功率器件結(jié)溫監(jiān)測(cè)技術(shù)研究
審核編輯：彭靜
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
41文章
1676瀏覽量
90006 -
監(jiān)測(cè)技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
55瀏覽量
11934
原文標(biāo)題：功率器件結(jié)溫監(jiān)測(cè)技術(shù)研究（PPT）
文章出處：【微信號(hào)：dldzjsyyy，微信公眾號(hào)：電力電子技術(shù)與應(yīng)用】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路，設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路，并提出了- -種結(jié)
發(fā)表于 05-23 11:08
?362次閱讀
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了
發(fā)表于 10-06 09:48
SiC功率器件的封裝技術(shù)研究
和Ag-In瞬態(tài)液相鍵合技術(shù)進(jìn)行了研究?！ ?shí)驗(yàn) 本研究選擇Sn96.5-Ag3.5焊膏，采用直接覆銅 (DBC)襯底作為SiC功率器件的
發(fā)表于 09-11 16:12
詳解芯片的結(jié)溫
。 背景通常，芯片的結(jié)溫(Junction Temperature)（Tj）每上升10℃，器件的壽命就會(huì)大約減為一半，故障率也會(huì)大約增大２倍。Si 半導(dǎo)體在Tj 超過了175℃時(shí)就有可能損壞。由此，使用時(shí)
發(fā)表于 09-20 09:05
【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究
項(xiàng)目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
發(fā)表于 04-21 16:04
如何去測(cè)量功率器件的結(jié)溫？
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫
發(fā)表于 03-11 07:53
利用仿真來估計(jì)功率半導(dǎo)體的結(jié)溫
利用仿真來估計(jì)功率半導(dǎo)體的結(jié)溫關(guān)鍵詞：仿真半導(dǎo)體結(jié)溫摘要：本文設(shè)計(jì)了一個(gè)利用仿真來估計(jì)功率半導(dǎo)體
發(fā)表于 02-05 22:16
?34次下載
如何準(zhǔn)確測(cè)量到功率器件內(nèi)部硅片的結(jié)溫？
功率器件結(jié)溫和殼頂溫度，差多少？ 測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)
功率器件結(jié)溫和殼頂溫度有什么區(qū)別
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫
發(fā)表于 11-23 14:53
?5次下載
智能功率模塊IPM的結(jié)溫評(píng)估
本文詳細(xì)敘述了實(shí)際使用時(shí)對(duì)IPM模塊的各種結(jié)溫的計(jì)算和測(cè)試方法，從直接紅外測(cè)試法，內(nèi)埋熱敏測(cè)試，殼溫的測(cè)試方法，都進(jìn)行詳細(xì)說明，以指導(dǎo)技術(shù)人員通過測(cè)量模塊自帶的Tntc的溫度估算或測(cè)試
功率半導(dǎo)體器件IGBT結(jié)溫測(cè)試方法
功率循環(huán)試驗(yàn)中最重要的是準(zhǔn)確在線測(cè)量結(jié)溫，直接影響試驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測(cè)量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義?；谕☉B(tài)特性的電學(xué)參數(shù)法更適用于設(shè)備導(dǎo)向狀態(tài)的測(cè)試。國際電工
SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評(píng)估研究進(jìn)展
的電氣參量;然后研究分析了功率器件結(jié)溫測(cè)量的各類方法， 并重點(diǎn)闡述了溫敏電參數(shù) (TSEP) 法
長晶科技獲批建設(shè)“江蘇省功率器件工程技術(shù)研究中心”
近期，江蘇省科技廳公示了2023年度擬新建省級(jí)工程技術(shù)研究中心名單，長晶科技獲批建設(shè)“江蘇省功率器件工程技術(shù)研究中心”。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論