物聯(lián)網(wǎng)芯片/微機(jī)電系統(tǒng)芯片測(cè)試方法

物聯(lián)網(wǎng) (IoT） 芯片主要包括傳感器芯片、嵌人式處理芯片、無線傳輸鏈接芯片等。IoT芯片的性能/功能測(cè)試評(píng)價(jià)至關(guān)重要，已成為物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展不可或缺的一環(huán)。IoT 芯片測(cè)試主要從器件/模塊、電路調(diào)試、電源管理、互聯(lián)互通及系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用等方面的信號(hào)傳輸特性分析展開，如圖所示。隨著芯片應(yīng)用技術(shù)和測(cè)試技術(shù)的發(fā)展，一些新的測(cè)試方法不斷問世，這些新方法可進(jìn)一步提高測(cè)試覆蓋率。

IoT 芯片測(cè)試面臨的主要挑戰(zhàn)來自低功耗、高信號(hào)傳輸質(zhì)量等需求，通常測(cè)試是基于自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)及裝備的，需要設(shè)計(jì)測(cè)試硬件接口，開發(fā)相應(yīng)的測(cè)試軟件，完成IoT 芯片的低功耗測(cè)試、電磁敏感性測(cè)試、應(yīng)力測(cè)試、高集成/高精度系統(tǒng)級(jí)測(cè)試、可靠性測(cè)試等指標(biāo)的測(cè)試評(píng)價(jià)。其中，低功耗測(cè)試涉及芯片測(cè)試功耗、瞬態(tài)測(cè)試功耗、峰值測(cè)試功耗等；電磁敏感性測(cè)試涉及功能性靜電放電測(cè)試、快速瞬變脈沖群、 電磁敏感度、高頻率電磁兼容性等；應(yīng)力測(cè)試主要包括高壓、高頻、高溫、強(qiáng)電磁干擾等多維度動(dòng)態(tài)強(qiáng)應(yīng)力條件下的性能驗(yàn)證測(cè)試。在測(cè)試過程中，采用測(cè)試過程跟蹤，測(cè)試結(jié)果分析及回溯，實(shí)時(shí)顯示測(cè)試結(jié)果并自動(dòng)生成測(cè)試報(bào)告等工程測(cè)試手段，提高測(cè)試效率，加快產(chǎn)品推向市場(chǎng)。

微機(jī)電系統(tǒng) (Micro Electro Mechanical Systems, MEMS) 是一種微型器件或系統(tǒng)。從制造缺陷和經(jīng)濟(jì)成本因素考慮，應(yīng)在封裝、應(yīng)用之前對(duì)芯片進(jìn)行性能功能測(cè)試，測(cè)試的價(jià)值在于指導(dǎo)提高成品率，衡量評(píng)價(jià)其性能和可靠性。

MEMS 測(cè)試是 MEMS 產(chǎn)業(yè)鏈中極具挑戰(zhàn)性的環(huán)節(jié)，其測(cè)試方案制定、測(cè)試設(shè)備環(huán)境等與傳統(tǒng)集成電路（IC）的測(cè)試有所不同。如圖所示，MEMS芯片的測(cè)試不僅涉及電信號(hào)的I/0，還涉及壓力、溫度、光、電磁等測(cè)試環(huán)境；測(cè)試的內(nèi)容包括對(duì)工藝、材料和結(jié)構(gòu)的各種特征參數(shù)的測(cè)試，芯片的動(dòng)/靜態(tài)特性測(cè)試，微弱信號(hào)和微小物理量測(cè)試等；測(cè)試的參數(shù)包括靜態(tài)/動(dòng)態(tài)特性分析、靈敏性、線性度、正交誤差，以區(qū)流速等性能/功能參數(shù)及電性特性。由于MEMS 測(cè)試環(huán)境復(fù)雜，測(cè)試項(xiàng)目繁多，需要對(duì) MEMS 測(cè)試設(shè)備進(jìn)行自動(dòng)化系統(tǒng)集成，并將其擴(kuò)展成一個(gè)開放的、可通用的測(cè)試平臺(tái)，以提高測(cè)試的可靠性和穩(wěn)定性。

目前，MEMS 測(cè)試系統(tǒng)是通過模擬芯片的實(shí)際工作環(huán)境，產(chǎn)生激勛源，應(yīng)用半導(dǎo)體自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試芯片輸出信號(hào)的，測(cè)試參數(shù)包括測(cè)試量程、測(cè)試精度、分辦率、靈敏度、信噪比、溫漂等。通常，MEMS 測(cè)試會(huì)為客戶提供測(cè)試數(shù)據(jù)報(bào)告、分析產(chǎn)品性能、跟蹤產(chǎn)品的成品率。利用多工位測(cè)試、自動(dòng)測(cè)試、自動(dòng)失效分析等功能軟件，可以提升產(chǎn)品測(cè)試效率。

審核編輯：湯梓紅