- IRFH7085TRPBF 英飛凌 NMOS, MOSFET, HEXFET系列, Vds=60 V, PQFN封裝, 147 A, 表面貼裝, 8引腳, Si晶體管
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IRFH7085TRPBF產(chǎn)品詳細(xì)信息
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問題。 在整個(gè)范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
MOSFET 晶體管,Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
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最大連續(xù)漏極電流 | 147 A |
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最大漏源電壓 | 60 V |
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封裝類型 | PQFN |
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安裝類型 | 表面貼裝 |
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引腳數(shù)目 | 8 |
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最大漏源電阻值 | 3.2 mΩ |
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通道模式 | 增強(qiáng) |
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最大柵閾值電壓 | 3.7V |
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最小柵閾值電壓 | 2.1V |
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最大功率耗散 | 156 W |
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晶體管配置 | 單 |
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最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
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每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
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典型柵極電荷@Vgs | 110 nC @ 10 V |
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長(zhǎng)度 | 6.15mm |
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最高工作溫度 | +150 °C |
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正向二極管電壓 | 1.2V |
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最低工作溫度 | -55 °C |
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系列 | HEXFET |
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寬度 | 5.15mm |
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晶體管材料 | Si |
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高度 | 0.85mm |
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考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù):
輸入電壓范圍:確保芯片可以處理至少80V的輸入電壓。
輸出電壓:芯片應(yīng)該能夠調(diào)節(jié)輸出至12V和5V。
輸出電流:每個(gè)輸出應(yīng)該能夠至少提供0.5A的電流。
效率:
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產(chǎn)品描述
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