摘要:
細(xì)間距小尺寸的焊盤(pán)鍵合工藝是微波組件自動(dòng)鍵合工藝面臨的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。針對(duì)具體產(chǎn)品,分析了細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)的球焊鍵合的工藝控制要點(diǎn),提出了改進(jìn)劈刀結(jié)構(gòu)、改進(jìn)焊線模式、優(yōu)化工藝參數(shù)等方面的工藝優(yōu)化手段,采用該優(yōu)化方法后,焊接的可靠性和穩(wěn)定性得到了很大的提高,達(dá)到了提升自動(dòng)球焊鍵合質(zhì)量和提高金絲鍵合工藝精度的目的。
0引言
金絲鍵合是實(shí)現(xiàn)微波多芯片組件電氣互聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù),自動(dòng)金絲鍵合具有速度快、一致性好、電氣性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),在微波毫米波領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。然而,隨著電子封裝產(chǎn)能和生產(chǎn)精度的提升,產(chǎn)品設(shè)計(jì)精度已經(jīng)逼近自動(dòng)化設(shè)備的工藝極限,這對(duì)金絲鍵合提出了更高的工藝要求。其中,細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)的鍵合是金絲鍵合需要突破的重要工藝難題[1]。
目前有90%左右的電子器件采用球焊鍵合工藝(如圖1所示),球焊工藝是針對(duì)直流、數(shù)字電路鍵合的首選工藝[2-3]。通常情況下,微波電路鍵合采用的金絲直徑為25μm,而球焊鍵合點(diǎn)尺寸可達(dá)到65~80μm [4],基于此,芯片焊盤(pán)的設(shè)計(jì)尺寸一般為100μm以上,以滿足鍵合點(diǎn)完全落在焊盤(pán)內(nèi)的要求,如圖2所示。然而,隨著芯片設(shè)計(jì)不斷朝著小型化、高密度方向發(fā)展,芯片焊盤(pán)尺寸越來(lái)越小,互聯(lián)密度越來(lái)越高。在某產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中使用的FPGA(Field-programmable Gate Array,現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)芯片,其金絲鍵合的焊盤(pán)尺寸為55μm,焊盤(pán)間距為15μm,在這種情況下,焊盤(pán)尺寸和焊盤(pán)間距遠(yuǎn)小于普通芯片的尺寸,極易導(dǎo)致焊點(diǎn)超出鍵合焊盤(pán)而造成短路。
本文結(jié)合具體產(chǎn)品,分析細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)的球焊鍵合的難點(diǎn),改進(jìn)劈刀結(jié)構(gòu)、優(yōu)化工藝參數(shù)、改進(jìn)焊線模式,實(shí)現(xiàn)細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)的自動(dòng)球焊鍵合,以滿足產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求。
1細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)的金絲鍵合工藝概述
