0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

信號完整性之電感的知識(二)

CHANBAEK ? 來源:從狒狒進化到硬件工程師 ? 作者: 李曉晶 ? 2023-04-14 15:18 ? 次閱讀

6 回路電感

現(xiàn)實設(shè)計中,電流是在一個完整的回路中流動,此完整電流回路的總電感稱為回路電感,又稱為回路自感。即當回路中流過1安培電流時,從信號源出發(fā),沿著導線行走時,整個回路中所有電流產(chǎn)生的磁力線總匝數(shù)。

pYYBAGQ4_SSAXHAMAAAlgIBOOSY336.png

以支路a和支路b組成的回路為例,整個回路的自感

Lloop=La-Lab+Lb-Lab=La+Lb-2Lab

Lloop是整個回路的回路自感。Lab是支路a和支路b之間的局部互感。La和Lb是各自支路的自感。此公式說明,當兩支路靠近時,各自的支路自感不變,兩支路之間的互感增大,導致回路自感減小。

很多時候,我們在做PCB設(shè)計時,都要求回路面積盡量小,其實這只是一個籠統(tǒng)的說法。更關(guān)鍵的在于回路中兩支路的距離是否近。如下圖是2個面積一樣,但是回路電感不同的設(shè)計。當此回路中兩個支路電流方向相反時,回路二的互感更大,整個回路電感更小。

poYBAGQ4_SuARPENAAB8sDW9Oq8639.png

下面有三種特殊結(jié)構(gòu)的回路電感。

第一種:環(huán)形線圈回路的回路電感公式

pYYBAGQ4_TGAevIyAAA5_i-uaj8180.png

R是線圈半徑,單位是in;D是構(gòu)成線圈的導線直徑,單位是in。Lloop的單位是nH。從以上公式可以看出,此種回路的電感不是與圓環(huán)的面積或者周長成正比。而是與圓環(huán)的半徑乘以半徑的對數(shù)成正比。因為圓環(huán)周長越長,每一段的局部自感就越大。但同時,回路中相反方向的電流距離越遠,相互之間的互感越小。

第二種:兩根相鄰的直圓桿,其中一條為另一條的返回電流路徑。它們的回路電感公式

poYBAGQ4_TqAcZRHAAA6WFWtKi0030.png

Len是圓桿長度,單位是in;R是圓桿半徑,單位是mi;S是兩圓桿之間的間距,單位是mil,Lloop的單位是nH。此公式說明兩根平行導線的回路電感和導線的長度成正比,與中心距離的自然對數(shù)成正比。注:自然對數(shù)變換相對緩慢。此種情況和兩條扁平PCB走向有點像。

第三種:兩個寬平面。在下一篇文章中有說明。

注意:任何阻抗可以控制的互連線,它的單位長度回路電感都是恒定的。

7 電源分布系統(tǒng)(PDS)和它的回路電感

7.1電源分布系統(tǒng)

電源分布系統(tǒng)就是電源和負載、以及它們之間的電源路徑和地路徑。此系統(tǒng)也會影響到信號完整性。在PDS中,從電源到負載,中間有很多的互連線,還有過孔、電源平面或者地平面、封裝引線、鍵合線等。當進入芯片的電流發(fā)生變化時(例如LPDDR4的數(shù)據(jù)在快速的變化,即邏輯門在快速的開和關(guān)),電源和負載之間PDS的這些互連線等因素的阻抗就會引起電壓降,稱為軌道下降或者軌道塌陷。要使電流變化引起的電壓降最小,PDS的阻抗就要小于一定的值。這樣即使電流還在變化,引起的電壓降也還在負載可以接受的范圍之內(nèi)。

