0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOSFET數(shù)據(jù)手冊常見參數(shù)解析——EASIGSS/Rds(on)/Coss

是我者也同學 ? 來源:是我者也同學 ? 2023-06-19 09:53 ? 次閱讀

6d5d8fd8-0e42-11ee-962d-dac502259ad0.png

6d8c41b6-0e42-11ee-962d-dac502259ad0.png

6dbbd7e6-0e42-11ee-962d-dac502259ad0.png

6de02c54-0e42-11ee-962d-dac502259ad0.png

6e265e5e-0e42-11ee-962d-dac502259ad0.png

6e71aa6c-0e42-11ee-962d-dac502259ad0.png

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    142

    文章

    6929

    瀏覽量

    211721
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    108

    文章

    2314

    瀏覽量

    65689
  • 參數(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    1656

    瀏覽量

    31872
  • 數(shù)據(jù)手冊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    93

    文章

    6086

    瀏覽量

    41914

原文標題:MOSFET數(shù)據(jù)手冊常見參數(shù)解析——EASIGSS/Rds(on)/Coss

文章出處:【微信號:是我者也同學,微信公眾號:是我者也同學】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    MOSFET寄生電容參數(shù)如何影響開關(guān)速度

    的等效電路就成了圖 2 的樣子了。但是,我們從MOSFET數(shù)據(jù)手冊中一般看不到這三個參數(shù),手冊給出的
    的頭像 發(fā)表于 01-08 14:19 ?1.7w次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>寄生電容<b class='flag-5'>參數(shù)</b>如何影響開關(guān)速度

    #讀懂MOSFET數(shù)據(jù)手冊 了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積(SOA)上

    MOSFET元器件安全FET手冊SOA數(shù)據(jù)手冊
    電子技術(shù)那些事兒
    發(fā)布于 :2022年08月24日 22:21:34

    #讀懂MOSFET數(shù)據(jù)手冊 了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積(SOA)下

    MOSFET元器件安全FET手冊SOA數(shù)據(jù)手冊
    電子技術(shù)那些事兒
    發(fā)布于 :2022年08月24日 22:31:56

    #讀懂MOSFET數(shù)據(jù)手冊 理解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的雪崩能量等級

    MOSFET元器件FET手冊數(shù)據(jù)手冊
    電子技術(shù)那些事兒
    發(fā)布于 :2022年08月24日 22:34:01

    國外MOSFET管子參數(shù)對照手冊

    `國外MOSFET管子參數(shù)對照手冊`
    發(fā)表于 10-10 10:32

    理解功率MOSFETRDS(ON)負溫度系數(shù)特性

    記得作者2002年做研發(fā)的時候,在熱插撥的應用中就開始關(guān)注到這個問題,那時候很難找到相關(guān)的資料,最后在功率MOSFET數(shù)據(jù)表中根據(jù)相關(guān)的圖表找到導通電阻RDS(ON)的這個違背常理的特性,然后
    發(fā)表于 09-26 15:28

    理解功率MOSFETCoss產(chǎn)生損耗

    的能量將會通過MOSFET放電,產(chǎn)生損耗。 許多資料中,理論的Coss放電產(chǎn)生的損耗為:從上式可以看到,Coss放電產(chǎn)生的損耗和容值、頻率成正比,和電壓的平方成正比。在功率MOSFET
    發(fā)表于 03-28 11:17

    功率MOSFET數(shù)據(jù)表解析

    能力的快照。本網(wǎng)上廣播將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽,和闡明具體的數(shù)據(jù)參數(shù)和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝,取決
    發(fā)表于 10-18 09:13

    【干貨】MOSFET開關(guān)損耗分析與計算

    工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。1. 開通過程中MOSFET開關(guān)損耗2. 關(guān)斷過程中MOSFET開關(guān)損耗3. Coss
    發(fā)表于 01-30 13:20

    理解功率MOSFETRDS(ON)溫度系數(shù)特性

    理解功率MOSFETRDS(ON)溫度系數(shù)特性 通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有
    發(fā)表于 11-10 10:53 ?4663次閱讀
    理解功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>RDS</b>(ON)溫度系數(shù)特性

    MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的參數(shù)理解

    理解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的雪崩能量等級
    的頭像 發(fā)表于 08-16 01:54 ?3699次閱讀

    功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊技術(shù)解析

    功率MOSFET數(shù)據(jù)參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-24 09:13 ?843次閱讀
    功率<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>數(shù)據(jù)</b><b class='flag-5'>手冊</b>技術(shù)<b class='flag-5'>解析</b>

    【科普小貼士】MOSFET性能改進:低RDS(ON)的解決方案

    【科普小貼士】MOSFET性能改進:低RDS(ON)的解決方案
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:17 ?362次閱讀
    【科普小貼士】<b class='flag-5'>MOSFET</b>性能改進:低<b class='flag-5'>RDS</b>(ON)的解決方案

    【科普小貼士】MOSFET性能改進:RDS(ON)的決定因素

    【科普小貼士】MOSFET性能改進:RDS(ON)的決定因素
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:18 ?541次閱讀
    【科普小貼士】<b class='flag-5'>MOSFET</b>性能改進:<b class='flag-5'>RDS</b>(ON)的決定因素

    IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析(上)

    這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導體》系列原創(chuàng)文章的第204篇,IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析(上)
    發(fā)表于 12-06 11:54 ?25次下載