們提供優(yōu)質(zhì)、可靠的碳化硅功率器件產(chǎn)品,在為各位合作伙伴帶來(lái)真正價(jià)值的同時(shí),希望也能夠一起推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。

在未來(lái)的發(fā)展中,我們將繼續(xù)在技術(shù)創(chuàng)新、質(zhì)量管理和客戶服務(wù)等方面進(jìn)步和完善,努力為合作伙伴和社會(huì)創(chuàng)造更多的價(jià)值。

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術(shù)總監(jiān)

美國(guó)北卡州立大學(xué)博士,師承Dr. B. Jayant Baliga(IEEE終身會(huì)員,美國(guó)科學(xué)院院士,IGBT發(fā)明者,奧巴馬授予國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)拢┡cDr. Alex Q. Huang(IEEE Fellow, 發(fā)射極關(guān)斷晶閘管(ETO)的發(fā)明者)。10余年碳化硅與氮化鎵功率器件經(jīng)驗(yàn),在世界頂尖碳化硅實(shí)驗(yàn)室參與美國(guó)自然科學(xué)基金委FREEDM項(xiàng)目、美國(guó)能源部Power America項(xiàng)目,曾任職于Qorvo Inc.、聯(lián)合碳化硅。2018年成立派恩杰半導(dǎo)體,立志于幫助中國(guó)建立成熟的功率器件產(chǎn)業(yè)鏈。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商,國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一,參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件,其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1,其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:捷報(bào)!派恩杰上榜2023 中國(guó)IC設(shè)計(jì)TOP 10 功率器件公司

文章出處:【微信號(hào):派恩杰半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):派恩杰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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