0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

超越期望,引領(lǐng)控制革新——ASDM65N18S功率MOSFET

愛美雅電子 ? 來源:jf_45550425 ? 作者:jf_45550425 ? 2023-06-05 13:41 ? 次閱讀

引言: 在現(xiàn)代高效能系統(tǒng)中,功率MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色,它們是實(shí)現(xiàn)低功耗、高效率和精確控制的關(guān)鍵元件。為滿足不斷發(fā)展的市場需求,我們推出了全新的ASDM65N18S功率MOSFET,它以卓越的性能和創(chuàng)新特點(diǎn)引領(lǐng)著控制革新的浪潮。

一、卓越性能:

低輸入電容:ASDM65N18S功率MOSFET具備極低的輸入電容,實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)和高速開關(guān)。在高頻率應(yīng)用中,它能夠提供卓越的性能和精確的電源控制。

低漏電流和低輸出電容:ASDM65N18S功率MOSFET具有出色的低漏電流和低輸出電容特性,降低了能量損耗,提高了系統(tǒng)的效率和能效。它是實(shí)現(xiàn)低功耗和高效能的理想選擇。

高電壓承受能力:ASDM65N18S功率MOSFET具有最大65V的電壓承受能力,適用于各種高壓應(yīng)用場景。無論是工業(yè)自動化、電動汽車還是太陽能和風(fēng)能等可再生能源系統(tǒng),ASDM65N18S都能穩(wěn)定可靠地工作。

二、創(chuàng)新特點(diǎn):

先進(jìn)封裝技術(shù):ASDM65N18S采用先進(jìn)的封裝技術(shù),如SOP-8封裝,具備良好的散熱性能和緊湊的尺寸。這使得它可以輕松集成到各種設(shè)計(jì)中,提高系統(tǒng)的靈活性和可靠性。

環(huán)保設(shè)計(jì):ASDM65N18S功率MOSFET采用無鉛鍍層,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。這不僅滿足了環(huán)境保護(hù)的要求,還為客戶提供了更加可持續(xù)的解決方案。

三、應(yīng)用領(lǐng)域:

電動汽車:ASDM65N18S功率MOSFET在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)中具有廣泛應(yīng)用。它可以實(shí)現(xiàn)高效能力的功率轉(zhuǎn)換和精確的電機(jī)控制,提高車輛的性能和續(xù)航里程。

工業(yè)自動化:ASDM65N18S功率MOSFET適用于各種工業(yè)自動化設(shè)備,如機(jī)器人、自動化控制系統(tǒng)等??稍偕茉聪到y(tǒng):ASDM65N18S功率MOSFET在太陽能和風(fēng)能等可再生能源系統(tǒng)中扮演著重要角色。其高電壓承受能力和優(yōu)異的性能特點(diǎn)使其成為太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電控制系統(tǒng)的理想選擇。它可以提高能源轉(zhuǎn)換效率,實(shí)現(xiàn)可靠、清潔的電力資源。

電源管理:ASDM65N18S功率MOSFET廣泛應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域,如開關(guān)電源DC-DC轉(zhuǎn)換器。通過其低漏電流和低輸出電容的特性,它能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸,提供穩(wěn)定可靠的電源供應(yīng)。

LED照明:ASDM65N18S功率MOSFET在LED照明應(yīng)用中具備重要地位。它能夠?qū)崿F(xiàn)高效能力的驅(qū)動和控制,提供穩(wěn)定的電流輸出,提高LED照明系統(tǒng)的效率和壽命。

四、優(yōu)勢總結(jié):

ASDM65N18S功率MOSFET的卓越性能和創(chuàng)新特點(diǎn)為各種應(yīng)用領(lǐng)域帶來了巨大的優(yōu)勢:

高效能力:低輸入電容、低漏電流和低輸出電容特性使其能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸,提高系統(tǒng)的效率和能效。

高可靠性:具備高電壓承受能力和穩(wěn)定的性能特點(diǎn),保證了系統(tǒng)的可靠運(yùn)行,提高產(chǎn)品的壽命和穩(wěn)定性。

環(huán)??沙掷m(xù):采用無鉛鍍層,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)境保護(hù)要求,提供更加可持續(xù)的解決方案。

靈活集成:先進(jìn)封裝技術(shù)和緊湊的尺寸使其能夠輕松集成到各種設(shè)計(jì)中,提高系統(tǒng)的靈活性和可靠性。

作為行業(yè)領(lǐng)先的供應(yīng)商,我們致力于為客戶提供創(chuàng)新的技術(shù)解決方案和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。我們的工程師團(tuán)隊(duì)將為您提供全面的技術(shù)支持和定制化服務(wù),幫助您充分發(fā)揮ASDM65N18S功率MOSFET的優(yōu)勢,實(shí)現(xiàn)最佳的性能和效益。

選擇ASDM65N18S功率MOSFET,您將邁向一個(gè)更加高效、可靠和可持續(xù)的控制革新之路。立即聯(lián)系我們的銷售團(tuán)隊(duì),了解更多關(guān)于ASDM65N18S的信息,并共同開創(chuàng)創(chuàng)新控制領(lǐng)域的未來!