7.2降低PDS阻抗的辦法

方法一:使用電源平面和地平面?zhèn)鬏旊娏?。電源平面和地平面比電源走線和地走線更好的原因,就在于電源平面和地平面的回路電感非常低,造成的電壓降更小。

方法二:在低頻段,使用低阻抗的去耦電容。高頻段,使去耦電阻和負載焊盤間的回路電感最小,以保持它們之間的阻抗低于一定值。

那么使用多大的去耦電容合適呢?原則是依據(jù)在時間段△t內(nèi),去耦電容必須提供的電荷量來大致估算。因為在△t時間內(nèi),會有△Q的電荷從電容上向芯片釋放,這個動作會導致電容上電壓下降△V。即

pYYBAGQ4_UeAMGckAAAV5fC1yvg358.png

而在此時間段內(nèi),芯片需要的電流由芯片自身決定,例如對SOC而言,就要看那個時間段,它處于什么狀態(tài),運行功耗是多少?運行功耗又和它的供電電壓,以及需要消耗的平均電流有關(guān)。假設(shè)它需要的電流是I、功耗是P、供電電壓是V,則

poYBAGQ4_VCANgs4AAAtC9RjDF8014.png

通常大多數(shù)芯片要求電壓紋波不超過正常值的5%,因此

pYYBAGQ4_VeAGmgFAABEFovb1JI789.png

△t的單位是秒,C的單位是法拉,V的單位是伏,P的單位是瓦特。

例如一個小的Nor flash,工作電壓是3.3V,假設(shè)其功耗是1W,則需要的總?cè)ヱ铍娙萘渴?/p>

poYBAGQ4_WCAfjiUAAA5OI6lEN0611.png

如果給Nor flash供電的LDO沒辦法在10us之內(nèi)對Nor flash的耗電做出足夠的反應(yīng),則需要在LDO和Nor flash之間提供20uF的去耦電容。如果去耦電容量小于這個值,Nor flash的供電電壓紋波會大于5%。

7.3去耦電容帶來的回路電感

針對上面提到的例子,不建議使用單個20uF的去耦電容。應(yīng)該將多個電容器并聯(lián)使用。目的是多個電容并聯(lián)使用,可以降低回路電感。因為實際電容器管腳和Nor flash的電源pin焊盤之間有PCB走線,這段走線會有相應(yīng)的回路電感。此回路電感和電容串聯(lián),導致電容的阻抗隨著頻率的上升而增大。

下圖是一顆電容的阻抗曲線。在2MHz以下,它就像理想電容一樣,阻抗隨著頻率增大而減小。從2MHz開始,串聯(lián)的回路電感開始起主導作用。把2MHz稱為自諧振頻率,從此點開始,阻抗增大。注:當越過自諧振頻率點之后,電容的阻抗和電容量沒有關(guān)系了,只與相關(guān)的回路電感有關(guān)。因此要想在頻率較高點,減小去耦電容的阻抗,就要減小去耦電容相關(guān)部分的回路電感(如上面提到的減小去耦電容管腳到負載芯片電源pad之間的距離和回路電感),單純的增加電容量是沒有用的。

poYBAGQ4_WuAQnn4AAYf0uVbvk4964.png

下圖是5個電容量不同但都是0603封裝的電容阻抗測試結(jié)果??梢钥闯鲈诘皖l段時,電容量的容值不同,因此阻抗各有差異。在高頻段,因為封裝結(jié)構(gòu)相同,阻抗也趨于一致。因此高頻段曲線和電容容值沒關(guān)系,和電容的封裝、電容到負載電源pad的走線有關(guān)系。

pYYBAGQ4_XmAAJXUAAqzDrnV9Q0790.png

7.4總結(jié)

總結(jié):減小去耦電容回路電感的幾種方法

①電源和地走線都用平面,這是回路電感最小的一種互連線結(jié)構(gòu)。

②盡量減小電源平面和地平面的間距

③使電源平面層和地平面層,盡量靠近電路板的表層,以縮短過孔距離

④使用封裝小的電容

⑤電容焊盤到過孔距離、電容焊盤到負載管腳的距離盡量短。同時此段走線要遠離PCB的IO端口,降低對外的EMI輻射。

⑥多個電容器并聯(lián)使用

⑦電容焊盤到負載管腳的走線和返回路徑,設(shè)計成回路電感最小的方式

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    184

    文章

    17486

    瀏覽量

    249163
  • pcb
    pcb
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4315

    文章

    22941

    瀏覽量

    395600
  • 信號源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    461

    瀏覽量

    44284
  • 電感
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    6092

    瀏覽量

    102067
  • 信號完整性
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    1391

    瀏覽量

    95349
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    信號完整性基礎(chǔ)知識

    信號完整性基礎(chǔ)知識張士賢編寫
    發(fā)表于 04-11 11:28

    信號完整性為什么寫電源完整性

    先說一下,信號完整性為什么寫電源完整性? SI 只是針對高速信號的部分,這樣的理解沒有問題。如果提高認知,將SI 以大類來看,SI&PI&EMI 三者的關(guān)系:所以,基礎(chǔ)
    發(fā)表于 11-15 06:32