金絲鍵合的目的是實(shí)現(xiàn)芯片的輸入/輸出端與外界電路或元器件的互聯(lián),球焊鍵合采用熱壓和超聲方式,將提前燒制的空氣自由球焊接到芯片焊盤(pán)或基板焊盤(pán)上,再通過(guò)劈刀的空間運(yùn)動(dòng)形成穩(wěn)定形狀的線弧,最后將金絲焊接到二焊點(diǎn),完成一根金絲的鍵合過(guò)程。球焊鍵合的工藝過(guò)程如圖3所示。
通常情況下,球焊鍵合的工藝過(guò)程可以分為四個(gè)步驟:
1)劈刀下方的打火桿產(chǎn)生瞬時(shí)電壓,通過(guò)尖端放電將金絲的線尾部分燒成規(guī)則的空氣自由球(Free Air Ball,F(xiàn)AB)。
2)劈刀下移接觸到一焊點(diǎn)焊盤(pán),同時(shí)給劈刀施加壓力和超聲能量,在壓力和超聲的作用下,F(xiàn)AB與焊盤(pán)表面金屬層相互摩擦,破壞掉金屬表面的污染及氧化層,形成原子級(jí)別的緊密連接,從而完成一焊點(diǎn)的鍵合。
3)劈刀在鍵合頭的帶動(dòng)下,按照規(guī)劃的軌跡進(jìn)行運(yùn)動(dòng),在空間中將金絲彎折成一定的角度和形狀,形成線弧,隨后拉伸到第二焊點(diǎn)位置,在超聲和壓力的作用下形成二焊點(diǎn)。
4)形成二焊點(diǎn)后,劈刀在二焊點(diǎn)處進(jìn)行截尾焊,將金絲截?cái)?。隨后劈刀抬起,線夾閉合,準(zhǔn)備第二次燒球。此時(shí),整個(gè)引線線弧和鍵合點(diǎn)全部完成。
以上四個(gè)步驟均可通過(guò)設(shè)備參數(shù)及工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)控,如超聲能量、鍵合壓力等,各參數(shù)相互關(guān)聯(lián),共同決定了最終的鍵合結(jié)果。
在“打火桿燒球”階段,金絲根部由于受到尖端放電而產(chǎn)生局部高溫,金絲的尖端變?yōu)槿廴跔顟B(tài),在重力和表面張力的共同作用下,形成空氣自由球??諝庾杂汕蛲ǔ闃?biāo)準(zhǔn)的圓球形。而在“鍵合—焊點(diǎn)”階段,空氣自由球由于在劈刀的作用下被壓扁,尺寸會(huì)再次變大,一焊點(diǎn)的尺寸約為金絲直徑的2.5~3.0倍,對(duì)于25μm金絲而言,焊點(diǎn)尺寸約為70~80μm,為保證鍵合的可靠性和穩(wěn)定性,焊盤(pán)尺寸的設(shè)計(jì)通常大于100μm。而隨著芯片功能及運(yùn)算能力的集成,焊盤(pán)的設(shè)計(jì)尺寸逐漸減小,本文涉及的芯片焊盤(pán)的尺寸僅為55μm,而相鄰焊盤(pán)的間距僅為15μm,如圖2所示。當(dāng)芯片焊盤(pán)尺寸和焊盤(pán)間距減小時(shí),金絲球焊鍵合可能會(huì)產(chǎn)生以下鍵合缺陷:
1)由于芯片焊盤(pán)尺寸只有55μm,若采用25μm金絲,則要求FAB尺寸不能超過(guò)55μm,否則焊點(diǎn)會(huì)超出芯片焊盤(pán),造成短路。
FAB尺寸是由打火電流、打火電壓、打火時(shí)間等工藝參數(shù)決定的,當(dāng)打火參數(shù)過(guò)小時(shí),金絲獲得的熱量偏低,融化量較少,液態(tài)球的重力作用不明顯,形成的金球多呈偏置狀態(tài),導(dǎo)致焊點(diǎn)位置偏移,增加了短路風(fēng)險(xiǎn)。由于燒球參數(shù)過(guò)小導(dǎo)致的偏頭球,如圖4所示[5]。
