拍字節(jié)專(zhuān)注新型3D鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)，彌補(bǔ)兩大主流存儲(chǔ)器的巨大鴻溝

無(wú)錫拍字節(jié)科技有限公司自成立以來(lái)，一直專(zhuān)注于新型存儲(chǔ)芯片研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)，尤其是新型3D鐵電存儲(chǔ)器（VFRAM）新材料的研發(fā)，3D架構(gòu)和工藝的創(chuàng)新設(shè)計(jì)以及相關(guān)產(chǎn)品的制造及量產(chǎn)。經(jīng)過(guò)不懈的努力，拍字節(jié)公司克服了代工廠相關(guān)工藝缺乏、行業(yè)技術(shù)支持空白等種種困難，探索出替換傳統(tǒng)高污染鐵電材料的High-K材料。2019年10月完成芯片設(shè)計(jì)；2019年11月開(kāi)始流片；2020年3月流片實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)功能；2020年7月實(shí)現(xiàn)良率突破；2020年12月實(shí)現(xiàn)第一代鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品（存儲(chǔ)容量為64Kb-4Mb）的小批量試產(chǎn)，打破美日壟斷（因傳統(tǒng)鐵電材料高污染的缺陷，使得全球只有美國(guó)和日本兩條專(zhuān)用產(chǎn)線），成為國(guó)內(nèi)第一款鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品，截至目前已開(kāi)始量產(chǎn)；2021年之后，公司根據(jù)詳細(xì)的研發(fā)設(shè)計(jì)規(guī)劃和預(yù)期實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)，穩(wěn)步推進(jìn)第二代鐵電存儲(chǔ)器的產(chǎn)品（存儲(chǔ)容量64Mb-1Gb）及第三代鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品（存儲(chǔ)容量為2Gb-8Gb）的研發(fā)、量產(chǎn)和上市。
拍字節(jié)新型3D鐵電存儲(chǔ)器（VFRAM）屬于FRAM的一種，這是融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的新型內(nèi)存。同EEPROM、FLASH等非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫(xiě)入、高讀寫(xiě)、耐久性和低功耗的優(yōu)點(diǎn)，在所有存儲(chǔ)器中，性能是數(shù)一數(shù)二的。而傳統(tǒng)的鐵電存儲(chǔ)器存在強(qiáng)污染性，產(chǎn)量難提升，僅應(yīng)用于2D架構(gòu)，存儲(chǔ)密度很難提升等弊端。據(jù)拍字節(jié)介紹，公司研發(fā)的新型3D鐵電存儲(chǔ)器在材料上創(chuàng)新性使用無(wú)污染材料的High-K材料，可以共用正規(guī)Fab里的 CMOS生產(chǎn)線，經(jīng)濟(jì)和快速地把產(chǎn)品推向市場(chǎng)；在工藝和設(shè)計(jì)上創(chuàng)新性采用3D架構(gòu)，極大提升存儲(chǔ)密度。該新型鐵電存儲(chǔ)器不但具有一般鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)良性能，而且由于使用了新型的High-K材料和立體存儲(chǔ)架構(gòu)，同時(shí)具備高密度和低成本的優(yōu)勢(shì)。使得新型鐵電存儲(chǔ)器具備高速度，高耐久度，低功耗及低成本的全面優(yōu)勢(shì)，能夠取代NOR閃存和DRAM產(chǎn)品并成為智能物聯(lián)新時(shí)代主流產(chǎn)品的能力。

綜合來(lái)看，新型3D鐵電存儲(chǔ)器（VFRAM）具有以下幾方面的優(yōu)勢(shì)和特性：1、非易失性：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)長(zhǎng)是閃存的10倍；2、超低功耗：閃存的千分之一；3、高速讀寫(xiě)：達(dá)到DRAM級(jí)別，速度是閃存的上千倍；4、高耐久度：達(dá)到萬(wàn)億次讀寫(xiě)，是閃存的上億倍；5、耐高溫：可在高溫下工作10年以上。 拍字節(jié)新型3D鐵電存儲(chǔ)器優(yōu)勢(shì)型號(hào) P95S128KSWSP3TF P95S128KSWSP3TF描述 該FRAM芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為16,384×8位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和SRAM不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。該芯片中使用的存儲(chǔ)單元可用于1E6次讀/寫(xiě)操作，它的讀/寫(xiě)耐久性大大超過(guò)FLASH和EEPROM，且不會(huì)像FLASH或EEPROM那樣需要很長(zhǎng)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)間，而且它不需要等待時(shí)間。 P95S128KSWSP3TF特點(diǎn) 容量：128Kb接口類(lèi)型：SPI接口(模式0)工作電壓：2.7伏至3.6伏工作頻率：25兆赫茲功耗：5毫安(最大值＠25兆赫茲)低功耗：10微安@待機(jī)耐久度：1E6讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)保持：20年@25℃高速讀特性：支持40MHZ高速讀命令工作環(huán)境溫度范圍：-25℃至60℃封裝形式：8引腳SOP封裝對(duì)標(biāo)賽普拉斯型號(hào)：FM25V01-G對(duì)標(biāo)富士通型號(hào)：MB85RS128B

使用說(shuō)明：*由于FRAM存儲(chǔ)采用破壞性讀出機(jī)制操作，這里的耐久性的最小值定義為讀和寫(xiě)的次數(shù)的總和。*請(qǐng)不要在回流焊之前寫(xiě)入數(shù)據(jù)，建議只做一次回流焊，不建議返工。
據(jù)拍字節(jié)方面透露，公司一代產(chǎn)品目前主要客戶(hù)為打印耗材廠商（與國(guó)內(nèi)頭部墨盒廠商都建立了良好的合作關(guān)系）及智能電表廠商。根據(jù)客戶(hù)反饋，公司產(chǎn)品在性能提升和國(guó)產(chǎn)化替代方面都有顯著的優(yōu)勢(shì)。