這種雙面冷卻可實現(xiàn)更好的熱性能,從而實現(xiàn)更高的功率密度和效率。DSC 電源模塊通常在模塊的每一側(cè)使用銅板進行冷卻,它們還可能具有額外的功能,例如溫度感應(yīng)二極管和電流感應(yīng) IGBT。
圖一:DSC與單面電源模塊對比(:1)
單面冷卻模塊存在一些局限性,包括:
高寄生電感 (15-20 nH)
高熱阻 (0.1-0.8 K/W)
引線鍵合是一種主要的失效模式。
這些問題可以使用基于 DSC 的電源模塊來解決,該模塊具有以下特點:
低寄生電感(小于 10 nH)
熱阻降低高達 50%
無焊線,更可靠
延長壽命(按數(shù)量級)
增加電流能力和更高的功率密度。
多年來,阿肯色大學(xué)開發(fā)了不同架構(gòu)的DSC功率模塊,從直接焊錫連接的高壓功率模塊封裝(2012年)到多層LTCC基板堆疊功率模塊(2020年)。
建議的解決方案
UA Power Group 針對牽引驅(qū)動應(yīng)用提出的解決方案是集成 DSC 功率模塊,目標(biāo)功率密度為 100 kW/L。
擬議的設(shè)計(其分解圖如圖 2 所示)具有以下特點:
設(shè)計新穎:
金字塔形或45度垂直連接塊,提供散熱路徑
基于 LTCC 的中介層。該解決方案提供電氣隔離和機械強度,便于上下基板對齊
基于 LTCC / PCB 的交流電源端子,有助于電流感測
可靠的技術(shù):
銀燒結(jié)
無焊線
綜合特點:
去耦電容
基于 SOI 或 SiC 的柵極驅(qū)動器
GMR 或霍爾效應(yīng)電流傳感器
溫度感應(yīng)器
圖 2:建議的 DSC 電源模塊解決方案的分解圖(:1)
底部包含焊接到 DBC 基板的 50 μm 銅金屬平面。頂部提供用于 SOIC-8 封裝焊接的金屬焊盤和用于引線鍵合到 PCB 的連接跡線。引入去耦電容器(參見圖 2)有助于顯著降低電源環(huán)路電感(1.5nH,相對于沒有電容器的設(shè)計的 11nH 電感)。此外,800V、160A 時的電壓過沖減少了 65%(60V 相對于 110V)并且器件應(yīng)力更小,從而實現(xiàn)更可靠的設(shè)計。
柵極驅(qū)動器可基于 XFAB 的 180 nm 絕緣體上硅 (SOI) CMOS 工藝構(gòu)建,具有系統(tǒng)保護功能,如有源米勒鉗位、過流檢測和欠壓鎖定。除了極低的柵極環(huán)路電感(小于 10 nH)外,該柵極驅(qū)動器的柵極驅(qū)動器管芯面積很小,約為 3.14 mm x 3.14 mm。對于高溫功率模塊(高達 175℃),可以集成基于碳化硅 (SiC) 的柵極驅(qū)動器。因此,柵極驅(qū)動器有兩種選擇:基于 SOI 或基于 SiC。
電流傳感器可以通過 GMR 電流傳感器(放置在載流導(dǎo)體頂部)或霍爾效應(yīng)電流傳感器(放置在載流導(dǎo)體附近)來實現(xiàn)。在這兩種情況下,傳感器都必須位于電源模塊的底部開關(guān)基板上(交流電位)。PCB 有助于路由來自 AC 端子的 I/O 信號。
底部開關(guān)基板上還放置了NTC溫度傳感器,需要離功率器件很近。PCB 將柵極驅(qū)動器、電流傳感器電路和溫度傳感器引腳路由到頂部開關(guān)柵極驅(qū)動器板上的 I/O 端子(見圖 2)。電流密度模擬表明,通過將電流傳感器放置在交流端子上,可以實現(xiàn)交流端子上和周圍的電流密度。
使用 SolidWorks 熱模擬器軟件對建議的設(shè)計進行了完整的熱模擬。建模的觸點組包括附件銀燒結(jié)膏(TC= 60 W/mK,50 μm)和熱界面材料(TC= 9.6 W/mK,0.5 mm),而結(jié)到環(huán)境的熱阻 (K/W)為 0.06 K/W。
應(yīng)用的邊界條件如下:
對流系數(shù):10,000 W/m 2 K
環(huán)境溫度:65°C
每個芯片的估計功率損耗:120 W。
將六個建議的功率模塊集成到 200 kW 分段兩級三相逆變器中,并在 EV 系統(tǒng)中使用 PM 牽引電機,實現(xiàn)了 100 kW/L 的體積系統(tǒng)功率密度 (PD)。該值比用于帶 DSC 功率模塊的牽引驅(qū)動的體積 PD(約 30 kW/L)要好得多。
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