01絕對(duì)最大額定值
02電參數(shù)
、
、
、
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
142文章
6936瀏覽量
211740
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
電力場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)
。MOSFET的動(dòng)態(tài)特性及其相關(guān)參數(shù)對(duì)于理解其在電路中的行為和優(yōu)化系統(tǒng)性能至關(guān)重要。以下是對(duì)電力MOSFET動(dòng)態(tài)特性和主要
電力場(chǎng)效應(yīng)管的靜態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場(chǎng)效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),在電力電子領(lǐng)域具有重要地位。它們的靜態(tài)特性和主要參數(shù)
MOSFET器件參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥
在本文中,我將分享關(guān)于MOSFET中幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。 1. MOSFET溫度參數(shù)的重要性 在電力電子應(yīng)用中,溫度是影響
MOSFET參數(shù)與工藝
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子工業(yè)中的核心元件之一,其參數(shù)與工藝對(duì)于電路的性能、效率及可靠性具有至關(guān)重要的影響。以下將從MOSFET的主要參數(shù)、不同工藝類型及
功率 MOSFET、其電氣特性定義
應(yīng)用圖 4 顯示了使用功率 MOSFET 應(yīng)用的工作條件,其中負(fù)載電感和工作頻率為參數(shù)。市場(chǎng)要求是(1)提高節(jié)能性,(2)降低噪音(環(huán)境考慮),(3)更小、更薄的設(shè)計(jì)。對(duì)于功率MOSFET所要求的
發(fā)表于 06-11 15:19
MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作特性
集成電路、功率電子、模擬電路等領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。本文將詳細(xì)闡述MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作特性,并通過(guò)數(shù)字和信息進(jìn)行具體說(shuō)明。
如何使用MosFET開(kāi)啟特性來(lái)抑制浪涌電流?
是否有白皮書明確規(guī)定了如何使用 MosFET 開(kāi)啟特性來(lái)抑制浪涌電流?
設(shè)計(jì)類似于 TLE9853 評(píng)估板,H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過(guò)模擬感性負(fù)載,我們 CAN 控制電流
發(fā)表于 01-29 07:41
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程簡(jiǎn)析
本文就MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析,幫助理解學(xué)習(xí)工作過(guò)程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程,然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放
一文詳解MOSFET的非理想特性
MOSFET的非理想特性對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個(gè)方面,包括電容、體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制、亞閾值導(dǎo)通、遷移率下降以及飽和速度和壓敏降閾。同時(shí),工藝、電壓和溫度變化也對(duì)晶體管性能產(chǎn)生影響。因此,在模擬
干貨滿滿!鎖定2023年5G核心網(wǎng)峰會(huì)精彩議程
原文標(biāo)題:干貨滿滿!鎖定2023年5G核心網(wǎng)峰會(huì)精彩議程 文章出處:【微信公眾號(hào):華為云核心網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀
眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率,且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異??梢哉f(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
發(fā)表于 10-18 09:11
?2011次閱讀
評(píng)論