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MOSFET對使單刀雙擲開關(guān)變得簡單

要長高 ? 來源:edn ? 作者:edn ? 2023-05-31 17:49 ? 次閱讀

借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET,您可以輕松地實現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān),以隔離電路的一部分,并在電路其余部分關(guān)閉時從次級電源為其供電,以便待機工作 (圖1 )。通過使用互補對,您可以對 MOSFET 使用單個控制輸入。這種拓撲結(jié)構(gòu)中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A時表現(xiàn)出小于0.1V的壓降,并且兩個MOSFET都采用SO-8封裝。

image.png

圖1 n溝道和p溝道MOSFET對包括一個先開后合、單極、雙擲開關(guān)(a)。當(dāng)電路的其余部分關(guān)閉時,開關(guān)隔離電路的一部分,并在待機操作期間從次級電源為其供電(b)。

image.png

當(dāng) 2N7002 或類似的控制 MOSFET 將柵極連接在一起并將它們拉到地時,p 溝道 MOSFET 導(dǎo)通。通過關(guān)閉 2N7002 將柵極拉到電源軌上方會導(dǎo)致 n 溝道 MOSFET 導(dǎo)通。將p溝道MOSFET的柵極拉到源極電位以上不起作用;MOSFET 保持關(guān)斷狀態(tài),漏電流低。

由此產(chǎn)生的開關(guān)是先開后合配置,這是確保次級或始終接通電源永遠不必為整個電路供電所必需的。然而,由于MOSFET的快速開關(guān),可能不需要超出正常設(shè)計規(guī)則的額外電容來維持工作電壓。

電路中n溝道器件的布置可確保內(nèi)部二極管在子電路隔離時不導(dǎo)通。在這個方向上,n溝道MOSFET還為電路通過二極管的電源提供了一條故障安全路徑。p溝道MOSFET二極管的正向電壓阻止任何電流“反向饋送”次級電源,假設(shè)兩個電源的電壓接近。

該電路的一個應(yīng)用示例是臺式計算機中的高級配置和電源接口,可在待機狀態(tài)下提供即時啟動和低功耗。主電源為大功率開關(guān)電源,副電源為線性調(diào)節(jié)的60Hz變壓器。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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