一、究竟什么是隱形切割?
導(dǎo)體制造中,使用大晶片是一個趨勢。但是晶片本身就非常薄,切割工藝涉及到一系列問題,比如一片晶片能夠切割出多少芯片、或者怎樣在不導(dǎo)致缺點的情況下切割出復(fù)雜集成電路芯片等。由于芯片產(chǎn)品在具有更多功能的同時變得越來越小,所以切割過程需工作在越來越嚴格的條件下。隱形切割就是一種滿足這種嚴苛條件的技術(shù)。隱形切割只是半導(dǎo)體制造工藝的一部分,但是這一部分的改變卻可以給整個工藝造成巨大影響。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品需使用薄晶片,時代需要呼喚著更小、更高性能的半導(dǎo)體器件。說市場需求是推動隱形切割在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域獲得目前地位的推動力量,一點也不夸張。
二、隱形切割過程
隱形切割過程中,波長可以透過半導(dǎo)體晶片的激光束經(jīng)過物鏡聚焦到半導(dǎo)體晶片的一個點上,然后該光束沿著切割線進行掃描。
此處使用的光學(xué)系統(tǒng)具有高的聚焦性能,能夠把光壓縮到衍射限界。因此高重復(fù)、短脈沖的激光束在時間上和空間上被壓縮到焦點附近非常小的區(qū)域,具有非常高的峰值功率密度。當可透過半導(dǎo)體晶片的激光束在壓縮過程中,峰值光能密度超過某個閾值的時候,激光束開始出現(xiàn)高吸收率。優(yōu)化光學(xué)系統(tǒng)以及激光束特性可以更好地控制光密度閾值,以達到只在半導(dǎo)體晶片內(nèi)部、焦點附近超過閾值的目的。這樣便可以用激光束選擇性地對晶體內(nèi)部特定地點進行加工,而不會破壞晶體表面及邊緣。在激光處理的區(qū)域,改性層形成,改性層作為一個裂縫起點,裂縫垂直變長,在芯片前后表面上下延伸。隱形切割從內(nèi)部把目標材料分割,與普通激光切割從晶片外部切割材料是不一樣的。
審核編輯黃宇
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