6.1.5 高溫退火和表面粗糙化
6.1 離子注入
第6章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2633瀏覽量
48524
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用
碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得碳化硅功率
碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢
碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類
碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
發(fā)表于 02-29 14:23
?1397次閱讀
簡單認(rèn)識碳化硅功率器件
隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜
共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長
碳化硅器件封裝與模塊化的關(guān)鍵技術(shù)
碳化硅(Silicon Carbide,簡稱SiC)器件封裝與模塊化是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。
發(fā)表于 01-09 10:18
?335次閱讀
碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用
碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率
三種碳化硅外延生長爐的差異
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的
碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些
發(fā)表于 09-28 18:19
?1551次閱讀
評論