0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

6.1.6 離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2021-12-31 14:13 ? 次閱讀

6.1.6 離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成

6.1 離子注入

第6章碳化硅器件工藝

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

3e2a7f6e-69ca-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

3e7c0410-69ca-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

3eca48b4-69ca-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

3f061bfa-69ca-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

3f57700e-69ca-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

3fa47f2a-69ca-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2633

    瀏覽量

    48524
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?192次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱(chēng)SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?180次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    住友重工2025年擬推碳化硅離子注入機(jī)

    盡管SiC制造過(guò)程中的多數(shù)設(shè)備與常規(guī)硅類(lèi)通用,但因其具備高硬度特性,需要專(zhuān)屬設(shè)備支持,包括高級(jí)別的高溫離子注入機(jī)、強(qiáng)效的碳膜濺射儀以及大規(guī)模的高溫退火爐等。其中,能否擁有高溫離子注入機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 05-17 09:47 ?505次閱讀

    SiC與GaN 功率器件離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開(kāi)關(guān)頻率等主要優(yōu)勢(shì)。離子注入是在硅
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:49 ?741次閱讀
    SiC與GaN 功率<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>離子注入</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>挑戰(zhàn)

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線(xiàn)圈的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線(xiàn)性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過(guò)利用
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1397次閱讀

    什么是離子注入?離子注入的應(yīng)用介紹

    離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格來(lái)改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過(guò)注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度,相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:23 ?4070次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>離子注入</b>?<b class='flag-5'>離子注入</b>的應(yīng)用介紹

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

    隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來(lái)電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?903次閱讀

    碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

    材料的生長(zhǎng)和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個(gè)方面: 注入摻雜 在碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?650次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝模塊簡(jiǎn)介

    碳化硅離子注入退火工藝介紹

    統(tǒng)的硅功率器件工藝,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō),高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單,設(shè)備便宜,摻雜分布輪廓為等向性,且高溫?cái)U(kuò)散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝
    的頭像 發(fā)表于 12-22 09:41 ?2471次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>離子注入</b>和<b class='flag-5'>退火</b>工藝介紹

    碳化硅功率器件基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

    隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 12-21 09:43 ?665次閱讀

    三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

    碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:45 ?2284次閱讀
    三種<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>爐的差異

    碳化硅器件在UPS的應(yīng)用研究

    碳化硅器件在UPS的應(yīng)用研究
    的頭像 發(fā)表于 11-29 16:39 ?512次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>在UPS<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用研究

    碳化硅器件介紹與仿真

    本推文主要介碳化硅器件,想要入門(mén)碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:48 ?1424次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>介紹與仿真

    碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)?

    中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)便可滿(mǎn)足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其
    發(fā)表于 10-27 12:45 ?4081次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的生產(chǎn)流程,<b class='flag-5'>碳化硅</b>有哪些優(yōu)劣勢(shì)?