0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Airfast GaN射頻晶體管帶來(lái)大量創(chuàng)新設(shè)計(jì)理念

星星科技指導(dǎo)員 ? 來(lái)源:nxp ? 作者:Megan Faust ? 2023-05-25 10:04 ? 次閱讀

Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶體管,采用緊湊型DFN 7 x 6.5 mm超模壓塑封。該器件具有優(yōu)異的輸出,可填充多個(gè)頻段,在48 V下運(yùn)行時(shí),能效提升超過(guò)50%,增益超過(guò)13 dB。

面向各種市場(chǎng)的多功能GaN解決方案

A3G26D055N用途廣泛,其應(yīng)用范圍為100-2800 MHz,適用于各種市場(chǎng),包括移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施、射頻能源和寬帶通信。

poYBAGRuwh6AE48UAAO7QjgifTs978.png

在恩智浦RF 5G移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施大功率產(chǎn)品組合中,這款低于6 GHz的器件在2.6 GHz移動(dòng)通信頻段下運(yùn)行,功率為39 dBm,平均功耗為8 W。它可用于5G mMIMO射頻單元(64T64R),也可作為宏射頻單元(如4T4R天線(xiàn)系統(tǒng))的驅(qū)動(dòng)器,用于不到1GHz的移動(dòng)通信頻段。

固態(tài)射頻能量是一種可靠的熱源和電源。A3G26D055N用途廣泛,可作為射頻能量驅(qū)動(dòng)器在2.45 GHz ISM頻段使用,適用于烹飪、工業(yè)加熱和焊接應(yīng)用。此外,它還可用作25W連續(xù)波的低功耗末級(jí)驅(qū)動(dòng)器,適用于醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用。

這款A(yù)3G26D055N還非常適合在惡劣條件下運(yùn)行的寬帶通信,如100-2800 MHz范圍內(nèi)的寬帶戰(zhàn)術(shù)通信、25W連續(xù)波寬帶低功耗末級(jí)驅(qū)動(dòng)器、航空航天和國(guó)防產(chǎn)品組合中MMRF5014H或MMRF5018H的驅(qū)動(dòng)器。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    184

    文章

    17203

    瀏覽量

    247768
  • 驅(qū)動(dòng)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    51

    文章

    7998

    瀏覽量

    145009
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9500

    瀏覽量

    136933
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)

    GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨(dú)功率因數(shù)校正(PFC)和DC-DC部分的AC/DC電源:前端、無(wú)電橋PFC以及其后的LLC諧振轉(zhuǎn)換器(兩個(gè)電感和一個(gè)電容)。此拓?fù)渫耆蕾?lài)于圖1所示的半橋和全橋電路。
    發(fā)表于 09-28 15:15 ?4414次閱讀
    iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)<b class='flag-5'>晶體管帶來(lái)</b>諸多優(yōu)勢(shì)

    iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)

    )晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān),從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢(shì),需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。 GaN
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:53 ?9313次閱讀
    iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)<b class='flag-5'>晶體管帶來(lái)</b>諸多優(yōu)勢(shì)

    Airfast射頻功率解決方案

    Airfast系列是飛思卡爾推出的下一代RF LDMOS產(chǎn)品,通過(guò)把創(chuàng)新技術(shù)與系統(tǒng)級(jí)平臺(tái)相結(jié)合,使其在增益、功率、線(xiàn)性、功率密度、效率都有了質(zhì)的飛躍。飛思卡爾還提供了配合DPD的整個(gè)鏈路解決方案,可
    發(fā)表于 07-02 13:31

    NPT2020射頻晶體管

    化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極管。產(chǎn)品型號(hào):NPT2020產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線(xiàn)性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3
    發(fā)表于 09-26 09:04

    直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

    受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
    發(fā)表于 10-27 06:43

    什么是GaN透明晶體管?

    晶體管通道完全閉合;二維過(guò)渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率。  在新加坡-麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟,正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料:GaN。從光學(xué)角度看,GaN的帶隙為
    發(fā)表于 11-27 16:30

    CGH40010F氮化鎵(GaN)高 電子遷移率晶體管

    `Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
    發(fā)表于 12-03 11:51

    電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

    ,在這種情況下采用基于氮化鎵(GaN晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類(lèi)似,GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制,單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率,并
    發(fā)表于 01-19 16:48

    IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管

    `IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿(mǎn)足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
    發(fā)表于 04-01 10:35

    用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN晶體管

    針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有高開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
    發(fā)表于 06-15 11:43

    氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢(shì)

    10個(gè)FiT目標(biāo)已經(jīng)達(dá)到開(kāi)始批量生產(chǎn)的最低可接受水平?! ?yīng)用的穩(wěn)健性  除了對(duì)影響器件固有可靠性和壽命的關(guān)鍵因素進(jìn)行大量測(cè)試外,Panasonic X-GaN晶體管還通過(guò)設(shè)計(jì)提供穩(wěn)健性,有助于應(yīng)用電
    發(fā)表于 02-27 15:53

    飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

    日前,射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵(GaN晶體管
    發(fā)表于 06-09 10:18 ?1916次閱讀

    恩智浦發(fā)布Airfast 3射頻功率晶體管

    智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天推出Airfast第三代產(chǎn)品,首發(fā)的是四顆用于蜂窩通信宏基站重點(diǎn) LDMOS晶體管方案。全新Airfast 3在技術(shù)上達(dá)到了新的里程碑,在
    發(fā)表于 11-25 16:16 ?1115次閱讀
    恩智浦發(fā)布<b class='flag-5'>Airfast</b> 3<b class='flag-5'>射頻</b>功率<b class='flag-5'>晶體管</b>

    電源設(shè)計(jì)中嘗試使用GaN晶體管

    GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中,我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61
    的頭像 發(fā)表于 08-05 08:04 ?1192次閱讀
    電源設(shè)計(jì)中嘗試使用<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>晶體管</b>

    GaN晶體管的應(yīng)用場(chǎng)景有哪些

    GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性,使得
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:27 ?378次閱讀