MT28EW01GABA1HPC-0SIT STOCK

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NOR Flash 并行 3.3V 1Gbit 128M/64M X 8bit/16bit 95ns 64-Pin LBGA T/R

MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR制造商： 美光
產(chǎn)品類別： 內(nèi)存、 閃存

MT28EW01GABA1HPC-0SIT

該設(shè)備是一個(gè)異步、統(tǒng)一塊、并行的 NOR 閃存設(shè)備。READ、ERASE 和 PROGRAM 操作使用單個(gè)低電壓電源執(zhí)行。上電后，設(shè)備默認(rèn)為讀取陣列模式。主存儲(chǔ)器陣列被劃分為可以獨(dú)立擦除的統(tǒng)一塊，以便在清除舊數(shù)據(jù)的同時(shí)保留有效數(shù)據(jù)。PROGRAM 和ERASE 命令寫入存儲(chǔ)器的命令接口。片上編程/擦除控制器通過(guò)處理更新存儲(chǔ)器內(nèi)容所需的所有特殊操作來(lái)簡(jiǎn)化編程或擦除存儲(chǔ)器的過(guò)程。可以檢測(cè)到程序或擦除操作的結(jié)束，并且可以識(shí)別任何錯(cuò)誤條件?？刂圃O(shè)備所需的命令集符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。CE#、OE#、和 WE# 控制設(shè)備的總線操作并實(shí)現(xiàn)與大多數(shù)微處理器的簡(jiǎn)單連接，通常不需要額外的邏輯。該設(shè)備支持從陣列的所有塊進(jìn)行異步隨機(jī)讀取和頁(yè)面讀取。它還具有一個(gè)內(nèi)部程序緩沖區(qū)，可通過(guò)一個(gè)命令序列對(duì) 512 個(gè)字進(jìn)行編程，從而提高吞吐量。一個(gè) 128 字的擴(kuò)展內(nèi)存塊與數(shù)組塊 0 的地址重疊。用戶可以編程這個(gè)額外的空間，然后保護(hù)它以永久保護(hù)內(nèi)容。該設(shè)備還具有不同級(jí)別的硬件和軟件保護(hù)，以保護(hù)塊免受不必要的修改。它還具有一個(gè)內(nèi)部程序緩沖區(qū)，可通過(guò)一個(gè)命令序列對(duì) 512 個(gè)字進(jìn)行編程，從而提高吞吐量。一個(gè) 128 字的擴(kuò)展內(nèi)存塊與數(shù)組塊 0 的地址重疊。用戶可以編程這個(gè)額外的空間，然后保護(hù)它以永久保護(hù)內(nèi)容。該設(shè)備還具有不同級(jí)別的硬件和軟件保護(hù)，以保護(hù)塊免受不必要的修改。它還具有一個(gè)內(nèi)部程序緩沖區(qū)，可通過(guò)一個(gè)命令序列對(duì) 512 個(gè)字進(jìn)行編程，從而提高吞吐量。一個(gè) 128 字的擴(kuò)展內(nèi)存塊與數(shù)組塊 0 的地址重疊。用戶可以編程這個(gè)額外的空間，然后保護(hù)它以永久保護(hù)內(nèi)容。該設(shè)備還具有不同級(jí)別的硬件和軟件保護(hù)，以保護(hù)塊免受不必要的修改。

主要特點(diǎn)

• 單層單元 (SLC) 工藝技術(shù)
• 密度：1Gb
• 電源電壓
  • VCC = 2.7–3.6V（編程、擦除、讀?。?/li>
  • VCCQ = 1.65 - VCC（I/O 緩沖器）
• 異步隨機(jī)/頁(yè)面讀取
  • 頁(yè)大?。?6 字或 32 字節(jié)
  • 頁(yè)訪問(wèn)：20ns（VCC = VCCQ = 2.7-3.6V）
  • 隨機(jī)存?。?05ns（VCC = VCCQ = 2.7-3.6V）
  • 隨機(jī)存取：110ns（VCCQ = 1.65-VCC）
• 緩沖區(qū)程序（512 字程序緩沖區(qū)）
  • 使用全緩沖程序時(shí)為 2.0 MB/s (TYP)
  • 使用加速緩沖程序 (VHH) 時(shí)為 2.5 MB/s (TYP)
• 字/字節(jié)程序：每字 25us (TYP)
• 塊擦除（128KB）：0.2s（典型值）
• 記憶組織
  • 統(tǒng)一塊：每個(gè) 128KB 或 64KW
  • x8/x16 數(shù)據(jù)總線
• 編程/擦除掛起和恢復(fù)功能
  • 在 PROGRAM SUSPEND 操作期間從另一個(gè)塊讀取
  • 在 ERASE SUSPEND 操作期間讀取或編程另一個(gè)塊
• 解鎖旁路、塊擦除、芯片擦除和寫入緩沖區(qū)功能