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IRFH7085TRPBF N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon

深圳市國(guó)宇航芯科技有限公司 ? 2021-12-07 13:47 ? 次閱讀

IRFH7085TRPBF供應(yīng)商 IRFH7085TRPBF 怎么訂貨 IRFH7085TRPBF 價(jià)格
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IR msc普級(jí),JAN軍級(jí),JANTX特軍級(jí),JANTXV超特軍級(jí),JANS宇航級(jí) 二三極管,大量現(xiàn)貨,只做正品原裝

IRFH7085TRPBF產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問題。 在整個(gè)范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)

屬性數(shù)值
通道類型N
最大連續(xù)漏極電流147 A
最大漏源電壓60 V
封裝類型PQFN
安裝類型表面貼裝
引腳數(shù)目8
最大漏源電阻3.2 mΩ
通道模式增強(qiáng)
最大柵閾值電壓3.7V
最小柵閾值電壓2.1V
最大功率耗散156 W
晶體管配置
最大柵源電壓-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目1
典型柵極電荷@Vgs110 nC @ 10 V
長(zhǎng)度6.15mm
最高工作溫度+150 °C
正向二極管電壓1.2V
最低工作溫度-55 °C
系列HEXFET
寬度5.15mm
晶體管材料Si
高度0.85mm
pYYBAGGd4kCANdYUAAKdrgS4Zgw778.png
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