0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

功率器件頂部散熱封裝技術(shù)的優(yōu)勢及普及挑戰(zhàn)

荷葉塘 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:程文智 ? 2023-04-29 03:28 ? 次閱讀

不久前,英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱(TSC)封裝技術(shù)正式注冊為JEDEC標準。按照JEDEC的規(guī)定,一家廠商的技術(shù)注冊和認證成為JEDEC標準之后,其他廠商便可以免費從JEDEC標準組織下載并使用這些標準,只要遵守標準所定義的尺寸和公差,就能夠在行業(yè)里聲稱是跟JEDEC標準兼容,并且不設(shè)置專利門檻。廠家只需要制造符合此業(yè)界通行標準的產(chǎn)品即可。

也就是說,QDPAK和DDPAK表面貼裝(SMD)TSC封裝設(shè)計將會與TO247和TO220一樣,可供業(yè)界免費使用,并成為行業(yè)標準。

不久前,英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場總監(jiān)程文濤還與業(yè)內(nèi)媒體一道交流了QDPAK和DDPAK SMD TSC封裝設(shè)計的研發(fā)背景、技術(shù)優(yōu)勢,和在推廣該封裝技術(shù)過程中面臨的挑戰(zhàn)以及英飛凌如何解決這些挑戰(zhàn)等話題。


圖:英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場總監(jiān)程文濤

為何要推出TSC封裝設(shè)計?

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的相當一段時間里,不論是功率半導(dǎo)體、模擬半導(dǎo)體,還是數(shù)字半導(dǎo)體,芯片的尺寸都在不斷地縮小,工藝在不斷地微縮。具體到功率半導(dǎo)體方面,過去十多年的芯片演進主要在晶圓部分,比如使用更小的芯片尺寸,實現(xiàn)更低的導(dǎo)通阻抗等等,“隨著時間的推移,英飛凌逐漸發(fā)現(xiàn)封裝技術(shù)成為了突破瓶頸的關(guān)鍵方式,”程文濤在與媒體交流時表示。

高壓超結(jié)硅功率器件的FOM值基本已經(jīng)達到了物理極限,在此情況下要想繼續(xù)降低導(dǎo)通阻抗或者是實現(xiàn)更高的能效,封裝技術(shù)是繼續(xù)把硅的功率發(fā)揮到極致的必經(jīng)之路。不僅是硅基半導(dǎo)體,現(xiàn)在大熱的寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN也需要仰仗新的封裝技術(shù)。

據(jù)程文濤介紹,英飛凌的TSC封裝技術(shù)名稱叫QDPAK與DDPAK,“其前身就是我們所熟知的DPAK,即TO252封裝。其中QDPAK相當于4個DPAK并排;DDPAK則是兩個DPAK并排在一起?!彼忉尩馈?/p>

QDPAK封裝的主要優(yōu)勢有四個:
滿足更大功率需求:優(yōu)化利用電路板空間,采用開爾文源極連接,減少源極寄生電感;
提高功率密度:頂部散熱可實現(xiàn)最高電路板利用率;
提高效率: 經(jīng)優(yōu)化的結(jié)構(gòu)具有低電阻和超低寄生電感,可實現(xiàn)更高效率;
減輕重量:綜合優(yōu)化散熱和發(fā)熱,有助于打造更小巧的外殼,從而減少用料,減輕重量

TSC封裝為客戶帶來的裨益

其實QDPAK和DDPAK這兩大頂部散熱封裝技術(shù)能夠帶來最大的益處在于:高度優(yōu)化了生產(chǎn)工藝,讓整個裝配過程步驟變少,自動化制造流程更簡潔,最終在下游廠商端實現(xiàn)包括PCB數(shù)量、層級和板間連接器用量減少,帶來裝配及整體系統(tǒng)成本大幅降低。

優(yōu)化MOSFET應(yīng)用需要盡可能降低系統(tǒng)熱阻(Rthja),同時實現(xiàn)最高結(jié)溫(Tj)。如此一來能夠最大限度地增加流入散熱片的熱量,并最大限度地減少流入PCB的熱量。