2)劈刀本身具有一定的寬度,普通劈刀底部寬度T =120μm,假設(shè)焊球高度為0,焊盤(pán)尺寸為X =55μm,則相鄰焊盤(pán)應(yīng)設(shè)計(jì)最小間距為( T -X )/2=32.5μm,以保證劈刀不會(huì)壓到相鄰焊盤(pán)上的焊點(diǎn)。然而對(duì)于本文涉及芯片,相鄰焊盤(pán)的距離為15μm,過(guò)小的焊盤(pán)間距會(huì)導(dǎo)致鍵合過(guò)程中劈刀壓到已經(jīng)鍵合的金絲,從而使金絲受損(如圖5所示)。
本文針對(duì)細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)金絲鍵合,通過(guò)優(yōu)化關(guān)鍵設(shè)備參數(shù)和工藝參數(shù),完成了對(duì)細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)金絲鍵合的高精度、高可靠性自動(dòng)球焊鍵合試驗(yàn)。試驗(yàn)采用自動(dòng)球焊鍵合機(jī),試驗(yàn)金絲純度高于99.99%。
2金絲及劈刀優(yōu)化
2.1金絲直徑的選擇
由前文可知,金絲的直徑直接決定了FAB的尺寸范圍,試驗(yàn)首先選擇25μm金絲進(jìn)行燒球工藝參數(shù)優(yōu)化,工藝參數(shù)選擇見(jiàn)表1。
圖6表示了直徑25μm的金絲進(jìn)行燒球參數(shù)調(diào)節(jié)工藝試驗(yàn)的結(jié)果,可以看出,F(xiàn)AB球的直徑隨著打火電流和打火時(shí)間的減小而減小。當(dāng)打火電流大于30 mA,且打火時(shí)間大于700μs時(shí),F(xiàn)AB球型較為規(guī)整,但FAB尺寸均大于55μm。當(dāng)打火電流小于30 mA,或打火時(shí)間小于700μs時(shí),F(xiàn)AB尺寸雖然會(huì)繼續(xù)減小,但此時(shí)FAB與金絲不同軸,F(xiàn)AB球型不完整、不規(guī)則,出現(xiàn)偏頭球的概率增大。由此可以得出,對(duì)于25μm金絲,僅通過(guò)調(diào)節(jié)燒球參數(shù),無(wú)法獲得細(xì)間距鍵合要求的FAB焊球結(jié)果。
因此,試驗(yàn)過(guò)程中將金絲直徑改為20μm,保持打火電壓為5 000 V,重新調(diào)節(jié)打火電流和時(shí)間,獲得的試驗(yàn)結(jié)果如圖7所示。試驗(yàn)結(jié)果表明,針對(duì)20μm金絲,當(dāng)打火電流范圍30~40 mA,且打火時(shí)間范圍在300~400μs時(shí),自動(dòng)鍵合可以獲得工藝穩(wěn)定且球型完整的FAB,同時(shí)可以將FAB球的尺寸控制在55μm以?xún)?nèi)。
分析金絲打火并形成FAB的過(guò)程,首先是打火桿在高壓下對(duì)金絲根部產(chǎn)生尖端放電,金原子吸收大量的熱產(chǎn)生熔化,在重力和表面張力的作用下,熔化部分成球狀。這個(gè)階段由于金絲吸收的熱量全部來(lái)自尖端放電的能量,因此增大打火電流或電壓、延長(zhǎng)打火時(shí)間,均會(huì)增加金絲吸收的熱量,使得凝固后FAB球的直徑增加。
在金球凝固過(guò)程中,由于存在液-固界面,根據(jù)金屬凝固理論,液體通常會(huì)將雜質(zhì)表面、液-固界面處,以及未熔化的晶體表面作為形核點(diǎn),發(fā)生非均勻形核,形核如圖8所示。
非均勻形核的體系自由能為:
式中:ΔG非表示非均勻形核的體系自由能;ΔG均表示均勻形核的體系自由能;ΔG V表示自由能變化量;r表示形核點(diǎn)半徑;θ表示形核點(diǎn)液固界面的浸潤(rùn)角;σ表示表面張力;S (θ)表示表面能。打火電流大、打火時(shí)間長(zhǎng)的金球由于吸收熱量較多,金球內(nèi)部均為液態(tài),不存在形核點(diǎn),非均勻形核點(diǎn)僅存在于液-固界面處,因此凝固初期的溫度梯度方向大致垂直于液-固界面。
