0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新能源汽車時代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)

qq876811522 ? 來源:汽車半導(dǎo)體情報局 ? 2023-06-15 17:02 ? 次閱讀

前 言

1824年,一種全新的材料被瑞典科學(xué)家,貝采里烏斯合成出來,這是一種名為碳化硅的黑色粉末,平平無奇的樣子,仿佛是隨處可見的灰燼,也許誰也沒能想到,就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒,將會在近200年后,在其之上長出絢爛的花朵,幫助人類突破半導(dǎo)體的瓶頸。

在人類半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期,基于硅(Si)芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越,無論是成本還是性能都達(dá)到了完美的平衡,自然對于碳化硅(SiC)沒有過多的注意。直到20世紀(jì)90年代,Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸,再次激發(fā)了相關(guān)機(jī)構(gòu)對SiC材料的研究興趣。

8f7cb630-0b53-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

相比于傳統(tǒng)的Si材料,SiC優(yōu)勢主要有以下六點(diǎn):

1 更高的額定電壓,無論是單極性還是雙極型器件,SiC基器件的額定電壓遠(yuǎn)高于Si基同類型器件;

2 更低的導(dǎo)通電阻,在1kV電壓等級下,SiC基單極性器件的導(dǎo)通電阻是Si基器件的1/60;

3 更高開關(guān)頻率,設(shè)定最大結(jié)溫在175°C、10kV條件下,SiC基器件仍能達(dá)到33kHZ的最大開關(guān)頻率;

4 更低熱阻,SiC基熱導(dǎo)率是Si的3倍,期間內(nèi)部更易散熱,減小器件過溫失效風(fēng)險,提高可靠性;

5 理論上,SiC基器件極限工作結(jié)溫能達(dá)到600°C,遠(yuǎn)高于Si基器件,但是受限于封裝材料;

6 具備極強(qiáng)抗輻射性,過量輻射不會導(dǎo)致SiC器件出現(xiàn)性能衰退,在航空領(lǐng)域應(yīng)用較廣。

SiC的優(yōu)勢

SiC在新能源汽車領(lǐng)域需求巨大

近年來,新能源汽車的增長速度堪稱恐怖,2021年,全球新能源汽車銷售約675萬輛,同比增長1.08倍,市場滲透率大幅提升到8%左右。而在我國,2021年新能源汽車銷量約為352萬輛,占全球銷量的近一半,而到了2022年上半年,中國新能源汽車銷量達(dá)260萬輛,同比增長1.2倍,同時新能源汽車保有量突破1000萬輛。而在可以遇見的未來,新能源汽車的增長也是勢不可擋的。根據(jù)市場的預(yù)期:全球新能源汽車市場將在未來5年至10年繼續(xù)保持較高15-35%規(guī)模的增速。預(yù)計到2025年中國市場規(guī)模將突破1500萬輛,保持約35%的年均增長率。而對于SiC需求最大的領(lǐng)域,恰恰就是新能源汽車。

新能源汽車相比于傳統(tǒng)燃油汽車,其中所使用的功率半導(dǎo)體器件成倍增加,根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù),傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為338美元,而功率半導(dǎo)體僅占21%,為71美元?;旌蟿恿ζ囆略龅陌雽?dǎo)體中76%是功率半導(dǎo)體,車均增量達(dá)到283美元,功率半導(dǎo)體價值為傳統(tǒng)汽車的4倍,純電動汽車中的功率半導(dǎo)體價值量則比混合動力汽車中更多。

8f9f0ece-0b53-11ee-962d-dac502259ad0.png

新能源汽車中各類半導(dǎo)體占比

上文提到,SiC擁有更高的熱導(dǎo)性能和電子性能,因此,SiC的化學(xué)特性使其特別擅長處理高頻、高功率和高溫負(fù)載的使用場景。對于新能源汽車來說,電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)通常要求體積更小、重量更輕,且能忍受惡劣的工況,而SiC恰恰具備高性能尺寸比、耐高溫和耐輻射,可幫助系統(tǒng)減少尺寸、降低重量提高系統(tǒng)可靠性,這是提高電動汽車效率的關(guān)鍵因素。不僅如此,對于車載逆變器,SiC也是目前的最優(yōu)解,以著名新能源汽車廠商特斯拉為例,在2018年,特斯拉將Model 3車型的主驅(qū)動逆變器中已經(jīng)使用了SiC MOSFET,將Si IGBT替換為SiC器件后,新能源汽車逆變器效率可以大幅提升,相同續(xù)航下對電池容量需求降低,以及實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)冷卻體積和重量的優(yōu)化,有效降低SiC器件本身帶來的成本增加。

8fc27120-0b53-11ee-962d-dac502259ad0.png

Si 模塊,SiC混合模塊和全SiC模塊方案三相逆變器損耗

新能源汽車的爆發(fā)式增長,其配套的充電樁自然也會隨之水漲船高,據(jù)麥肯錫統(tǒng)計及預(yù)測,2020年中美歐新能源汽車充電需求約為180億千瓦時,預(yù)計到2030年,伴隨新能源汽車滲透率的提升,新能源汽車充電需求將高達(dá)2710億千瓦時。

8fe130ec-0b53-11ee-962d-dac502259ad0.png

中美歐2020-2030年充電樁數(shù)量(單位:百萬座)

