3D NAND沉積技術的特點及挑戰(zhàn)
編者按
中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授外，學生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報告，實現(xiàn)教學互動。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
考慮到這些內(nèi)容也是目前業(yè)界關注的實用技術，征得教師和學生的同意，本公眾號將陸續(xù)展示一些學生的調(diào)研結果。這些報告還很初步，甚至有少許謬誤之處，請業(yè)界專家批評指正。
以下為報告PPT：
審核編輯：湯梓紅
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原文標題：【Study】3D NAND沉積技術的特點及挑戰(zhàn)
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