當(dāng)打火電流很小或打火時(shí)間很短時(shí),金球內(nèi)部可能存在未熔化的固態(tài)金,這使得金球內(nèi)部存在多個(gè)形核點(diǎn),導(dǎo)致晶粒生長(zhǎng)不再以大致統(tǒng)一的方向進(jìn)行(如圖9所示)。同時(shí)固-液界面向金球內(nèi)部延伸的面積較大,導(dǎo)致形核點(diǎn)半徑增大,形核擁有更大的驅(qū)動(dòng)力ΔG非。因此最終形成的FAB可能存在球型不完整、不規(guī)則等情況,出現(xiàn)偏頭球的概率也會(huì)增大。
根據(jù)上述分析,確定了的FAB打火工藝參數(shù):打火電流30 mA,打火電壓5 000 V,打火時(shí)間400μs。在小尺寸焊盤(pán)上的鍵合結(jié)果如圖10所示,可以看出焊點(diǎn)完整、形狀規(guī)則,且焊點(diǎn)尺寸小于55μm,焊點(diǎn)一致性較好。
2.2劈刀的選擇
選擇較細(xì)金絲可以較好地解決焊球尺寸超出焊盤(pán)的問(wèn)題,然而在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,當(dāng)鍵合相鄰金絲時(shí),后鍵合的金絲會(huì)對(duì)已鍵合的金絲產(chǎn)生干擾,如圖11所示,先鍵合的焊點(diǎn)被壓扁,導(dǎo)致焊線變彎。根據(jù)上文分析,發(fā)生問(wèn)題的原因可能是劈刀尺寸過(guò)大。
劈刀是進(jìn)行球焊鍵合的直接工具,在整個(gè)球焊鍵合中,負(fù)責(zé)帶動(dòng)FAB與芯片焊盤(pán)進(jìn)行接觸,對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行熱壓超聲,帶動(dòng)引線根據(jù)設(shè)計(jì)好的拐點(diǎn)形成線弧,形成二焊點(diǎn)并切斷線尾??梢?jiàn)劈刀在球焊鍵合中的作用至關(guān)重要。
常用的球焊鍵合劈刀材質(zhì)一般為氧化鋁陶瓷、紅寶石和鎢鋼,氧化鋁陶瓷劈刀因其硬度高、易加工、成本低等特點(diǎn),應(yīng)用于大多數(shù)的球焊鍵合場(chǎng)景[6],針對(duì)本次產(chǎn)品,選擇氧化鋁劈刀。
球焊鍵合的劈刀在空間中沿著中軸線對(duì)稱(chēng),其剖面?zhèn)纫晥D如圖12所示(圖中:H為劈刀內(nèi)徑;D W為金絲直徑;D C為內(nèi)切角直徑;D MB為壓扁之后的焊球直徑;T為尖端直徑;B P為焊盤(pán)間距;P為焊盤(pán)尺寸)。劈刀的尺寸參數(shù)中,劈刀內(nèi)徑H、內(nèi)切角直徑D C、尖端直徑T等參數(shù),對(duì)鍵合的焊點(diǎn)結(jié)果影響較大。
劈刀的內(nèi)徑選擇一般由引線的線徑?jīng)Q定,計(jì)算公式為:
劈刀內(nèi)切角直徑D C是由壓扁之后的焊球直徑D MB和焊盤(pán)尺寸決定的,D C的大小需滿足:
如果焊點(diǎn)的厚度為0,則相鄰金絲不發(fā)生干擾的最大劈刀尺寸為:
對(duì)于本文產(chǎn)品,劈刀的尖端直徑可選擇的最大值為71μm。然而實(shí)際情況下,由于焊球具有一定厚度,劈刀不會(huì)接觸到焊盤(pán)底部,因此劈刀尖端直徑的最大值可在71μm的基礎(chǔ)上適當(dāng)增大。根據(jù)實(shí)際情況,試驗(yàn)過(guò)程中選擇了表2中的3款劈刀,劈刀的結(jié)構(gòu)如圖13所示。
針對(duì)3種不同尺寸的劈刀,選擇相同芯片、相同尺寸及間距的焊盤(pán),對(duì)相鄰金絲依次進(jìn)行鍵合,鍵合結(jié)果如圖14所示。
