0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

RF MEMS開關(guān)的運(yùn)作、優(yōu)勢(shì)

jf_78858299 ? 來源:coventor官方服務(wù)號(hào) ? 作者:AONESOFT ? 2023-05-23 14:58 ? 次閱讀

RF MEMS開關(guān)是一種小型微機(jī)械開關(guān),具有低功耗,可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間里的開關(guān),通過打開或關(guān)閉接觸點(diǎn)來傳導(dǎo)信號(hào)。

在RF MEMS設(shè)備的情況下,開關(guān)的機(jī)械部件僅有幾微米大小。與普通開關(guān)不同的是,RF MEMS開關(guān)傳導(dǎo)的信號(hào)處于射頻范圍內(nèi)。

一、RF開關(guān)技術(shù)

可以使用許多不同的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)RF開關(guān)。有兩種主要的RF開關(guān)類型與RF MEMS開關(guān)競(jìng)爭(zhēng):機(jī)電式RF開關(guān)和固態(tài)RF開關(guān)。

固態(tài)開關(guān)使用半導(dǎo)體技術(shù)來運(yùn)作,例如硅或PIN二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)和混合技術(shù)(結(jié)合了PINS和FET),并采用基于硅的襯底制造。

RF MEMS開關(guān)則與不斷提高的基于RF-SOI(絕緣體上的硅)的開關(guān)競(jìng)爭(zhēng),后者是目前市場(chǎng)上的主流解決方案。

有許多類型的RF MEMS開關(guān),并且它們可以使用不同的機(jī)制來驅(qū)動(dòng)(或翻轉(zhuǎn))。由于低功耗和小尺寸,電靜力驅(qū)動(dòng)常用于RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)中。MEMS開關(guān)也可以使用慣性、電磁、電熱或壓電力來打開或關(guān)閉。

圖1和圖2展示了典型的“懸臂梁”RF MEMS開關(guān)。在這種配置中,一個(gè)固定梁懸掛在基底上。當(dāng)梁被壓下時(shí),梁上的電極接觸基底上的電極,使開關(guān)處于“開”狀態(tài)并完成電路。

圖片

圖 1:懸臂梁式 RF-MEMS 開關(guān)(由參考資料 1 提供)

圖片

圖 2:來自 CoventorMP? 的懸臂梁 RF 開關(guān)模型,顯示了開啟和關(guān)閉驅(qū)動(dòng)狀態(tài)

二、電容式 MEMS 射頻開關(guān)

最新一代的 RF MEMS 開關(guān)主要是基于電容的設(shè)備。電容開關(guān)使用電容耦合工作,非常適合高頻 RF 應(yīng)用。在操作過程中,一個(gè)力被施加到一個(gè)像橋梁一樣懸掛在基板上的梁上。當(dāng)光束被力(例如靜電力)拉下時(shí),光束接觸基板上的電介質(zhì),信號(hào)終止。圖 3 顯示了“橋”型電容式開關(guān)的橫截面,圖 4 顯示了處于未變形狀態(tài)的電容式 RF MEMS 開關(guān)的 CoventorMP? 3D 模型。

圖片

圖 3:橋式電容式 RF-MEMS 開關(guān)(提供,參考文獻(xiàn) 1)

圖 4:橋式射頻開關(guān)的 CoventorMP? 模型處于未變形的“向上”狀態(tài)

三、射頻 MEMS 商業(yè)化

射頻 MEMS 開關(guān)的開發(fā)早在 20 多年前就開始了,但當(dāng)時(shí)的市場(chǎng)成功率有限。早期商業(yè)化的主要障礙是可靠性。射頻開關(guān)需要經(jīng)受數(shù)十億次開關(guān)循環(huán)。尋找足夠堅(jiān)硬以維持大量開關(guān)循環(huán),同時(shí)又足夠柔軟以在關(guān)閉時(shí)形成良好接觸的材料一直是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。

射頻 MEMS 開關(guān)(最值得注意的是它們的電極)需要一種基于機(jī)械材料復(fù)合層的制造技術(shù)。RF MEMS 開關(guān)的可靠性受這些復(fù)合材料中的電應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力以及溫度依賴性和對(duì)沖擊和振動(dòng)的敏感性的影響。

下一代電信系統(tǒng)和智能手機(jī)對(duì) RF MEMS 開關(guān)和其他 RF MEMS 器件的需求不斷增長(zhǎng)。根據(jù) Yole Développement 最近的一份報(bào)告,RF MEMS 設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在 2018 年至 2024 年間增長(zhǎng)約 100%。

Yole 指出,由于 5G 設(shè)備需要有源天線,5G 通信的發(fā)展將增加對(duì) RF MEMS BAW 濾波器等基于 MEMS 設(shè)備的需求。此外,RF MEMS 振蕩器將用于部署與 5G 相關(guān)的新基站和邊緣計(jì)算。

