安森德P溝道 MOS ASDM60P25KQ替代萬代AOD407、臺灣微碧2SJ601-Z

安森德推出的P溝道溝槽式MOS管ASDM60P25KQ，具有超低的Qgd，通過了100%雪崩測試，安全性能較好，可替代萬代的AOD407和臺灣微碧(VBsemi)的2SJ601-Z，廣泛運用于LED燈、電源、玩具、霧化器等產品上。

電氣特性方面，ASDM60P25KQ的漏源擊穿電壓的最小值為-60V。零柵極電壓漏極電流最大僅-1uA（25℃）。漏源導通電阻最大僅60mΩ（VGS=-10V）或72mΩ（VGS=-4.5V）。體二極管電壓的最大值為-1.2V。工作和存儲溫度范圍為-55~175℃，符合工業(yè)級溫度要求。

ASDM60P25KQ主要參數：

●高密度電池設計可實現超低RDS(ON)

●具有高可靠性、高效率、高EAS能力

●溝道功率低壓MOSFET技術

●出色的散熱封裝

●100%雪崩測試

●BVDSS：-60V

●RDS(on),Typ@VGS=-10V：32m?

●ID：-25A

●Vgs=±20V

●提供TO-252-2L封裝

ASDM60P25KQ開關電源應用優(yōu)勢

安森德ASDM60P25KQ在應用電路中主要起到開關作用，還有放大、阻抗變換、振蕩等作用。

在設計中，很多客戶利用MOS管的低導通內阻特點作為開關的比較多。那么在設計開關電源過程中，安森德的P溝道功率MOSFET ASDM60P25KQ具有那些優(yōu)勢呢？

1、ASDM60P25KQ采用TO-252-2L封裝，小體積可以減少器件占用的空間成本。

2、ASDM60P25KQ符合RoHS標準，是環(huán)保產品，適用于負載開關和電池開關。3、市場應用廣泛，市場占有率大，客戶認可，產品性能都可滿足客戶的要求。4、在使用過程中，安森德MOS經久耐用，使用壽命長，能滿足各種嚴苛的環(huán)境要求。5、易于并行和簡單的驅動，設計起來也比較方便。