本文是“SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板布局注意事項(xiàng)。
橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號(hào),由于工作時(shí)MOSFET之間的動(dòng)作相互關(guān)聯(lián),因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵-源電壓中會(huì)產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外,電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況,參考本系列文章中介紹的抑制方法,采取適合的措施。
最后,作為總結(jié),在下面匯總了每篇相關(guān)文章的鏈接和關(guān)鍵重點(diǎn)。
1
什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)
?近年來,SiC MOSFET被越來越多地用于電源和電力線路中的開關(guān)應(yīng)用,其工作速度非常快,快到已經(jīng)無法忽略由于其自身封裝電感和外圍電路布線電感帶來的影響。
?因此,特別是可能會(huì)在柵極-源極間電壓中產(chǎn)生意外的浪涌,需要對(duì)此采取對(duì)策。
2
浪涌抑制電路
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)
?在開關(guān)側(cè)和非開關(guān)側(cè)均會(huì)出現(xiàn)柵極-源極電壓(VGS)的正浪涌,但是尤其會(huì)造成問題的是SiC功率元器件LS導(dǎo)通時(shí)在非開關(guān)側(cè)(HS)出現(xiàn)的正浪涌。
?由于應(yīng)用SiC功率元器件時(shí),基本都需要包括其他浪涌在內(nèi)的浪涌抑制對(duì)策,因此需要增加浪涌抑制電路。
3
正電壓浪涌對(duì)策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)
?通過采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。
?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
?如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有控制功能,則很難通過米勒鉗位進(jìn)行抑制。
?作為米勒鉗位的替代方案,可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。
4
負(fù)電壓浪涌對(duì)策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)
?通過采取措施防止柵極-源極間電壓的負(fù)電壓浪涌,來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。
?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
?如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有控制功能,則很難通過米勒鉗位進(jìn)行抑制。
?作為米勒鉗位的代替方案,通過結(jié)合使用鉗位肖特基勢壘二極管和誤導(dǎo)通抑制電容器,與正浪涌之間取得平衡,從而達(dá)到優(yōu)化的目的。
5
浪涌抑制電路的電路板布局注意事項(xiàng)
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)
?浪涌抑制電路的電路板布局要考慮大電流高速開關(guān)的情況。
?盡量將寄生電容、電感、電阻控制得更低。
?盡量減少回流線環(huán)路,以便有效地控制EMI(電磁干擾)。
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羅姆
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原文標(biāo)題:R課堂 | SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-總結(jié)
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