熟悉功率半導(dǎo)體行業(yè)的讀者應(yīng)該還有印象,10年前千瓦及以上的大功率應(yīng)用基本以插件封裝(THD)技術(shù)為主,例如大家熟知的TO247、TO220封裝。這類插件封裝技術(shù)的優(yōu)勢在于,在當時的裝配和封裝工藝下能使工程師最大限度地利用外加的散熱片,非常高效地將芯片內(nèi)部產(chǎn)生的熱量散發(fā)出芯片之外,讓芯片能夠工作在一個大功率的應(yīng)用場景中。

但隨著數(shù)據(jù)中心、4G5G無線通信宏基站等設(shè)備對于功率密度的要求越來越高,設(shè)備尺寸越做越小。開始要求電源應(yīng)用的電路板設(shè)計中采用更少,或不用獨立散熱片,同時把更多的熱量均勻地散發(fā)到整個設(shè)備之外。英飛凌經(jīng)過長時間與產(chǎn)業(yè)鏈下游的行業(yè)頭部客戶以及工程師討論,最終在業(yè)界達成共識,那就是頂部散熱才是解決這一矛盾的根本途徑。

貼片化是從帶獨立散熱片的插件封裝走向更高功率散熱的第一步。一般貼片封裝的散熱主要是靠芯片底部跟PCB(印刷電路板)之間的接觸,利用PCB銅箔把芯片產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去。但是這樣做的一個明顯弊端在于,它需要耗費比較大的PCB銅箔面積,才能有效地把熱量散發(fā)出去。如果在此期間不能夠用面積足夠大的PCB銅箔,那么在芯片底部就會形成一個熱點,而這個熱點會給PCB帶來很大的壓力。目前業(yè)界常用的PCB是FR4材質(zhì),該材質(zhì)的最高溫度上限為110℃左右。在更高的功率設(shè)計中,底部散熱封裝無法通過貼片和PCB之間結(jié)合均勻地把更多熱量散出去,導(dǎo)致這種散熱方式走到了瓶頸。

而頂部散熱只需要在頂部使用一個薄薄的散熱片,而不靠底部的散熱片去散熱,它可以在同樣的PCB材質(zhì)下,更有效、更均勻地把熱量散發(fā)出去。同時,它給用戶帶來的好處便是在同樣的散熱面積下,可提升整個設(shè)備對外輸出的功率。。

由于貼片頂部散熱封裝技術(shù)需要所有的器件都貼在同樣一個平面的PCB板上。如果對成本進行權(quán)衡,客戶希望用相同厚度的散熱片即可把設(shè)備中的熱量均勻地散發(fā)出去。由此看出,同等的器件高度就成為關(guān)鍵因素所在。因此,英飛凌在其頂部散熱封裝技術(shù)設(shè)計內(nèi)定義的封裝厚度為2.3毫米,英飛凌希望通過這次跟JEDEC標準組織的互動,能夠使2.3毫米的厚度成為一個業(yè)界通行的做法。

至于為何會選擇2.3毫米,程文濤解釋說,首先要考慮到頂部散熱的做法不能成為其它非頂部散熱芯片的應(yīng)用障礙,如果其它非頂部散熱的封裝厚度比較厚,那么頂部散熱的封裝就不能比它薄,否則會產(chǎn)生熱量散不掉的問題,或是需要加很厚的散熱墊。

二是,英飛凌研究了行業(yè)中很多的貼片封裝尺寸,在大部分的非頂部散熱以及頂部散熱封裝共存的情況下,選擇了2.3毫米。這樣的厚度能夠讓足夠多的器件并存在同一塊PCB板上。

TSC封裝的普及面臨哪些挑戰(zhàn)?

