0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

12.1.3 碰撞電離雪崩渡越時(shí)間(IMPATT)二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-04-27 10:38 ? 次閱讀

12.1.3 碰撞電離雪崩渡越時(shí)間(IMPATT)二極管

12.1 微波器件

第12章專用碳化硅器件及應(yīng)用

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

97a951f4-c583-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

97cde190-c583-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    9410

    瀏覽量

    164411
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2633

    瀏覽量

    48526
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢壘二極管,也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管(SiC SBD),是碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-10 14:55 ?293次閱讀

    華燊泰:碳化硅二極管低能耗和高效率的秘密#SiC碳化硅 #第三代半導(dǎo)體 #肖特基二極管

    肖特基二極管碳化硅
    秦仲弘
    發(fā)布于 :2024年07月19日 16:54:37

    雪崩二極管和齊納二極管的主要區(qū)別

    在電子工程領(lǐng)域中,二極管作為一種基本的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電路和設(shè)備中。其中,雪崩二極管和齊納二極管作為兩種特殊的二極管類型,各自具有獨(dú)
    的頭像 發(fā)表于 05-23 14:30 ?916次閱讀

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?316次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體推出一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管的半導(dǎo)體器件

    碳化硅(SiC)肖特基二極管是一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管的半導(dǎo)體器件。
    的頭像 發(fā)表于 04-11 10:27 ?527次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體推出一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>的半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>

    影響雪崩二極管響應(yīng)速度的原因有哪些?

    雪崩二極管,也稱為碰撞雪崩時(shí)間
    的頭像 發(fā)表于 04-03 18:10 ?1287次閱讀

    激光二極管基本原理介紹

    激光二極管基本原理介紹
    發(fā)表于 03-19 10:57

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體(SiC Transist
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1398次閱讀

    碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

    碳化硅二極管碳化硅晶體。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2433次閱讀

    碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基
    的頭像 發(fā)表于 12-29 09:54 ?486次閱讀

    碳化硅器件領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

    導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基
    發(fā)表于 12-27 10:08 ?404次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

    碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析

    碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析 碳化硅(SiC)二極管是一種新型半導(dǎo)體材料,在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-21 11:31 ?1616次閱讀

    二極管放大電路基本原理

    二極管放大電路是一種基本的電子放大電路,它利用二極管的特性來實(shí)現(xiàn)信號的放大。本文將詳細(xì)介紹二極管放大電路的基本原理。 二極管的放大電路結(jié)構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 12-18 16:27 ?1921次閱讀

    肖特基二極管基本原理

    的接觸方式,形成了一個(gè)非常薄的勢壘,在正向偏置時(shí)可以迅速導(dǎo)通,并且在反向偏置時(shí)只有非常小的反向漏電流。 肖特基二極管除了應(yīng)用于高頻整流、開關(guān)電源、太陽能電池等場合,同時(shí)也可以作為放大器、混頻器和檢波器等器件的關(guān)鍵元件。 基本原理
    的頭像 發(fā)表于 11-20 17:20 ?1410次閱讀
    肖特基<b class='flag-5'>二極管</b><b class='flag-5'>基本原理</b>

    碳化硅二極管器件在電子領(lǐng)域中有何優(yōu)勢

    碳化硅材料的半導(dǎo)體,雖然隨著技術(shù)的發(fā)展,目前碳化硅的成本已經(jīng)下降了不少,但按市場性價(jià)比來看,同類型的硅材料與碳化硅半導(dǎo)體器件的價(jià)格相差十倍以
    的頭像 發(fā)表于 10-09 17:00 ?431次閱讀