常用電子元器件的識(shí)別

在開始這篇文章前，我們先了解一下什么是電子元器件。 電子元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無(wú)線電、儀表等工業(yè)的某些零件，如電容、晶體管、游絲、發(fā)條等子器件的總稱，常見的有二極管等。 通俗點(diǎn)來說，用于制造或組裝電子整機(jī)用的基本零件可以被稱為元器件，元器件是電子電路中的獨(dú)立個(gè)體。

常用電子元器件的識(shí)別

一、電阻

電阻器我們習(xí)慣稱之為電阻，是電子設(shè)備中最常應(yīng)用的電子元件之一，電阻在電路中用“r”加數(shù)字表示，如：r13表示編號(hào)為13的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置、濾波（與電容器組合使用）和阻抗匹配等。

參數(shù)識(shí)別：電阻的單位為歐姆（Ω），倍率單位有：千歐（kΩ），兆歐（MΩ）等。換算方法是：1兆歐（mΩ）=1000千歐（kΩ）=1000000歐 電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種，即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。 1.數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路，如：472 表示 47×100Ω=即4.7k；103 表示10000Ω（10后面加三個(gè)0）也就是10kΩ 2.色環(huán)標(biāo)注法使用最多，第一道色環(huán)表示阻值的最大一位數(shù)字，第二道色環(huán)表示第二位數(shù)字，第三道色環(huán)表示阻值未應(yīng)該有幾個(gè)零，第四道色環(huán)表示阻值的誤差。

電阻的色標(biāo)位置和倍率關(guān)系如下表所示：

二、電容

電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容在電路中一般用“c”加數(shù)字表示，如c223表示編號(hào)為223的電容電容的特性主要是隔直流通交流。

電容器的主要參數(shù)也有兩個(gè)，標(biāo)稱電容量和允許誤差。

1、標(biāo)稱電容量，指電容器上標(biāo)注的電容量，電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號(hào)的頻率和電容量有關(guān)。

容抗xc=1/2πf c

(f表示交流信號(hào)的頻率，c表示電容容量)

識(shí)別方法：電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，也分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法三種。電容的基本單位用法拉（f）表示，其它單位還有：毫法（mf）、微法（uf）、納法（nf）、皮法（pf）。其中，1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9納法=10^12皮法

直標(biāo)法：容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如2200 uf/10v

字母表示法：152m=1500pf

數(shù)字表示法：一般用三位數(shù)字表示容量大小，前兩位表示有效數(shù)字，第三位數(shù)字是倍率。如：10^2表示10×10^2pf=1000pf

2、允許誤差分三級(jí)，同于電阻器誤差的表示方法。微調(diào)電容器和可變電容器標(biāo)出了它的電容量的最小值和最大值，如7／270p

三、電感

電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很??；當(dāng)交流信號(hào)通過線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。

電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，如：L3表示編號(hào)為3的電感。

電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法，色標(biāo)法與電阻類似。電感的基本單位為：亨（h） 換算單位有：1h=10^3mh=10^6uh。

四、二極管

二極管又稱晶體二極管,簡(jiǎn)稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉(zhuǎn)導(dǎo)性。一般來講，晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。

五、三極管 三極管， 也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。 三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。

六、MOSFET管 mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。 場(chǎng)效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

編輯：黃飛