RC Corner基礎(chǔ)知識(shí)詳細(xì)講解

90nm 更早的工藝，通常都只有兩個(gè)RC Corner: Cworst = Cmax, Rmin;

Cbest =Cmin, Rmax 電容電阻特性分別占主導(dǎo)。

90nm后更新的工藝，考慮到互連線coupling的影響，出現(xiàn)了RCworst, RCbest corner. RCbest（也被稱為XTALK Corner）= Cc max（此時(shí)耦合電容最大），Cg x R min RCworst（也被稱為Delay Corner）= Cg x R max（此時(shí)RC的乘積最大）, Cc min Cc是耦合電容，Cg是對(duì)地電容

因此加起來就有4個(gè)RC Corner，

Cbest, Cworst, RCbest,

C-best：

?它具有最小的電容，所以也被稱為Cmin Corner；

?互連電阻大于Typical Corner；

?此Corner導(dǎo)致那些nets都非常短的路徑的延遲非常小，可用于hold分析。

C-worst：

?具有最大的電容，所以也被稱為Cmax Corner；

?互連電阻小于Typical Corner;

?此Corner導(dǎo)致那些nets都非常短的路徑的延遲非常大，可用于setup分析。

RC-best：

?指最小化互連RC乘積的Corner，所以也被稱為RC-min Corner； ?通常對(duì)應(yīng)于較小的蝕刻，這增加了Trace（實(shí)際走線）的寬度。這導(dǎo)致最小的電阻，但其電容值要大于Typical Corner； ?對(duì)于具有長(zhǎng)互連的路徑，該Corner具有最小的路徑延遲，可用于hold分析。

RC-worst：

?指最大化互連RC乘積的Corner，所以也稱為RC-max Corner；

?通常對(duì)應(yīng)于較大的蝕刻，這會(huì)減少Trace（實(shí)際走線）的寬度，這導(dǎo)致最大的電阻，但其電容值要小于Typical Corner；

?對(duì)于具有長(zhǎng)互連的路徑，該Corner具有最大的路徑延遲，可用于setup分析。

Typical：

?典型值，這是指互連電阻和電容的標(biāo)稱值。

總結(jié)： 所以你可能已經(jīng)注意到有兩種類型的寄生：一種是基于C的，另一種是基于RC的。 在基于C的里面，C意味著最差和最佳情況的電容C；

但在基于RC的里面，RC意味著最差和最佳情況的電阻R，同時(shí)調(diào)整C為最差或最佳。

根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)基于C的提取比基于RC的提取為內(nèi)部時(shí)序路徑提供了更差和最好的情況，因?yàn)殡娙葜鲗?dǎo)了短線。

然而，對(duì)于大型設(shè)計(jì)，由于R在長(zhǎng)導(dǎo)線中占優(yōu)勢(shì)，因此Block之間的時(shí)序路徑（inter-block timing path通常）最差，RC寄生效應(yīng)最差。

注意：沒有Corner能保證任意晶體管驅(qū)動(dòng)任意導(dǎo)線拓?fù)涞淖钚』蜃畲笱舆t 借助下面的圖片，很容易理解該內(nèi)容：

在先進(jìn)工藝的下，會(huì)引入Double Pattern，考慮到不同Mask之間的misalign，因此會(huì)增加額外的CCworst和CCbest Corner。引入Double Pattern之后的Corner如下：

它們之間的RC關(guān)系如下：

審核編輯：劉清