將ESD靜電保護(hù)二極管并聯(lián)于電路中,當(dāng)電路正常工作時(shí),它處于截止?fàn)顟B(tài)( 高阻態(tài) ),不影響線路正常工作,當(dāng)電路出現(xiàn)異常過壓并達(dá)到其 擊穿 電壓時(shí),它迅速由高阻態(tài)變?yōu)?低阻態(tài) ,給瞬間電流提供低 阻抗 導(dǎo)通路徑,同時(shí)把異常高壓箝制在一個(gè)安全水平之內(nèi),從而保護(hù)被保護(hù)IC或線路;當(dāng)異常過壓消失,其恢復(fù)至高阻態(tài),電路正常工作。
ESD測(cè)試時(shí)的放電信號(hào)特征為:
加入ESD二極管后的測(cè)試圖以及測(cè)試效果如下圖所示:
test sample(二極管)并聯(lián)于電路
可以看到,過壓峰值在50ns內(nèi)有明顯下降。
這個(gè)舉例器件的技術(shù)參數(shù)如下:
特征:
1.Lead free type.
2.Compact size for
3.Insulator over coat keeps excellent low and stableleakage current.
4.Quick response time(<1ns).
5.Low Clamping Voltage.
6.Meet IEC 61000-4-2 standard.--Contact discharge mode:typical ±15kv--Air discharge mode:typical ±20kv
應(yīng)用于PCB板級(jí),電腦手機(jī)。Application for Mother Board,Notebook, cellularPhone,PDA,handheld device,DSC,DV,Scanner,andSet-Top Box etc.
技術(shù)規(guī)格:
關(guān)于選型:
ESD靜電二極管選型指南
1)ESD靜電二極管的截止電壓要大于電路中最高工作電壓;
2)脈沖峰值電流IPP 和最大箝位電壓VC 的選擇,要根據(jù)線路上可能出現(xiàn)的最大浪涌電流來選擇合適IPP的型號(hào),需要注意的是,此時(shí)的VC 應(yīng)小于被保護(hù)晶片所能耐受的最大峰值電壓;
3)用于信號(hào)傳輸電路保護(hù)時(shí),一定要注意所傳輸信號(hào)的頻率或傳輸速率,當(dāng)信號(hào)頻率或傳輸速率較高時(shí),應(yīng)選用低電容系列的ESD靜電二極管;
4)根據(jù)電路設(shè)計(jì)布局及被保護(hù)線路數(shù)選擇合適的封裝。ESD封裝的大小從一定程度上可以反應(yīng)器件的防護(hù)等級(jí)大小,一般封裝越大的器件可容納的ESD芯片面積也越大,防護(hù)等級(jí)也越高,反之亦然。
ESD靜電二極管參數(shù)詳解
? VRWM:反向截止電壓、通俗地講,就是ESD允許施加的最大工作電壓,在該電壓下ESD處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)ESD的漏電流很小,為幾微安甚至更低。
? VBR:擊穿電壓,擊穿電壓是ESD要開始動(dòng)作(雪崩擊穿)的電壓,一般在規(guī)定的電流下測(cè)量,通常在大小為1mA的 電流下測(cè)量。
? IR:反向漏電流,即在ESD器件兩端施加VRWM電壓下測(cè)得ESD的漏電流。
? IPP:峰值脈沖電流,一般采用8/20μs的波形測(cè)量。
? VC:鉗位電壓,在給定大小的IPP下測(cè)得ESD兩端的電壓。大部分ESD產(chǎn)品VC與VBR及IPP成正比關(guān)系。
? C J:結(jié)電容,ESD的結(jié)電容與ESD的芯片面積、工作電壓有關(guān)系。對(duì)于相同電壓ESD產(chǎn)品,芯片面積越大結(jié)電容越大;對(duì)于相同芯片面積的ESD,工作電壓越高結(jié)電容就越低。
ESD靜電二極管選型事項(xiàng)
1)ESD一般用于各類通信端口靜電防護(hù),在一些高速數(shù)據(jù)線路,比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口,ESD靜電保護(hù)二極管的結(jié)電容應(yīng)盡量選擇小的,以避免影響通信質(zhì)量;
2)ESD有單向(A)和雙向(C)之分,根據(jù)工作的信號(hào)進(jìn)行選擇,單極性的信號(hào)可以選擇單向的 ESD或雙向的ESD, 雙極性的信號(hào)要選擇雙向的ESD;
3)具體選擇什么型號(hào)的ESD靜電二極管做靜電防護(hù),還需要在專業(yè)的電子工程師指導(dǎo)下選擇。
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