但是,就以目前的形勢來看,充電樁的增長速度遠(yuǎn)沒有新能源汽車來得快。從新能源汽車增量與公共充電樁增量角度看,車樁比在2020年為4.7:1,2021年-2022年連續(xù)兩年車樁比均超過10:1。導(dǎo)致目前這種“車多樁少”的情況。筆者認(rèn)為是充電樁越來越多地建在交通便利,但地段昂貴的商業(yè)城區(qū),同時還要面對惡劣的工況。因此,充電樁的設(shè)計方向是追求高密度、高電壓、高功率和高可靠。還是作為新能源汽車充電樁的核心零部件,SiC的有關(guān)特性又讓它成了繞不開的材料。三安集團(tuán)北京公司副總經(jīng)理就陳東坡認(rèn)為,SiC憑借耐高壓、耐高溫、更高頻率的優(yōu)勢,性能非常優(yōu)越,前景明朗。雖然現(xiàn)在對于SiC快速充電樁還處于起步階段,但是在未來隨著需求的大幅增加,SiC一定會被大量應(yīng)用。

結(jié) 論

不僅僅是新能源汽車領(lǐng)域,對于5G基站的通信電源,大數(shù)據(jù)中心工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的服務(wù)器電源,城際高鐵和城際軌道交通的電力電子裝置都能看到SiC這種材料的應(yīng)用前景。隨著SiC市場前景的逐步明確,已經(jīng)有越來越多的廠商開始投入對于SiC材料的研發(fā)和制造中來。

作為SiC生產(chǎn)的基石,襯底的尺寸直接影響了SiC生產(chǎn)的成本,目前全球SiC市場6英寸量產(chǎn)線正走向成熟,領(lǐng)先公司已進(jìn)軍8英寸市場,包括羅姆、II-VI、Wolfspeed已具備成熟6英寸SiC襯底產(chǎn)線,正在向8英寸市場進(jìn)行開拓,而我國國內(nèi),包括泰科天潤、華潤微、三安光電等廠商也在積極探索,雖然目前還是以4英寸產(chǎn)線為主,逐步在探索6英寸,但我國獨(dú)有的巨大經(jīng)濟(jì)規(guī)模很可能會加速SiC研發(fā),逐步追上甚至領(lǐng)跑SiC領(lǐng)域也絕不是癡人說夢。

90145f6c-0b53-11ee-962d-dac502259ad0.png

從4英寸、6英寸到8英寸的芯片數(shù)量

筆者相信,在未來會有越來越多的SiC功率器件出現(xiàn),讓我們身邊的電子產(chǎn)品功耗更低,體積更小,同時,也會有越來越多的國產(chǎn)SiC材料,來服務(wù)我們未來的科技生活。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 新能源汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    10202

    瀏覽量

    98757
  • 半導(dǎo)體材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    489

    瀏覽量

    29367
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2633

    瀏覽量

    48522

原文標(biāo)題:新能源汽車時代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)

文章出處:【微信號:汽車半導(dǎo)體情報局,微信公眾號:汽車半導(dǎo)體情報局】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

    器件的特點(diǎn)  碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm.,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。  它與硅半導(dǎo)體
    發(fā)表于 01-11 13:42

    碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

    的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電
    發(fā)表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼,碳化硼、碳化硅、氮化硅碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下,
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅二極管選型表

    應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅SiC半導(dǎo)體材料是自第一代元素
    發(fā)表于 10-24 14:21

    600V碳化硅二極管SIC SBD選型

    極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC
    發(fā)表于 10-24 14:25

    碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

      由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體
    發(fā)表于 06-28 17:30

    新能源汽車市場火爆,碳化硅電路板事態(tài)也瘋狂

    ,保證各大功率負(fù)載的正常運(yùn)行。同時在汽車驅(qū)動模塊中還需要抗震耐磨的PCB,而碳化硅材料的耐磨與抗震等機(jī)械性能優(yōu)良,能保證其長久的使用壽命。根據(jù)時報,新能源
    發(fā)表于 12-09 14:15

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    碳化硅SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,
    發(fā)表于 01-12 11:48

    碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

    已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國,半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過40%,其中以碳化硅材料SiC)為代表的第三代
    發(fā)表于 03-25 14:09

    什么是碳化硅SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅SiC)?它有哪些用途?碳化硅SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型
    發(fā)表于 09-23 15:02

    被稱為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅有著哪些特點(diǎn)

    公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用??蓮V泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、
    發(fā)表于 02-20 15:15

    應(yīng)用于新能源汽車碳化硅半橋MOSFET模塊

    是基本半導(dǎo)體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅(qū)動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品?! ≡摦a(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝,采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
    發(fā)表于 02-27 11:55

    碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

    更新?lián)Q代,SiC并不例外  新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段,有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步,未來還將面臨挑戰(zhàn),例如,晶圓
    發(fā)表于 02-27 14:28

    功率半導(dǎo)體迎來SiC時代碳化硅SiC)的需求快速增長

    新能源汽車終端市場中,隨著SiC材料價格下降,碳化硅SiC)的需求快速增長,來自于車載充電、
    的頭像 發(fā)表于 08-27 09:47 ?1698次閱讀
    功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>迎來<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>時代</b>?<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)的需求快速增長