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開關模式電源電流檢測:檢測電阻的放置位置

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:Kevin Scott and Henry ? 2023-05-01 14:35 ? 次閱讀

電流檢測電阻的放置位置

電流檢測電阻與開關穩(wěn)壓器架構的放置決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流(連續(xù)導通模式下電感電流的最小值)和平均輸出電流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計算和檢測電阻監(jiān)控電路看到的共模電壓。

降壓穩(wěn)壓器高邊放置

對于降壓穩(wěn)壓器,電流檢測電阻可以放置在多個位置。當放置在頂部MOSFET的高端時(如圖1所示),當頂部MOSFET導通時,它可以檢測峰值電感電流,因此可用于峰值電流模式控制電源。但是,當頂部 MOSFET 關閉而底部 MOSFET 導通時,它不會測量電感電流。

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圖1.具有高壓側R的降壓轉換器意義

在這種配置中,電流檢測可能會產生噪聲,因為頂部MOSFET的導通邊沿具有很強的開關電壓振鈴。為了將這種影響降至最低,需要較長的電流比較器消隱時間(比較器忽略輸入的時間)。這限制了最小開關導通時間,并可能限制最小占空比(占空比= V外, 5在)和最大轉換器降壓比。注意,在高壓側配置中,電流信號可以位于非常大的共模電壓(V在).

降壓穩(wěn)壓器低側放置

在圖2中,檢測電阻放置在底部MOSFET下方。在此配置中,它檢測谷值模式電流。為了進一步降低功率損耗并節(jié)省元件成本,底部FET RDS(ON)可用于檢測電流,無需使用外部電流檢測電阻器 R意義.

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圖2.具有低側R的降壓轉換器意義

這種配置通常用于谷值模式控制的電源。它也可能對噪聲敏感,但在這種情況下,它是在占空比很大的時候。谷值模式控制的降壓轉換器可實現高降壓比;但是,由于其固定/受控開關導通時間,其最大占空比受到限制。

降壓穩(wěn)壓器與電感器串聯

在圖3中,電流檢測電阻R意義與電感串聯放置,因此可以檢測連續(xù)電感電流,可用于平均電流監(jiān)控,以及峰值或谷值電流監(jiān)控。因此,這種配置允許峰值、谷值或平均電流模式控制。

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圖3.R意義與電感器串聯

這種檢測方法可提供最佳的信噪比性能。外部 R意義通??梢蕴峁┓浅>_的電流檢測信號,用于精確的限流和共享。然而,R意義還會導致額外的功率損耗和組件成本。為了降低功率損耗和成本,可以使用電感繞組直流電阻(DCR)來檢測電流,而無需外部R。意義.

升壓和反相穩(wěn)壓器高邊放置

對于升壓(Boost)穩(wěn)壓器,檢測電阻可以與提供高端檢測的電感串聯放置(圖 4)。

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圖4.具有高端R的升壓轉換器意義

由于升壓具有連續(xù)輸入電流,因此會產生三角波形并連續(xù)監(jiān)控電流。

升壓和反相穩(wěn)壓器低側放置

檢測電阻也可以放置在底部MOSFET的低端,如圖5所示。在這里,峰值開關電流(也是峰值電感電流)被監(jiān)控,從而每半周期產生一個電流波形。由于MOSFET開關,電流信號具有很強的開關噪聲。

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圖5.具有低側R的升壓轉換器意義

降壓-升壓低側 SENSE 電阻安撫或與電感串聯

圖4所示為6開關降壓-升壓轉換器,檢測電阻位于低端。當輸入電壓遠高于輸出電壓時,轉換器工作在降壓模式,當輸入電壓遠低于輸出電壓時,轉換器工作在升壓模式。在本電路中,檢測電阻位于4開關H橋配置的底部。器件的模式(降壓模式或升壓模式)決定了正在監(jiān)控的電流。

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圖6.帶 R 的降壓-升壓意義在低端

在降壓模式下(開關 D 始終導通,開關 C 始終關閉),檢測電阻器監(jiān)視底部開關 B 電流,電源用作谷值電流模式降壓轉換器。

在升壓模式下(開關 A 始終導通,開關 B 始終關閉),檢測電阻與底部 MOSFET (C) 串聯,并隨著電感電流的上升測量峰值電流。在這種模式下,由于不監(jiān)測谷值電感電流,因此當電源處于輕負載狀態(tài)時,很難檢測到負電感電流。負電感電流意味著能量只是從輸出端傳輸回輸入端,但由于與傳輸相關的損耗,效率受到影響。因此,對于輕負載效率很重要的電池供電系統等應用,這種電流檢測方法是不可取的。

圖7所示電路通過將檢測電阻與電感串聯來解決此問題,以便在降壓和升壓模式下連續(xù)測量電感電流信號。由于電流檢測R意義連接到具有高開關噪聲的SW1節(jié)點,需要仔細設計控制器IC,以便為內部電流比較器留出足夠的消隱時間。

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圖7.LT8390 帶 R 的降壓-升壓器意義與電感器串聯

還可以在輸入端增加一個額外的檢測電阻器,用于輸入電流限制,或在輸出端(如下所示)增加一個檢測電阻器,用于電池充電或驅動LED等恒定輸出電流應用。在這種情況下,由于需要平均輸入或輸出電流信號,因此可以在電流檢測路徑上增加一個強大的R/C濾波器,以降低電流檢測噪聲。

在上述大多數示例中,電流檢測元件被假定為檢測電阻。但是,這不一定是,而且通常不是這樣。其他檢測技術包括使用MOSFET兩端的壓降或電感器的直流電阻(DCR)。

審核編輯:郭婷

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