肖特基二極管的反向恢復(fù)過程

肖特基二極管以發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名。

SBD(Schottky Barrier Diode)是肖特基勢(shì)壘二極管的縮寫。

不同于一般二極管的P半導(dǎo)體和N半導(dǎo)體接觸形成，肖特基二極管是利用金屬和半導(dǎo)體接觸形成。

肖特基的兩個(gè)主要特點(diǎn)，一個(gè)是正向?qū)▔航当容^低，一般在0.15~0.5V之間，導(dǎo)通壓降低可以提高系統(tǒng)的效率。

另一個(gè)特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間短，一般在幾個(gè)納秒。

所以肖特基二極管一般用作高頻、大電流整流、低壓、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管等。

二極管從正向?qū)ǖ椒聪蚪刂褂幸粋€(gè)反向恢復(fù)的過程，而不是立即由導(dǎo)通到截止。

對(duì)上述的肖特基二極管上加電壓。

在0-t1時(shí)間內(nèi)，給二極管加正的VF電壓，二極管導(dǎo)通，流過二極管的電流IF=(VF-VD)/RL，VD是二極管的導(dǎo)通壓降。

在t1后，將V1由VF改為-VR，理想條件下，二極管會(huì)立刻截止，反向電流IR很小。

但實(shí)際情況是，二極管并不是立刻截止，而是由正向IF變?yōu)橐粋€(gè)很大的反向電流IR=VR/RL，維持Ts時(shí)間后，IR再慢慢降低到一個(gè)很小的值，差不多是0.1倍IR，時(shí)間為Tt，這時(shí)的二極管才進(jìn)入反向截止?fàn)顟B(tài)。

通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)過程。

其中Ts稱為存儲(chǔ)時(shí)間，Tt稱為渡越時(shí)間，Ts+Tt稱為反向恢復(fù)時(shí)間。

由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在，使二極管的開關(guān)速度受到限制。

審核編輯：湯梓紅