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剖析光通信的調(diào)制器技術(shù)

jf_78858299 ? 來源:測量的知識 ? 作者:測量的知識 ? 2023-05-29 14:44 ? 次閱讀

強(qiáng)度調(diào)制、直接探測(IMDD)是中短距離光通信最常見的調(diào)制技術(shù),其基本原理是把數(shù)字的0/1信息承載在光強(qiáng)度的變化上,常見的強(qiáng)度調(diào)制方式有DML、EML、MZ等。

現(xiàn)在在光通信中,DFB激光器是常見的單模半導(dǎo)體光源,其調(diào)制帶寬和光譜純度都是不錯的,可以用于高速、遠(yuǎn)距離傳輸。一般的DFB激光器是通過改變其驅(qū)動電流來對光強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)制,采用這種調(diào)制方式的激光器稱為DML(Directly Modulated Laser:直接調(diào)制激光器)。DML的調(diào)制實(shí)現(xiàn)方式簡單,成本也比較低,但是這種調(diào)制方式對于高性能的應(yīng)用有幾個缺點(diǎn):首先器調(diào)制帶寬會受限于激光器自身的馳豫振蕩(Relaxing Oscillation,即激光在打開建立穩(wěn)定的光功率輸出前會有功率的振蕩)頻率,這就制約了其能支持的最高數(shù)據(jù)速率;同時電流的變化也會引起激光器內(nèi)部狀態(tài)的變化,從而造成波長的飄移;另外為了平衡調(diào)制速率和性能,在調(diào)制時激光器并不是完全關(guān)閉或完全打開的,其消光比(光信號打開和關(guān)閉時光功率的對數(shù)比值)有限,這些都限制了激光器的調(diào)制速率、調(diào)制質(zhì)量和傳輸距離。因此,DML目前主要用于速率30Gbps以下、傳輸距離<10km的應(yīng)用場合。

為了進(jìn)一步提高調(diào)制速率和調(diào)制質(zhì)量,可以通過外部調(diào)制器對光信號進(jìn)行調(diào)制,這就是EML(Electro-absorption Modulated Laser:電吸收調(diào)制激光器)。EML是在普通的DFB光源基礎(chǔ)上增加了一個外部的EAM(電吸收調(diào)制器:Electro-absorption Modulator)。對于一些更高性能的場合,還會使用MZM(馬赫-曾德調(diào)制器:Mach-Zehnder Modulator)。

以EAM調(diào)制器為例,此時激光的光源一直工作在打開狀態(tài),其工作電流和輸出功率是穩(wěn)定的。電調(diào)制信號是通過控制EAM上的電壓,進(jìn)而改變對光的吸收比例來實(shí)現(xiàn)對光信號功率的調(diào)制,這樣避免了馳豫振蕩和波長飄移的影響。只要EAM器件的調(diào)制帶寬、線性度、消光比等性能可以提升,就可以提供比較高的調(diào)制質(zhì)量。EML激光器的調(diào)制帶寬可以做到30GHz以上,而且波長穩(wěn)定度很高,因此常用于10km以上高速率信號的光傳輸場合。但是EML激光器由于增加了EAM器件,其實(shí)現(xiàn)成本比較高。下圖是一款集成了DFB激光器和EAM的EML器件實(shí)現(xiàn)原理。

圖片

對于更高速率(比如>50Gbaud)或者更遠(yuǎn)傳輸距離(>40km)的應(yīng)用中,還可能會用到MZ調(diào)制器。MZ調(diào)制器通常用鈮酸鋰(LiNbO3)材料制成,在一個平面上包含一對共面的相位調(diào)制器,輸入光信號平均分為2個支路,并分別經(jīng)過這兩個相位調(diào)制器再合在一起。鈮酸鋰材料具有電光效應(yīng),即在其晶體上施加電場時,其折射率會發(fā)生變化。因此,當(dāng)在MZ調(diào)制器其中一個支路上施加電的調(diào)制信號時,由于折射率的變化會造成通過這個支路的光的相位的變化;而當(dāng)發(fā)生相位變化的支路的光和另一個支路再合路時,根據(jù)兩路光相位差的關(guān)系,最后合路后的光信號可能會被加強(qiáng)或者抵消,從而實(shí)現(xiàn)了光強(qiáng)的調(diào)制。比如,當(dāng)兩路光相位差正好為180度時,理論上輸出光強(qiáng)為零;而當(dāng)相位差為零度時,理論上輸出光強(qiáng)最大。下圖是MZ調(diào)制器的原理。

圖片

隨著調(diào)制信號電壓的持續(xù)增加,MZ調(diào)制器兩個支路的相位差發(fā)生周期性變化,因此輸出光的強(qiáng)度也相應(yīng)周期性變化,通常把輸出光強(qiáng)從最大變化最?。ɑ驈淖钚∽兓阶畲螅?yīng)的調(diào)制信號的電壓變化稱為半波電壓Vπ(此時兩個支路的相位差變化了π)。如果調(diào)制信號的偏置點(diǎn)或者幅度不合適時,輸出信號的消光比和調(diào)制質(zhì)量會有明顯下降。通過適當(dāng)控制加在調(diào)制器上調(diào)制的電信號的偏置和幅度,MZ調(diào)制器可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電光調(diào)制性能,但MZ調(diào)制器的成本較高,溫度和偏置控制復(fù)雜,所以主要用于需要高性能調(diào)制信號的場合(如相干通信或波特率超過50Gbaud的遠(yuǎn)距離通信場合)。另外,傳統(tǒng)上MZ調(diào)制器采用塊狀鈮酸鋰晶體制成,體積較大(長度在幾cm到十幾cm),集成度不好?,F(xiàn)在也有一些新的技術(shù)在氧化硅的基底上直接生長鈮酸鋰薄膜,體積可以做到百um量級,并且調(diào)制帶寬可達(dá)60GHz以上,如果能夠產(chǎn)業(yè)化會有很大的發(fā)展前景。

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