使用Dage 4000拉力測(cè)試儀對(duì)鍵合的3組金絲進(jìn)行拉力檢測(cè),結(jié)果見(jiàn)表3。根據(jù)鍵合結(jié)果可以看出,選擇C型號(hào)的劈刀,即當(dāng)尖端直徑降為80μm時(shí),相鄰焊點(diǎn)完整清晰,焊線互不干擾,相鄰焊線的拉力值相差不大,且均在0.10 N以上。當(dāng)尖端直徑≥90μm,相鄰焊點(diǎn)會(huì)被劈刀壓到,焊線會(huì)受到干擾而變彎。其中,先鍵合的焊線拉力值較低,說(shuō)明并此時(shí)焊線已經(jīng)產(chǎn)生損傷,其可靠性難以保證。
3焊線模式優(yōu)化
根據(jù)前文試驗(yàn)結(jié)果,對(duì)于細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)金絲鍵合,選擇了20μm金絲和對(duì)應(yīng)的細(xì)間距劈刀,避免了焊球尺寸超出焊盤(pán)以及劈刀對(duì)相鄰焊線的干擾和損傷。然而在實(shí)際鍵合過(guò)程中,由于選用了較細(xì)的金絲,金絲在自身重力的作用下有可能會(huì)產(chǎn)生塌陷或彎曲,實(shí)際鍵合效果如圖15所示。可以看出,鍵合過(guò)程中出現(xiàn)了金絲塌陷或彎曲現(xiàn)象,一旦金絲所在的平面與地面不垂直,塌陷的金絲就會(huì)阻礙相鄰金絲鍵合,導(dǎo)致后續(xù)的多根金絲無(wú)法繼續(xù)鍵合。
金絲線弧的垂直穩(wěn)定性問(wèn)題通常與鍵合焊盤(pán)的平整度有關(guān),當(dāng)鍵合底面平整度較低時(shí),鍵合的線弧會(huì)由于焊接面的不平整而偏移豎直面,從而導(dǎo)致金絲線弧塌陷。在本文涉及產(chǎn)品中,由于產(chǎn)品加工誤差較小,排除了焊盤(pán)本身的平整度影響。由此判斷,可能是由于當(dāng)前的焊線模式BSOB(Bond Stitch On Ball)造成了焊接面的不平整現(xiàn)象。
BSOB金絲線弧模式是熱超聲金絲球焊鍵合的一種焊線模式,該模式的鍵合過(guò)程如圖16所示。鍵合前,先確定一焊點(diǎn)和二焊點(diǎn),一焊點(diǎn)通常為芯片,二焊點(diǎn)則為電路焊盤(pán)。鍵合時(shí),先在第二焊點(diǎn)預(yù)置一個(gè)金球,然后劈刀進(jìn)行一焊點(diǎn)鍵合,并形成線弧,隨后進(jìn)行的二焊點(diǎn)鍵合并切線尾。這種模式下,二焊點(diǎn)鍵合平面并不在電路焊盤(pán)上,而是在預(yù)先墊的焊球上。
對(duì)于本文涉及產(chǎn)品,由于其焊盤(pán)表面平整度和潔凈度較高,BBOS鍵合過(guò)程近似理想狀況,因此鍵合出的線弧垂直程度很高,從而降低了相鄰金絲相互干擾的風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí),BBOS模式會(huì)在鍵合完成后,在二焊點(diǎn)位置再次植球,這種工藝降低了二焊點(diǎn)虛焊的風(fēng)險(xiǎn),使得金絲的結(jié)合力進(jìn)一步提高。圖18為采用BBOS模式和BSOB模式分別對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行金絲鍵合的結(jié)果,可以看出BSOB模式下由于二焊點(diǎn)存在預(yù)置球,導(dǎo)致焊線與底面不垂直,焊線的工藝穩(wěn)定性較低。而B(niǎo)BOS模式下,金絲垂直程度很高,無(wú)金絲彎曲現(xiàn)象發(fā)生。