其實英飛凌推廣TSC封裝技術(shù)已有3年之久,程文濤回憶英飛凌在推廣TSC封裝技術(shù)遇到的挑戰(zhàn)時表示,在行業(yè)內(nèi)做一個創(chuàng)新的推廣,阻力是來自方方面面的,包括生產(chǎn)線方面、安規(guī)方面的要求以及散熱材料配合等阻力。要想完成TSC封裝技術(shù)的推廣,則需要整個產(chǎn)業(yè)鏈相互配合才能讓一個創(chuàng)新最終落地。

首先面臨的是接受度的問題,最開始會受到電源領(lǐng)域工程師的質(zhì)疑,他們之前最為信賴的有效散熱封裝技術(shù)是TO247和TO220,他們會首先質(zhì)疑新的封裝形式在散熱能力上是否比原有的散熱方式更好;

二是之前生產(chǎn)線上的加工工藝不能滿足頂部散熱的安裝需求。在此需要解決的問題是,在同樣一個PCB板上焊接多個頂部散熱的芯片,怎樣才能保證這些頂部散熱的芯片的高度是一致的,利用同樣一個模具所加工出來的平面散熱片,怎樣才能均勻地貼在這些使用頂部散熱的芯片上,并且能夠保證它們之間的熱阻基本一致等等。

英飛凌與大客戶一起共同摸索,經(jīng)過近兩年的時間找到了一些行之有效的應(yīng)對辦法。一般頂部散熱接觸的電平是處理高壓的MOS管漏極,需要經(jīng)過安全可靠的隔離才能接觸外部設(shè)備,這一點與插件式封裝非常類似。

但如何將多個并聯(lián),或者并排擺放的頂部散熱芯片里面的熱量均勻地散發(fā)出去呢?“目前最有效的方式就是用Gap Filler導(dǎo)熱膠均勻地把熱量傳導(dǎo)到頂部的散熱片里面去。在這里列出了不同導(dǎo)熱能力的導(dǎo)熱膠所產(chǎn)生的效果。在目前很多的應(yīng)用里面,要實現(xiàn)這種采用一個頂部平面的均勻散熱,最有效的方式就是用一層能夠適應(yīng)公差的導(dǎo)熱膠+隔離片,讓所有并排擺放的頂部散熱芯片的熱量能夠均勻地傳導(dǎo)到一個平面的散熱片上,這是目前業(yè)界共同接受的方法。而如果只需要對單獨一個頂部散熱芯片進行散熱,則可以采用鎖螺絲、銅夾子甚至焊接等多種選擇。但是從加工的速度、制造的成本上來看,這種方法是最行之有效的。”程文濤解釋說。

三是需要做更多的驗證。因為頂部散熱芯片,一般是不會用螺絲進行固定的,而是使用一塊很大面積的平板散熱片與底層大面積的PCB板中間搭載多顆芯片。那么,這種情形下,它的抗震等級可不可靠,EMI問題嚴不嚴重等很多方面的相關(guān)問題,在推行之初,需要廠商做很多的實驗去驗證目前采用的方案是否可行。

當然,雖然問題很多,但程文濤感到欣慰的是,現(xiàn)在越來越多的廠商看到了TSC封裝的優(yōu)勢,大家都進行了良性的互動,“盡管挑戰(zhàn)是多方面的,但隨著產(chǎn)業(yè)鏈上下游共同分工配合,困難就會快速高效的被解決。”

結(jié)語

TSC封裝最為適合數(shù)據(jù)中心、通信基站、電動汽車等需要產(chǎn)品具有體積小、重量輕、功率密度高、效率高等特性的應(yīng)用場景中。其實,在JEDEC標準里面,英飛凌不是唯一一家做頂部散熱封裝技術(shù)的公司,不同的企業(yè)提出的頂部散熱封裝技術(shù)設(shè)計方案都有他們自己的設(shè)計和考慮,最終哪一個封裝會成為業(yè)界公認的標準,還需要看廠商對終端應(yīng)用的理解,以及終端客戶的接受程度。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    2134

    瀏覽量

    138257
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1710

    瀏覽量

    90253
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    TAS5630B器件頂部散熱焊盤和散熱器之間加導(dǎo)熱絕緣墊,散熱器需要接地嗎?

