0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

開關(guān)模式直流-直流變換器∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-04-15 16:32 ? 次閱讀

11.2.2 開關(guān)模式直流-直流變換器

11.2 基本的功率變換電路

第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

b8b8a440-bb7d-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

b8c98904-bb7d-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

b8e4031a-bb7d-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

b8fc78b4-bb7d-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

b909fd04-bb7d-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 直流
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    421

    瀏覽量

    42842
  • 變換器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    2071

    瀏覽量

    108933
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?180次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    雙向直流變換器有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

    雙向直流變換器(Bi-directional DC-DC Converter)作為一種能夠?qū)崿F(xiàn)直流電能雙向傳輸?shù)碾娏﹄娮釉O(shè)備,在多個(gè)領(lǐng)域如混合動(dòng)力汽車、直流不間斷供電系統(tǒng)、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車等有著廣泛的應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 08-14 14:25 ?195次閱讀

    什么是雙向直流變換器?它有哪些應(yīng)用?

    雙向直流變換器(Bi-directional DC-DC Converter) 是一種能夠?qū)崿F(xiàn)直流電能雙向傳輸?shù)碾娏﹄娮釉O(shè)備。它不僅可以將直流電能從一個(gè)電壓等級(jí)轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓等級(jí),還能在必要時(shí)將
    的頭像 發(fā)表于 08-14 11:11 ?362次閱讀

    直流pwm變換器電路的基本結(jié)構(gòu)及原理

    直流PWM變換器主要由以下幾個(gè)部分組成: 輸入電源:直流PWM變換器的輸入電源可以是電池、太陽(yáng)能電池板、交流整流等。 功率
    的頭像 發(fā)表于 08-08 14:59 ?443次閱讀

    開關(guān)變換器的工作原理和調(diào)制方式

    直流電能,是直流開關(guān)電源的主要部分,也稱為直流直流開關(guān)變換
    的頭像 發(fā)表于 07-16 17:06 ?484次閱讀

    碳化硅(SiC)功率器件開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來(lái)開發(fā)基于各種半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?409次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>開關(guān)</b>性能比較

    碳化硅MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

    MOS碳化硅
    瑞森半導(dǎo)體
    發(fā)布于 :2024年04月19日 13:59:52

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    圓盤的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J,允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來(lái)自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓、電機(jī)
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1397次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

    隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來(lái)電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?903次閱讀

    碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

    圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,
    的頭像 發(fā)表于 02-20 09:47 ?476次閱讀
    全<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>直流</b>充電設(shè)備<b class='flag-5'>技術(shù)</b>研究案例

    碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2429次閱讀

    碳化硅功率器件基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

    隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 12-21 09:43 ?665次閱讀

    三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

    碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:45 ?2284次閱讀
    三種<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>爐的差異

    碳化硅器件介紹與仿真

    本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:48 ?1424次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>介紹與仿真