無論您是從事電動汽車行業(yè)、工業(yè)自動化領(lǐng)域,還是致力于可再生能源系統(tǒng)的發(fā)展,ASDM65N18S功率MOSFET都是您不可或缺的利器。它的卓越性能和創(chuàng)新特點(diǎn)將為您的應(yīng)用帶來巨大的優(yōu)勢和突破。

我們的產(chǎn)品通過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和可靠性測試,確保每一顆ASDM65N18S功率MOSFET都達(dá)到最高的標(biāo)準(zhǔn)。我們的工程師團(tuán)隊(duì)緊密關(guān)注市場趨勢和技術(shù)創(chuàng)新,不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能,并提供定制化的解決方案,滿足您的特定需求。

不僅如此,我們還為您提供完善的售后服務(wù)和技術(shù)支持。無論您遇到任何技術(shù)問題或需求,我們都將積極響應(yīng)并提供專業(yè)的幫助,確保您能夠充分發(fā)揮ASDM65N18S功率MOSFET的優(yōu)勢,實(shí)現(xiàn)最佳的系統(tǒng)性能和效益。

ASDM65N18S功率MOSFET,超越期望,引領(lǐng)控制革新!選擇我們,選擇領(lǐng)先的技術(shù)和可靠的合作伙伴。立即與我們聯(lián)系,了解更多關(guān)于ASDM65N18S的信息,共同開創(chuàng)創(chuàng)新控制領(lǐng)域的未來!

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    142

    文章

    6936

    瀏覽量

    211733
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    125

    文章

    7593

    瀏覽量

    142145
  • 功率MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    341

    瀏覽量

    21743
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    深愛半導(dǎo)體SIF10N65F 高精度 MOS及LED驅(qū)動電路

    深愛半導(dǎo)體 SIF10N65FA N-溝道功率MOS管 場效應(yīng)管MOSFET ●產(chǎn)品特點(diǎn): ■熱阻低 ■開關(guān)速度快 ■輸入阻抗高 ■符合RoHS規(guī)范 應(yīng)用領(lǐng)域: [電子鎮(zhèn)流器] [電
    發(fā)表于 09-06 13:55

    TOSHIBA東芝TK49N65W5 MOSFET產(chǎn)品規(guī)格書

    低漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON)): TK49N65W5在標(biāo)準(zhǔn)條件下(VGS = 10 V ID = 24.6 A)的典型RDS(ON)值僅為0.051 Ω。這種低電阻確保了操作期間的功率損耗最小化
    發(fā)表于 08-05 11:12 ?0次下載

    峰岹FU6812S+FD2606S+N MOSFET 油煙機(jī)方案

    FD2606S是高壓、高速半橋柵極驅(qū)動器, 能夠驅(qū)動N功率MOSFET和IGBT。 FD2606S內(nèi)置VCC和VB欠壓(UVLO)保護(hù)功能
    的頭像 發(fā)表于 08-01 18:00 ?745次閱讀
    峰岹FU6812<b class='flag-5'>S+FD2606S+N</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 油煙機(jī)方案

    N531 推挽電路,可以直接驅(qū)動IGBT, 功率MOSFET

    N531是一款通用的功率開關(guān)控制器,可以替代由分立元件組成的推挽電路,可以直接驅(qū)動IGBT,功率MOSFET,繼電器等
    發(fā)表于 07-25 15:40 ?1次下載

    18N70友順UTC 18A, 700V ,N通道 功率場效應(yīng)晶體管

    UTC 18N70-HC是一個(gè)n通道增強(qiáng)型MOSFET采用聯(lián)合技術(shù)的先進(jìn)技術(shù)為客戶提供完美的rds (ON),高開關(guān)速度,大電流容量和低功耗門。UTC 18N70-HC普遍應(yīng)用于低電壓
    發(fā)表于 07-03 15:29 ?0次下載

    1A,700V N溝道功率MOSFET UTC1N70-LC數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1A,700V N溝道功率MOSFET UTC1N70-LC數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 05-30 16:11 ?0次下載

    40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-03 15:08 ?1次下載
    40V <b class='flag-5'>N</b> 通道 NexFETTM <b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD18510KCS數(shù)據(jù)表

    Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析

    Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加, P溝道功率MOSFET的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 04-02 14:27 ?1150次閱讀
    Littelfuse <b class='flag-5'>N</b>溝道和P溝道<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的比較分析

    雙通道N溝道20V(D-SMOSFET 9926產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙通道N溝道20V(D-SMOSFET 9926產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-01 17:59 ?0次下載

    N溝道NexFET? 功率 MOSFET CSD16322Q5數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道NexFET? 功率 MOSFET CSD16322Q5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-28 15:51 ?0次下載
    <b class='flag-5'>N</b>溝道NexFET? <b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD16322Q5數(shù)據(jù)表

    25V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-21 10:46 ?0次下載
    25V <b class='flag-5'>N</b> 溝道 NexFET? <b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD16401Q5數(shù)據(jù)表

    NCE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET NCE3010S數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NCE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET NCE3010S數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-24 11:06 ?0次下載

    FDV303N N溝道MOSFET的功能特性

    FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關(guān)和放大電路中,可以控制電流流動并放大信號。
    的頭像 發(fā)表于 11-03 14:56 ?529次閱讀
    FDV303<b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>N</b>溝道<b class='flag-5'>MOSFET</b>的功能特性

    功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)分享

    和小功率MOSFET類似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
    發(fā)表于 10-25 10:42 ?653次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)分享

    功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

    眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率,且開關(guān)速度優(yōu)異??梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N
    發(fā)表于 10-18 09:11 ?2011次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