    這顆芯片測試時反復(fù)壞,不是READY信號變低就是SD信號變低,或者這兩個同時變低,只有OTW正常,對比別人使用情況,有一下疑問: 1.器件頂部散熱焊盤和散熱器之間加導(dǎo)熱絕緣墊,
    發(fā)表于 09-30 07:18

    碳化硅功率器件技術(shù)優(yōu)勢

    優(yōu)勢,成為了電力電子領(lǐng)域的一顆璀璨新星。本文將深入探討碳化硅功率器件的物性特征、技術(shù)優(yōu)勢、應(yīng)用前景以及面臨的挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:43 ?245次閱讀

    如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能

    由于對提高功率密度的需求,功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨特的挑戰(zhàn)。在
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:37 ?254次閱讀
    如何通過創(chuàng)新<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>提升<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>性能

    探究電驅(qū)動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)

    在電動汽車、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動系統(tǒng)中,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而,要充分發(fā)揮碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 08-19 09:43 ?260次閱讀
    探究電驅(qū)動系統(tǒng)中碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>封裝</b>的三大核心<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    IGBT功率器件散熱方式

    功率器件的正常運行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風(fēng)冷、水冷和沸騰冷卻四種。
    的頭像 發(fā)表于 07-15 16:31 ?894次閱讀
    IGBT<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>散熱</b>方式

    碳化硅器件挑戰(zhàn)現(xiàn)有封裝技術(shù)

    共讀好書 曹建武 羅寧勝 摘要: 碳化硅 ( SiC ) 器件的新特性和移動應(yīng)用的功率密度要求給功率器件封裝
    的頭像 發(fā)表于 06-23 17:50 ?725次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>挑戰(zhàn)</b>現(xiàn)有<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    電子元器件封裝散熱的優(yōu)化設(shè)計

    摘要:本論文探討了在現(xiàn)代電子器件設(shè)計和制造中,封裝散熱的關(guān)鍵優(yōu)化策略。通過選擇封裝形式和材料,重建引腳布局,封裝密封的方法優(yōu)化
    的頭像 發(fā)表于 06-09 08:10 ?659次閱讀
    電子元<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>封裝</b>與<b class='flag-5'>散熱</b>的優(yōu)化設(shè)計

    功率器件散熱裝置設(shè)計探討

    功率器件散熱散熱裝置技術(shù)設(shè)計提供參考。關(guān)鍵詞:大功率;高效;
    的頭像 發(fā)表于 06-09 08:09 ?450次閱讀
    大<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>散熱</b>裝置設(shè)計探討

    SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:49 ?998次閱讀
    SiC與GaN <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>中的離子注入<b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>挑戰(zhàn)</b>

    碳化硅(SiC)功率器件核心優(yōu)勢技術(shù)挑戰(zhàn)

    SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上,有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
    發(fā)表于 03-08 10:27 ?1148次閱讀
    碳化硅(SiC)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>核心<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>及<b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>挑戰(zhàn)</b>

    碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

    碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率器件因其寬禁帶、耐高壓、高溫、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)等優(yōu)點備受矚目。然而,如何充分發(fā)揮碳化硅器件的性能卻給封裝
    的頭像 發(fā)表于 01-26 16:21 ?741次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>封裝</b>的關(guān)鍵<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    碳化硅器件封裝技術(shù)解析

    降低,為充分發(fā)揮 SiC 器件優(yōu)勢需要改進現(xiàn)有的封裝技術(shù)。針對上述挑戰(zhàn),對國內(nèi)外現(xiàn)有的低寄生電感封裝
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:41 ?1998次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析

    Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件, 助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的熱性能和電

    新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 29 日 - 代表著下一代
    發(fā)表于 12-01 14:11 ?729次閱讀
      Transphorm推出<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b>型TOLT<b class='flag-5'>封裝</b>FET<b class='flag-5'>器件</b>, 助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的熱性能和電

    散熱設(shè)計玩出新花樣,功率半導(dǎo)體器件再也不怕‘發(fā)燒’了!

    功率半導(dǎo)體器件是電子電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的核心元器件,廣泛應(yīng)用于變頻、整流、逆變、放大等電路。封裝工藝對于功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 11-23 11:12 ?668次閱讀
    <b class='flag-5'>散熱</b>設(shè)計玩出新花樣,<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>再也不怕‘發(fā)燒’了!

    功率器件的熱設(shè)計及散熱計算

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率器件的熱設(shè)計及散熱計算.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 11-13 09:21 ?2次下載
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的熱設(shè)計及<b class='flag-5'>散熱</b>計算