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低壓驅(qū)動(dòng)的RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬
近年來射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注,特別是MEMS開關(guān)構(gòu)建的移相器與天線,是實(shí)現(xiàn)上萬單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù),在軍事上有重要意義。然而
發(fā)表于 10-09 11:41
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一種應(yīng)用于X波段的RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)設(shè)計(jì)
0 引 言 RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢(shì),從而獲得了
發(fā)表于 06-25 06:58
RF MEMS開關(guān)的設(shè)計(jì)模擬
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管
發(fā)表于 07-29 08:31
MEMS開關(guān)缺陷改進(jìn)
在通信領(lǐng)域上亦憑借超低損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)
發(fā)表于 07-29 07:57
什么是高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)?
RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢(shì),從而獲得了廣泛的關(guān)注,
發(fā)表于 09-30 08:18
高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)
高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)
0 引 言
RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入
發(fā)表于 12-12 11:35
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基于RF、MEMS開關(guān)的移相器設(shè)計(jì)
傳統(tǒng)電子移相器由于損耗問題難以向更高頻率發(fā)展,射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS) 技術(shù)的出現(xiàn)使其得以替代半導(dǎo)體開關(guān)來設(shè)計(jì)更高頻率的移相器. 利用具有優(yōu)異RF 性能的串聯(lián)電阻式RFMEMS
發(fā)表于 12-26 18:41
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低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬--用于MEMS開關(guān)缺陷的改進(jìn)
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管
發(fā)表于 11-25 12:28
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低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管
發(fā)表于 12-02 15:27
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低壓驅(qū)動(dòng)的RF MEMS開關(guān)模擬設(shè)計(jì)
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管
發(fā)表于 12-06 12:44
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低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與改進(jìn)
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問題,劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管
發(fā)表于 12-07 04:55
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MEMS開關(guān)基本原理及性能優(yōu)勢(shì)
本文介紹ADI公司突破性的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù)。與傳統(tǒng)機(jī)電繼電器相比,ADI公司的MEMS開關(guān)技術(shù)使RF和DC
RF MEMS開關(guān)技術(shù)分析
從驅(qū)動(dòng)方式和機(jī)械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開關(guān)類型,分析了各類MEMS開關(guān)的性能及優(yōu)缺點(diǎn),分析了
RF MEMS 開關(guān)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域,也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點(diǎn)。射頻微機(jī)械開關(guān)
一文讀懂RF MEMS 開關(guān)
所謂,RF MEMS 開關(guān),是一種是小型的微機(jī)械開關(guān),功耗低,可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈
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