光刻技術(shù)簡述

引言

光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過程。圖1簡要說明了集成電路制造中所采用的光刻工藝。如圖1(b)所示，輻射通過掩模的透明部分傳輸，使暴露的光刻膠不溶于顯影劑溶液，從而使掩模圖案直接轉(zhuǎn)移到晶片上。在定義了圖案之后，使用蝕刻處理來選擇性地去除底層的掩蔽部分。

圖1：(a)光刻工藝流程圖. (b)光學(xué)復(fù)制工藝

圖2：電子束光刻技術(shù)中使用的正極抗蝕劑（頂部）和負極抗蝕劑（底部）的化學(xué)反應(yīng)示意圖

電子光刻

電子抗蝕劑是聚合物。對于正電子抗蝕劑，聚合物-電子相互作用會導(dǎo)致鏈斷裂，即化學(xué)鍵斷裂（圖2 -頂部）。受輻射的區(qū)域可以溶解在一個可以進行攻擊的顯影劑解決方案中低分子量材料。常見的正電子抵抗劑是聚（甲基丙烯酸甲酯），簡稱PMMA，和聚（丁烯-1砜），簡稱PBS。正電子電阻的分辨率通常為0.1μm或更好。（江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司）

當(dāng)電子沖擊負電子抗蝕劑時，會誘導(dǎo)聚合物連接（圖2 -底部）。聚（甲基丙烯酸縮水甘油酯-共丙烯酸乙酯），簡稱COP，是一種常見的負電子抗蝕劑。與負光刻膠一樣，COP在顯影過程中膨脹，分辨率限制在1μm左右。

光刻技術(shù)的比較

光學(xué)光刻是主要的流技術(shù)，一些商業(yè)可用的電阻可以分辨到0.1m或更低。一般來說，由于光學(xué)光刻的分辨率限制，它被認為很難用于遠小于0.1m的設(shè)計規(guī)則。對于深亞微米結(jié)構(gòu)，剩下的兩種選擇是電子束直接書寫或x射線光刻。（江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司）

然而，完美的x射線掩模很難制作出來，而且電子光刻的吞吐量也很慢（吞吐量隨最小特征長度的平方的倒數(shù)而變化，即lm -2）。對于大規(guī)模生產(chǎn)，成本和機器的占地面積（所需占地面積）。

江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司主要從事濕法制程設(shè)備，晶圓清潔設(shè)備，RCA清洗機，KOH腐殖清洗機等設(shè)備的設(shè)計、生產(chǎn)和維護。

審核編輯：湯梓紅