    何為信號完整性?信號完整性包含哪些

    何為信號完整性信號完整性(Signal Integrity,簡稱SI)是指在信號線上的信號質(zhì)量
    發(fā)表于 12-30 08:15

    高速電路信號完整性分析應(yīng)用篇

    高速電路信號完整性分析應(yīng)用篇
    發(fā)表于 05-28 01:00 ?0次下載

    信號完整性原理分析

    信號完整性原理分析 什么是“信號完整性”?在傳統(tǒng)的定義中“完整性(integrity)”指完整
    發(fā)表于 11-04 12:07 ?211次下載

    什么是信號完整性

    什么是信號完整性 信號完整性(Signal Integrity):就是指電路系統(tǒng)中信號
    發(fā)表于 06-30 10:23 ?5297次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>信號</b><b class='flag-5'>完整性</b>

    信號完整性與電源完整性仿真分析

    為了使設(shè)計人員對信號完整性與電源完整性有個全面的了解,文中對信號完整性與電源完整性的問題進行了仿
    發(fā)表于 11-30 11:12 ?0次下載
    <b class='flag-5'>信號</b><b class='flag-5'>完整性</b>與電源<b class='flag-5'>完整性</b>仿真分析

    信號完整性分析

    本專題詳細介紹了信號完整性各部分知識,包括信號完整性的基礎(chǔ)概述,信號
    發(fā)表于 11-30 11:44
    <b class='flag-5'>信號</b><b class='flag-5'>完整性</b>分析

    信號完整性分析

    本書全面論述了信號完整性問題。主要講述了信號完整性和物理設(shè)計概論,帶寬、電感和特性阻抗的實質(zhì)含義,電阻、電容、
    發(fā)表于 11-10 17:36 ?0次下載

    信號完整性分析基礎(chǔ)知識

    信號完整性分析基礎(chǔ)知識——很不錯的學習內(nèi)容
    發(fā)表于 01-06 14:35 ?0次下載

    信號完整性分析基礎(chǔ)知識

    Avago Technologies信號完整性分析基礎(chǔ)知識
    發(fā)表于 06-01 17:48 ?0次下載

    信號完整性系列信號完整性簡介

    本文主要介紹信號完整性是什么,信號完整性包括哪些內(nèi)容,什么時候需要注意信號完整性問題?
    的頭像 發(fā)表于 01-20 14:22 ?1417次閱讀
    <b class='flag-5'>信號</b><b class='flag-5'>完整性</b>系列<b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>信號</b><b class='flag-5'>完整性</b>簡介

    信號完整性系列信號完整性簡介”

    本文主要介紹信號完整性是什么,信號完整性包括哪些內(nèi)容,什么時候需要注意信號完整性問題?
    發(fā)表于 01-23 08:45 ?28次下載
    <b class='flag-5'>信號</b><b class='flag-5'>完整性</b>系列<b class='flag-5'>之</b>“<b class='flag-5'>信號</b><b class='flag-5'>完整性</b>簡介”

    信號完整性與電源完整性的仿真

    信號完整性與電源完整性的仿真(5V40A開關(guān)電源技術(shù)參數(shù))-信號完整性與電源完整性的仿真分析與設(shè)
    發(fā)表于 09-29 12:11 ?91次下載
    <b class='flag-5'>信號</b><b class='flag-5'>完整性</b>與電源<b class='flag-5'>完整性</b>的仿真

    信號完整性基礎(chǔ)--串擾(

    本章我們接著介紹信號完整性基礎(chǔ)第三章節(jié)串擾剩余知識。
    的頭像 發(fā)表于 01-16 09:58 ?2116次閱讀