0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC可用于車載充電器的汽車功率模塊

2234303793 ? 來源:國芯思辰 ? 2023-05-11 10:28 ? 次閱讀

電動汽車的電動機是有源負載,其轉(zhuǎn)速范圍很寬,且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速,工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)要復(fù)雜,因此,其驅(qū)動系統(tǒng)是決定電動汽車性能的關(guān)鍵所在。

隨著電動汽車的發(fā)展,對電力電子功率驅(qū)動系統(tǒng)提出了更高的要求,即更輕、更緊湊、更高效、更可靠,本文重點提到基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC助力車載充電器實現(xiàn)更快充電和更遠的續(xù)航里程。

b99c9e32-ef5e-11ed-90ce-dac502259ad0.png

B1M160120主要用于電動汽車的車載充電和高壓DCDC轉(zhuǎn)換,可提高能效并縮短電動汽車的充電時間,器件專用于大功率車載充電器,其更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗,從而能獲得更高的整機效率;以下是B1M160120HC的主要應(yīng)用優(yōu)勢:

1、B1M160120HC具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)損耗小的特點,可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。

2、B1M160120HC具有超低內(nèi)阻,可在大功率應(yīng)用中降低模塊的冷卻要求。

3、B1M160120HC的結(jié)溫范圍為-55°~150°,即使在具挑戰(zhàn)性的、空間受限的汽車應(yīng)用中也能確??煽啃?。

4、B1M160120HC可完全替代科銳C2M0160120D,提供TO-247-3封裝。

b9b2e67e-ef5e-11ed-90ce-dac502259ad0.png

綜上基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M160120HC完全可以用于車載充電器的汽車功率模塊設(shè)計方案,國芯思辰擁有完整的供應(yīng)鏈和全面設(shè)計支持,可以提供優(yōu)良的碳化硅產(chǎn)品,該產(chǎn)品價格也非常有優(yōu)勢。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    155

    文章

    11691

    瀏覽量

    227881
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    439

    瀏覽量

    44909
  • 車載充電器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    244

    瀏覽量

    24007

原文標(biāo)題:基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC可用于車載充電器的汽車功率模塊

文章出處:【微信號:國芯思辰,微信公眾號:國芯思辰】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

    隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:26 ?223次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>銅燒結(jié)技術(shù)在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>中的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體應(yīng)用于高壓快充的E2B碳化硅功率模塊方案解析

    充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率,減少50%的損耗。目前在充電樁領(lǐng)域,碳化硅應(yīng)用處
    的頭像 發(fā)表于 07-04 10:39 ?499次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>應(yīng)<b class='flag-5'>用于</b>高壓快充的E2<b class='flag-5'>B</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>方案解析

    基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過車規(guī)級認證,為汽車電子注入新動力

    近日,中國半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司,再次在科技領(lǐng)域邁出堅實步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2
    的頭像 發(fā)表于 06-26 17:58 ?737次閱讀

    基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

    產(chǎn)品,吸引逾50萬專業(yè)觀眾參與。 基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級
    的頭像 發(fā)表于 06-15 09:20 ?641次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>攜多款<b class='flag-5'>碳化硅</b>新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

    使用碳化硅模塊充電設(shè)備設(shè)計

    碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性,正在迅速成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進的SiC模塊,特
    的頭像 發(fā)表于 06-06 11:19 ?198次閱讀
    使用<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>的<b class='flag-5'>充電</b>設(shè)備設(shè)計

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?409次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>功率</b>器件的開關(guān)性能比較

    英飛凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板

    半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者英飛凌科技近日發(fā)布了一款革命性的數(shù)字驅(qū)動評估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR,專為2kV碳化硅MOSFET模塊設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 05-11 11:33 ?568次閱讀

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?316次閱讀

    一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

    耐壓,高可靠性??梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。 一. 碳化硅MOSFET常見封裝TO247
    的頭像 發(fā)表于 02-21 18:24 ?1124次閱讀
    一文了解SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

    汽車缺“芯”,這是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵

    目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設(shè)期需18-24個月,去年有許多碳化硅項目的投資,要2025年才會釋放產(chǎn)能,預(yù)計
    的頭像 發(fā)表于 11-17 17:12 ?956次閱讀

    意法半導(dǎo)體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊

    意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊,采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封裝,適
    的頭像 發(fā)表于 11-14 15:48 ?829次閱讀

    意法半導(dǎo)體車規(guī)雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置

    充電機(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng),產(chǎn)品優(yōu)點包括高功率密度、設(shè)計高度緊湊和裝配簡易等,提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置,增強了系統(tǒng)設(shè)計靈活性。 ? 新
    發(fā)表于 10-31 15:37 ?1548次閱讀
    意法<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>車規(guī)雙列直插<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>提供多功能封裝配置

    碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

    碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的
    發(fā)表于 10-17 09:43 ?249次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的產(chǎn)品定位

    用于電動汽車電力電子的碳化硅器件:優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

    隨著對電動汽車(EV)需求的持續(xù)增長,制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù),即碳化硅和硅,用于電力電子應(yīng)用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性
    的頭像 發(fā)表于 09-27 09:48 ?549次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

    SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的
    的頭像 發(fā)表于 09-26 16:42 ?691次閱讀
    第三代寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的應(yīng)用