開關(guān)電源MOS管的工作損耗計算

耗計算式計算：

× RDS（on） × K ×

截止損耗計算：

× IDSS ×（ 1-Don ）

會依 VDS（off） 變化而變化，如計算得到的漏源電壓 VDS（off） 很大以至接近 V（BR）DSS 則可直接引用此值。

開啟過程損耗計算：

開啟過程 VDS（off_on）（t） 與 IDS（off_on）（t） 交叉波形如上圖所示。首先須計算或預(yù)計得到開啟時刻前之 VDS（off_end） 、開啟完成后的 IDS（on_beginning） 即圖示之 Ip1 ，以及 VDS（off_on）（t） 與 IDS（off_on）（t） 重疊時間 Tx 。然后再通過如下公式計算：

×∫ Tx VDS（off_on）（t） × ID（off_on）（t） ×

關(guān)斷過程損耗

首先須計算或預(yù)計得到關(guān)斷完成后之漏源電壓 VDS（off_beginning） 、關(guān)斷時刻前的負載電流 IDS（on_end） 即圖示之 Ip2 以及 VDS（on_off） （t） 與 IDS（on_off）（t） 重疊時間 Tx 。

然后再通過 如下公式計算：

×∫ Tx VDS（on_off） （t） × IDS（on_off）（t） ×

驅(qū)動損耗的計算：

× Qg ×

電容的泄放損耗計算：

首先須計算或預(yù)計得到開啟時刻前之 VDS ，再通過如下公式進行計算：

× VDS（off_end）2 × Coss ×

體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗計算：

利用體內(nèi)寄生二極管進行載流的應(yīng)用中（例如同步整流），需要對此部分之損耗進行計算。公式如下：

× VDF × tx ×

體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計算：

公式如下：

Pd_recover=VDR × Qrr × fs