四、結(jié)論

由于其機(jī)械特性,RF MEMS 開關(guān)與現(xiàn)有技術(shù)相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì),包括閉合時(shí)的電阻非常低,打開時(shí)的電阻非常高。RF-MEMS 開關(guān)具有尺寸小、功率要求低、切換時(shí)間快、信號(hào)損耗低、關(guān)斷狀態(tài)隔離度高、電路規(guī)模集成能力等優(yōu)勢(shì)。頻率在數(shù)十 GHz 范圍內(nèi)的 RF-MEMS 開關(guān)將廣泛用于未來的電信系統(tǒng),例如 5G 移動(dòng)蜂窩通信,特別是隨著新的制造工藝和材料變得更容易獲得。作為下一代 5G 和其他電信系統(tǒng)的一部分,RF MEMS 設(shè)備(包括 RF MEMS 開關(guān))將經(jīng)歷顯著增長(zhǎng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • mems
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    3868

    瀏覽量

    189851
  • RF
    RF
    +關(guān)注

    關(guān)注

    65

    文章

    3029

    瀏覽量

    166304
  • 機(jī)械開關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    34

    瀏覽量

    10794
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    低壓驅(qū)動(dòng)的RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬

    近年來射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注,特別是MEMS開關(guān)構(gòu)建的移相器與天線,是實(shí)現(xiàn)上萬單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù),在軍事上有重要意義。然而
    發(fā)表于 10-09 11:41 ?1013次閱讀

    一種應(yīng)用于X波段的RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)設(shè)計(jì)

    0 引 言 RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢(shì),從而獲得了
    發(fā)表于 06-25 06:58

    RF MEMS開關(guān)的設(shè)計(jì)模擬

    損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管
    發(fā)表于 07-29 08:31

    MEMS開關(guān)缺陷改進(jìn)

    在通信領(lǐng)域上亦憑借超低損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)
    發(fā)表于 07-29 07:57

    什么是高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)?

    RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢(shì),從而獲得了廣泛的關(guān)注,
    發(fā)表于 09-30 08:18

    高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)

    高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān) 0 引 言 RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入
    發(fā)表于 12-12 11:35 ?919次閱讀

    基于RF、MEMS開關(guān)的移相器設(shè)計(jì)

    傳統(tǒng)電子移相器由于損耗問題難以向更高頻率發(fā)展,射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS) 技術(shù)的出現(xiàn)使其得以替代半導(dǎo)體開關(guān)來設(shè)計(jì)更高頻率的移相器. 利用具有優(yōu)異RF 性能的串聯(lián)電阻式RFMEMS
    發(fā)表于 12-26 18:41 ?62次下載
    基于<b class='flag-5'>RF</b>、<b class='flag-5'>MEMS</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>的移相器設(shè)計(jì)

    低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬--用于MEMS開關(guān)缺陷的改進(jìn)

    損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管
    發(fā)表于 11-25 12:28 ?481次閱讀
    低壓驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>RF</b> <b class='flag-5'>MEMS</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>設(shè)計(jì)與模擬--用于<b class='flag-5'>MEMS</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>缺陷的改進(jìn)

    低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬

    損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管
    發(fā)表于 12-02 15:27 ?361次閱讀
     低壓驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>RF</b> <b class='flag-5'>MEMS</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>設(shè)計(jì)與模擬

    低壓驅(qū)動(dòng)的RF MEMS開關(guān)模擬設(shè)計(jì)

    損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管
    發(fā)表于 12-06 12:44 ?359次閱讀

    低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與改進(jìn)

    損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管
    發(fā)表于 12-07 04:55 ?730次閱讀

    MEMS開關(guān)基本原理及性能優(yōu)勢(shì)

    本文介紹ADI公司突破性的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS開關(guān)技術(shù)。與傳統(tǒng)機(jī)電繼電器相比,ADI公司的MEMS開關(guān)技術(shù)使RF和DC
    的頭像 發(fā)表于 03-04 15:34 ?1w次閱讀

    RF MEMS開關(guān)技術(shù)分析

    從驅(qū)動(dòng)方式和機(jī)械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開關(guān)類型,分析了各類MEMS開關(guān)的性能及優(yōu)缺點(diǎn),分析了
    的頭像 發(fā)表于 05-23 14:29 ?720次閱讀
    <b class='flag-5'>RF</b> <b class='flag-5'>MEMS</b><b class='flag-5'>開關(guān)</b>技術(shù)分析

    RF MEMS 開關(guān)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

    射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域,也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點(diǎn)。射頻微機(jī)械開關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 05-23 14:35 ?844次閱讀
    <b class='flag-5'>RF</b> <b class='flag-5'>MEMS</b> <b class='flag-5'>開關(guān)</b>的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

    一文讀懂RF MEMS 開關(guān)

    所謂,RF MEMS 開關(guān),是一種是小型的微機(jī)械開關(guān),功耗低,可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈
    的頭像 發(fā)表于 05-23 15:09 ?1110次閱讀
    一文讀懂<b class='flag-5'>RF</b> <b class='flag-5'>MEMS</b> <b class='flag-5'>開關(guān)</b>