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用于量子傳感的窄線寬無磁VCSEL

MEMS ? 來源:MEMS ? 2023-05-24 16:40 ? 次閱讀

量子磁探測(cè)傳感器,或稱為原子磁強(qiáng)計(jì),其原理是借助激光與原子的相互作用實(shí)現(xiàn)對(duì)微弱磁場(chǎng)的高靈敏度檢測(cè)。原子磁強(qiáng)計(jì)中采用的光源以VCSEL為主,主要是因?yàn)閂CSEL具備工作溫度范圍寬及高光束質(zhì)量這兩大優(yōu)勢(shì),使用VCSEL作為光源,能與傳感器緊湊地進(jìn)行一體化封裝,大幅降低整機(jī)體積、成本和功耗。然而,原子磁強(qiáng)計(jì)對(duì)VCSEL的性能要求十分苛刻,包括高溫工作(≥80°C)、單模(SMSR>30 dB)、窄線寬(<100 MHz)以及無磁,這大大增加了VCSEL芯片和模組的研發(fā)難度。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所(簡(jiǎn)稱:長春光機(jī)所)和長春中科長光時(shí)空光電技術(shù)有限公司從2010年起,就圍繞芯片級(jí)原子鐘應(yīng)用,在VCSEL的高溫低閾值工作、波長控制、模式穩(wěn)定以及VCSEL在芯片原子鐘系統(tǒng)中的實(shí)際應(yīng)用等方面報(bào)道了一系列研究成果。

本文主要介紹長春光機(jī)所課題組在高溫、窄線寬、無磁VCSEL方面的一項(xiàng)新研究成果,這項(xiàng)研究提出的表面微透鏡集成外腔VCSEL能夠在90°C高溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定單模工作(SMSR=36.3 dB),對(duì)應(yīng)的激光輸出功率為1.52 mW,激光頻率線寬為38 MHz;采用該VCSEL芯片制成的光源模組磁場(chǎng)僅為0.03 nT,可滿足量子傳感的應(yīng)用需求。相關(guān)研究成果已發(fā)表于《中國光學(xué)》期刊。

為了研制出表面微透鏡集成外腔VCSEL器件,實(shí)現(xiàn)窄線寬無磁激光輸出,滿足原子磁強(qiáng)計(jì)等量子傳感器應(yīng)用要求,研究人員設(shè)計(jì)并生長了適合于表面集成微透鏡的VCSEL外延結(jié)構(gòu),完成了表面微透鏡集成外腔VCSEL器件制備,在電極材料方面選取無磁材料以滿足應(yīng)用要求。

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表面微透鏡集成外腔VCSEL器件結(jié)構(gòu)示意圖

研究人員測(cè)試了集成微透鏡的VCSEL器件在室溫和高溫環(huán)境下的電流-功率特性,以評(píng)估該器件的高溫工作適應(yīng)性。結(jié)果表明,室溫下VCSEL在5 mA驅(qū)動(dòng)電流下的輸出功率為2.559 mW,此時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓為2.79 V,電-光轉(zhuǎn)換效率為18.3%。在4 mA驅(qū)動(dòng)電流、90°C條件下,該器件激光中心波長為896.3 nm,SMSR為36.3 dB,激光器能夠保持較好的單模工作狀態(tài),VCSEL激光線寬的測(cè)試結(jié)果為38 MHz。該器件采用的腔模-增益失配和多組高增益量子阱有效緩解了其在高溫下的性能劣化。

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VCSEL輸出光譜測(cè)試結(jié)果

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VCSEL線寬測(cè)試結(jié)果

為了滿足原子磁強(qiáng)計(jì)的應(yīng)用要求,研究人員使用該VCSEL芯片制成了無磁封裝VCSEL光源模組,并采用磁強(qiáng)計(jì)對(duì)該光源模組的剩磁進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果表明,該模組產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度低于0.03 nT(峰-峰值),能夠滿足實(shí)際應(yīng)用要求。

無磁封裝VCSEL光源模組

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VCSEL模組剩磁測(cè)試結(jié)果

總而言之,這項(xiàng)研究面向量子傳感對(duì)VCSEL高溫工作、窄線寬、無磁等應(yīng)用要求,從芯片結(jié)構(gòu)著手,研制出一款帶有集成微透鏡結(jié)構(gòu)的VCSEL。該器件性能優(yōu)異,能夠滿足量子傳感的應(yīng)用需求,未來發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:用于量子傳感的窄線寬無磁VCSEL

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