安森美推出下一代1200 V EliteSiC M3S器件

蓋世汽車訊 ，近日，智能電源和傳感技術(shù)公司安森美（onsemi）宣布推出最新一代1200 V EliteSiC碳化硅（SiC）M3S器件，使電力電子設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)一流的效率和更低的系統(tǒng)成本。

圖片來源：安森美

新產(chǎn)品組合包括EliteSiC MOSFET和模塊，可促進(jìn)更高的開關(guān)速度，以支持越來越多的800 V電動(dòng)汽車（EV）車載充電器（OBC）和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，例如EV充電、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)。

該產(chǎn)品組合還包括半橋功率集成模塊（PIM）中的新型EliteSiC M3S器件，采用標(biāo)準(zhǔn)F2封裝，具有行業(yè)領(lǐng)先的最低Rds（on）。這些模塊旨在應(yīng)用于工業(yè)，非常適合DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率轉(zhuǎn)換級(jí)。通過優(yōu)化的直接鍵合銅設(shè)計(jì)，新型EliteSiC M3S器件可提供更高級(jí)別的集成，以實(shí)現(xiàn)并聯(lián)開關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。該P(yáng)IM旨在為能源基礎(chǔ)設(shè)施、EV直流快速充電和不間斷電源（UPS）提供高功率密度。

安森美高級(jí)副總裁兼高級(jí)電源部門總經(jīng)理Asif Jakwani表示：“憑借安森美最新一代的汽車和工業(yè)EliteSiC M3S產(chǎn)品，設(shè)計(jì)人員能夠減少應(yīng)用足跡和降低系統(tǒng)冷卻要求，從而開發(fā)出具有更高效率和更高功率密度的大功率轉(zhuǎn)換器?！?/p>

該1200 V EliteSiC MOSFET符合汽車標(biāo)準(zhǔn)，專為高達(dá)22 kW的大功率OBC和高壓至低壓DC-DC轉(zhuǎn)換器定制。M3S技術(shù)專為高速開關(guān)應(yīng)用而開發(fā)，具有一流的開關(guān)損耗品質(zhì)因數(shù)。

審核編輯 ：李倩