對(duì)BSOB模式的焊線與BBOS模式的焊線分別選取20根金絲,進(jìn)行破壞性拉力測(cè)試,其測(cè)試結(jié)果如圖19所示,從兩組拉力數(shù)據(jù)的分布可以看出:采用BBOS模式進(jìn)行金絲鍵合,其結(jié)合力的平均值高于BSOB模式的金絲,且分布較為均勻;采用BSOB模式的金絲,其數(shù)值較為分散,說(shuō)明金絲拉力值不穩(wěn)定。
4工藝參數(shù)優(yōu)化
在對(duì)金絲線徑、劈刀尺寸以及焊線模式進(jìn)行優(yōu)化的基礎(chǔ)上,還需要對(duì)20μm金絲的鍵合工藝進(jìn)行優(yōu)化。選取對(duì)鍵合過(guò)程影響較大的幾組參數(shù),分別為超聲能量、鍵合壓力、鍵合時(shí)間。利用控制變量法,分別改變每組參數(shù),每組選擇20根金絲,測(cè)量鍵合金絲的拉力值以及一焊點(diǎn)尺寸(見(jiàn)表4)。
由試驗(yàn)結(jié)果可以看出,超聲能量和鍵合壓力均會(huì)對(duì)最終的金絲拉力值和焊點(diǎn)尺寸產(chǎn)生較大影響,增大超聲能量和鍵合壓力,金絲的拉力值會(huì)顯著增加,但如果超聲能量和鍵合壓力過(guò)大,則會(huì)導(dǎo)致一焊點(diǎn)尺寸超出焊盤(pán)。減小超聲能量和鍵合壓力,金絲拉力值和焊點(diǎn)尺寸隨之減小,但如鍵合參數(shù)過(guò)小,金絲拉力值將不滿足可靠性要求,同時(shí)線弧的穩(wěn)定性也會(huì)受到影響。
經(jīng)過(guò)驗(yàn)證,同時(shí)滿足芯片焊盤(pán)尺寸小、線弧穩(wěn)定、鍵合拉力值較高的工藝參數(shù)為:超聲能量:110 mW,鍵合壓力:0.25 N,鍵合時(shí)間:20 ms。
5總結(jié)
1)采用20μm線徑的金絲和尖端直徑為80μm的劈刀,實(shí)現(xiàn)了細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)的自動(dòng)球焊鍵合過(guò)程。研究了不同燒球參數(shù)對(duì)FAB球的影響,解決了焊點(diǎn)超出芯片焊盤(pán)的問(wèn)題。
2)對(duì)比了BSOB鍵合和BBOS鍵合兩種焊線模式的過(guò)程和優(yōu)缺點(diǎn),得出針對(duì)細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)產(chǎn)品,應(yīng)采用BBOS模式進(jìn)行鍵合的結(jié)論,鍵合得到了垂直度和工藝穩(wěn)定性較高的金絲焊線。
3)通過(guò)控制變量法,得到了適合20μm金絲球焊鍵合的最優(yōu)工藝參數(shù),發(fā)現(xiàn)鍵合壓力對(duì)焊球大小影響較大,超聲能量則對(duì)焊線的鍵合拉力值影響較大。通過(guò)改進(jìn)金絲線徑、劈刀尺寸、焊線模式等工藝參數(shù),實(shí)現(xiàn)了細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)芯片的精確穩(wěn)定的鍵合。
審核編輯 :李倩
-
焊盤(pán)
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
545瀏覽量
38059 -
毫米波
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
1904瀏覽量
64630 -
微波組件
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
16瀏覽量
7303
原文標(biāo)題:【半導(dǎo)光電】微波組件細(xì)間距金絲鍵合工藝的可靠性分析
文章出處:【微信號(hào):今日光電,微信公眾號(hào):今日光電】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論